CN119465326A 导电薄膜及其形成方法、半导体结构的制备方法 （长鑫科技集团股份有限公司）

本公开实施例提供一种导电薄膜及其形成2所述导电凸点的位置与所述基板背面的第二焊盘的4.根据权利要求1至3任一项所述的导电薄膜，其特征在8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，提供如权利要求3所述的导电薄膜和基板；所述基板的正面和背面分别形成有第一焊将所述导电薄膜与所述基板进行热压贴合，以使得所述导电薄所述阻焊层在所述基板的厚度方向上的第一尺寸大于所述第二焊盘在所述基板的厚向上突出于所述第一绝缘层的第三尺寸大于或者等于所述第一尺寸与所述第二尺寸的差3所述至少一个半导体芯片通过引线键合与所述第一4述导电凸点的位置与所述基板背面的第二焊盘的5缘层的第三尺寸大于或者等于所述第一尺寸与所述第二[0037]将所述基板和所述导电薄膜置于电镀液中进行电镀，以在第一焊盘表面形成镀电薄膜与基底之间的接触电阻以及降低最终形成6非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个于本领域技术人员而言显而易见的是，本公开可以无需一个或多个这些细节而得以实施。7由于电镀辅助线难以被完全去除，残留的电镀辅助线会对半导体器件的性能产生不良影[0064]本公开实施例的导电薄膜10中，由于网状导电线路102的每一交叉点上分布多个低导电薄膜10与基底之间的接触电阻以及降低最终形103的分布位置可以由需要与导电薄膜10连接的基底表面的凹陷导电结构的分布位置确而可以与刚性基底或者表面结构较为复杂的基底之8背面的第二焊盘是电连接的，因此通过导电薄膜10可以将基板正面的第一焊盘连接到一[0079]本公开的另一实施例还提供一种导电薄膜的形成方法，图3为本公开实施例提供[0083]薄膜基体101的材料包括柔性材料，一方面可以实现与网状导电线之间更好的结性基底或者表面结构较为复杂的基底之间实9[0090]在一些实施例中，导电材料层105例如包括但不限于铜箔，因为铜的导电性能优电凸点103和导电材料层105的材料可以不同也位于网状导电线路102之间的如图2所示的材料可以包括但不限于聚酰亚胺。形成第一绝缘层104的工艺可以参照上述形成第二绝[0108]本公开实施例中的导电薄膜10由于网状导电线路102的每一交叉点上分布多个导导电薄膜10与基底接触电阻以及降低最终形[0113]步骤四：刷第二次绝缘层PI(对应上述的第一绝缘层104)，保护导电薄膜上的金通过对基板背面进行刻蚀(Etchback)，并在基板上添加如图8所示的电镀引线(Platingline)20以实现将基板上所有金手指信号连接在一起。由于基板上本身线路相同网络的金公开实施例提供的半导体结构的制备方法进行详细一焊盘311和导电柱303通过第一布线层304连接，第二焊盘312和导电柱303通过第二布线焊层306位于第二焊盘312之间；阻焊层306在基板30的厚度方向上的第一尺寸d1大于第二焊盘312在基板30的厚度方向上的第二在基板30的厚度方向上的第二尺寸，使得阻焊层306对第二焊盘312之间的隔绝效果更好，第二焊盘312)周围有绿油SR(对应上述的阻焊层306)，Ballpad与SR之间存在一个高度差于第一绝缘层104的第三尺寸d3大于或者等于第一尺寸d1与的第三尺寸大于或者等于第一尺寸与第二尺寸的差值，可以确保导电凸点103与第二焊盘以使得导电薄膜10上的导电凸点103与基板30背面302的第二焊盘312之间形成紧密的接[0145]将基板30和导电薄膜10置于电镀液中进行电镀，以在第一焊盘311表面形成镀层极块不断被溶解，电镀液中的金属离子或其络离子在基板30的第一焊盘311的表面处还原[0160]本公开实施例中，半导体芯片32可以是动态随机存取存储器(DynamicRandom34与基板30的正面301连接，相邻的半导体芯片32之间可以通过线上薄膜35(FilmOver电凸点103将基板30背面302的第二焊盘312连接在一起。由于基板30正面301的第一焊盘体101)为载体，薄膜表面会附着上网状铜导体((对应上述的基板30)上Ballpad(对应上述的第二