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20锑s3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述小头的电阻率确定所述磷锑浓度。3任一项所述的方法确定锑的挥发行为，其中，所述单晶硅棒的轴向电阻变化率不大于4棒的生长过程面临着诸多技术难题，其中一个重要原因是锑的强挥发导致难以控制电阻C0锑s5理论浓度（Cs锑根据所述理论浓度（Cs锑）和所述实际磷浓度（CL磷）计算理论磷锑浓度电阻率之间的差值的绝对值小于预设差值。计算单晶硅棒的头部的径向电阻变化率不大于8%，所述单晶硅棒的中部的径向电阻率不大于[0019]包括附图是为提供对本申请进一步的理解，它们被收录6征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。[0028]本申请的方法包括确定锑在引放阶段和/或等径阶段的挥确定锑在引放阶段挥发行为的方法包括如下的步骤S1107指的是加入[0035]在另外一些实施例中，可以使用ICP_MS仪器对小头进行测量以获得磷锑浓度C0锑8333[0045]参考图2所示，确定锑在等径阶段挥发行为的方法包括如下的步骤S210至步骤计算每个位置处的实。9电阻率与实际电阻率之间的差值的绝对值小L锑反向推导得到挥发系凝固分数））atom/cm）09400009.7507E+143.0511E+154.026E+158680002.9795E+154.006E+15834_0.1280264814.6%2.9108E+153.991E+15_0.1766529629.2%2.7524E+153.972E+15250252794543.8%2.5691E+153.986E+1529170.9664595982.4652E+154.015E+1535450.94635617362.1%2.2848E+154.112E+15方法确定锑的挥发行为。使用前文所述的方法确定锑的挥发行为，所得单晶硅棒的电阻均

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