CN119465096A 一种空间型ald镀膜装置、镀膜方法和复合膜 （光驰半导体技术(上海)有限公司）

一种空间型ALD镀膜装置、镀膜方法和复合膜本发明提供一种空间型ALD镀膜装置、镀膜由通过气帘进行分隔的前驱体反应区域和共反进气件包括前驱体源供气装置和前驱体源输气该空间型ALD镀膜装置可根据需求，实现任意材2镀膜腔体，所述镀膜腔体包括依次连接的至少一组反应区域，且相邻所述前驱体源进气件包括前驱体源供气装置和前驱体源输气装置，所应物源供气装置提供的共反应物源借助所述共反应物源输气装置输送至所述共反应物反2.根据权利要求1所述的空间型ALD镀膜装置，其所述前驱体源供气装置通过第一供气管路连接，且所述第一供气管路上设置有第一调节所述共反应物源输气装置与所述共反应物源供气装置通过第二供所述气帘输气装置与气帘供气装置通过第三供气管路连接，且所述3.根据权利要求1所述的空间型ALD镀膜装置，所述第二输气口通过第二输气管路输送共反应物源至共反应物反应区5.根据权利要求1所述的空间型ALD镀膜装34[0001]本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种空间型ALD镀膜装置、镀膜方法和复合[0002]原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)是一种基于化学气相沉积(CVD)的和复合膜。本发明设计的空间型ALD镀膜装置可根据需求，实现任意材料配比的复合膜制共反应物源供气装置提供的共反应物源借助所述共反应物源输气装置输送至所述共反应5[0014]优选地，所述前驱体源输气装置与所述前驱体源供气装置通过第一供气管路连[0018]优选地，所述第二输气口通过第二输气管路输送共反应物源至共反应物反应区6基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对的含义是两个或两个以上。行隔离；每组反应区域均由通过气帘进行分隔的前驱体反应区域和共反应物反应区域组7源借助气帘输气装置输送至相邻反应区域之间充当[0049]本发明中，通过气体气帘分隔的前驱体反应区域和共反[0053]进一步地，共反应物源输气装置与共反应物源供气装置[0056]进一步地，第二输气口通过第二输气管路输送共反应物8进行一次单向运动即可镀膜结束，而对于较厚的膜层，在空间型ALD镀膜装置中需设置程9体气帘1进行隔离；每组反应区域均由通过气体气帘1进行分隔的前驱体反应区域2和共反管路输送前驱体源至各组反应区域中的前驱体反应区域2中，且第一输气管路上均设置有气管路输送共反应物源至各组反应区域中的共反应物反应区域3中，且第二输气管路上设[0098]气帘供应件包括气帘供气装置和气帘输气装置，气帘供气装置气帘输气装置为气帘输气管道14，气帘输气管道14与气帘供气瓶15通过第三供气管路连将气帘供气瓶15提供的气源借助气帘输气管道14输送至相邻反应区域之间充当气体气帘；[0100]本实施例还提供了一种镀膜方法，镀膜方法采用如上的空间型ALD镀膜装置进行[0106]本实施例提供了一种直线型结构的空间型ALD镀膜装置，空间型ALD镀膜装置包反应物源至各组反应区域中的共反应物反应区域中，且第二输气管路上设置有第五调节[0113]本实施例还提供了一种镀膜方法，镀膜方法采用如上的空间型ALD镀膜装置进行域的第二前驱体反应区域中沉积DEZ，在第三组反应区域的第三前驱体反应区域中沉积[0123]本实施例与实施例2的不同之处为，单向传动带替换为往复传送带