CN119465097A 基板保持机构、成膜装置及成膜方法 （东京毅力科创株式会社）

201911173253.82019.11.26方法。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基2吸附面，其成为凹部，并以与所述密合区域连结的方式槽部，其呈圆环状且以与所述密合区域连结的方式设于所述载自所述吸附电极到吸附于所述载物台的所述被处理基板的吸附面的距离为0.5mm~所述吸附电极与形成于所述载物台的表面的比所述密合区域靠外侧的位置的所述导电性沉积膜之间的距离大于自所述吸附电极到吸附于所述载物台的所述被处理基板的吸所述槽部的相对于所述密合区域的深度为20μm～100μm，所述槽部的宽度为0.5mm~所述吸附电极与形成于所述载物台的表面的比所述密合区域靠外侧的位置的所述导由所述加热器加热的所述载物台的表面的温度为2由所述加热器加热的所述载物台的表面的温度为400℃~703该基板保持机构还包括向所述被处理基板与所述吸附面之间的空间供给导热用的背所述背面气体供给机构将背面气体的气压设定为20Torr～100T该基板保持机构还具有辅助电极，该辅助电极用于扩大等离子该基板保持机构还包括支承构件，该支承构件以向下方延该基板保持机构还包括升降销贯穿孔，该升降销贯穿孔所述气体导入部具有将气体以喷淋状向所述腔室内所述等离子生成机构具有对所述喷头施加高频电力的使用Ti原料气体和还原气体作为用于成膜所述导电性膜的气4从气体导入部向腔室内导入用于成膜所述导电通过将所述基板暴露于所述等离子来形成所述5不使用静电卡盘而将基板载置于基板载置台的状态下进[0012]本公开提供能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板的基板保持机构和使用了该基板保持机[0014]本公开的一技术方案涉及一种基板保持机构，该基板保持机构在利用等离子CVD6处理基板的基板保持机构和使用了该基板保持机构[0023]图7是表示图5所示的另一实施方式所涉及的基板保持机构的另一变形例的剖视是表示一实施方式所涉及的基板保持机构的剖视图，图4是放大表示一实施方式所涉及的[0028]基板保持机构1在利用等离子CVD或等离子ALD将导电性膜成膜于作为被处理基板[0029]基板保持机构1具有用于载置(支承)作为被处理基板的晶圆W的载物台2和在载物[0031]在载物台2内部的吸附电极11的下方埋设有加热器12。在加热器12经由供电线15密合区域21的宽度X1优选为10mm～40mm。密合区域21以其外径小于晶圆W的直径的方式形7[0033]在密合区域21的内侧形成有用于吸附晶圆W的吸附面22，该吸附面22形成得比密合区域21低20μm～70μm程度而成为凹部。吸附面22成为例如施加压花加工而成的压花面。制在产生了晶圆W的移载偏移的情况等时于密合区域21形成导电性沉积膜，而能够抑制静[0037]在载物台2的密合区域21的外侧部形成有在垂直方向上贯通的升降销贯穿孔27。在升降销贯穿孔27以能够升降的方式贯穿有升降销(未图示)，在相对于载物台2进行交接[0038]从有效地矫正作为被处理基板的晶圆W的翘曲的观点来看，通过向吸附电极11供使构成载物台2的电介质具有一些导电性即成膜温度下的体积电阻率为1×109Ω·cm～1拉别克力有效地对晶圆进行吸附，优选将自吸附电极11到晶圆W的吸附面的距离a设为盘的功能的必要性提高。该晶圆W的成膜温度更优选为400℃以上，进一步优选为400℃~700℃。[0040]如图4所示，优选以吸附电极11与形成于密合区域21的外侧的导电性沉积膜28之8[0042]此时，辅助电极19设于吸附电极11的下方的、充分远离导电性沉积膜28的位置晶圆W密合于该密合区域21，该密合区域21具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到气体迂回到晶圆W背面侧的功能的密合区域21及其外侧的能够累积导电性沉积膜的槽部9离b以及吸附电极11与晶圆W之间的距离a之间的关系成为b＞a的方式设置吸附电极11。由[0058]成膜装置100通过在平行平板电极形成高频电场从而利用等离子CVD或等离子ALD[0059]该成膜装置100具有呈大致圆筒状的金属制的腔室101。腔室101具有排气室15该排气室151以覆盖在主体的底壁101b的中央部形成的圆形的孔150的方式朝向下方突出。在排气室151的侧面连接有排气管152，在该排气管152设有具有压力控制阀和真空泵的排[0060]在腔室101的侧壁设有用于在腔室101与同腔室101相邻设置的晶圆输送室(未图示)之间进行晶圆W的输入输出的输入输出口157和用于开闭该输入输出口1[0062]在腔室101的顶壁101a借助绝缘构件109以与基板保持机构1的载物台2相对的方件111与喷淋板112之间形成有气体扩散空间114。基部构件111在其外周形成有凸缘部在喷淋板112形成有多个气体喷出孔115。在基部构件111的中央附近形成有一个气体导入供给来的处理气体经由喷头110呈喷淋状向腔室1[0064]气体供给机构120具有：TiCl4气体供给源121、Ar气体供给源1222气体作为吹扫气体使用。体管线设有质量流量控制器137和位于质量流量控制器137前后的两个开气体混合部138连接，在气体混合部138混合后的混合气体经由气体配管139与上述气体导的气体喷出孔115朝向腔室101内的晶圆W呈喷[0067]在喷头110经由匹配器140连接有高频电源141，从而自该高频电源141向喷头110输出口157向腔室101内输入晶圆W，并将该晶圆W载置于基板保持机构1的保持为规定温度[0073]此时，载物台2表面的温度(晶圆W的成膜温度)能够设为300℃~700℃的范围。该温度优选为400℃~700℃,进一步优选为500℃~600℃。[0075]在上述这样的300℃~700℃的成膜温度下，在像以往那样不使用静电卡盘的情况[0076]相对于此，在上述结构的基板保持机构1中，在成膜作为导电性膜的Ti膜的情况