CN119471501A 量子技术、微电光或光子系统、生产方法及用途 （量子技术有限公司）

202080039101.32020.05.17另一晶体通过所述胶状膜(FM)机械地连接到所2和/或小于500nm和/或小于250nm和/或小于100nm和/或小于50nm和/或小于25nm和/或小于其中，所述微光学功能元件(LWL1、LWL2)被设计成至少满3其中，所述微电子电路的至少一个操作参数取决于由所述光敏构件其中，所述胶状膜(FM)以胶状漆(KL)的形式设置，其中包含形成为具米颗粒(NP)的晶体的所述胶状漆以使所述胶状膜(FM)足够稳定并且能够结构化以进行进提供载体介质(TM)中的纳米颗粒(NP)的胶其中，至少一些所述纳米颗粒(NP)或所有的所述纳米颗粒具有一个或多个色心(FZ)，使用所述胶状漆(KL)对所述平面基板(Sub)进行涂漆或印刷或涂布，以在所述平面基4其中，通过等离子体蚀刻和/或湿化学蚀刻和/或气相蚀刻进行所20.一种包括具有色心的多个纳米颗粒和载体材料的胶状混合物的用于将所述纳米颗粒组装在CMOS微系统中和/或组装在CMOS电路中其中，所述纳米颗粒的在CMOS微系统中和/或在CMOS电路中的所述组装包括所述胶状其中，所述纳米颗粒的在CMOS微系统中和/或在CMOS电路中的所述组装包括丝网印刷5在CMOS电路中使用具有NV色心的金刚石纳QuantumSensinginCMOS:On_ChipDetectionofElectronicSpinStatesinDiamondColorCentersforMagnetometry(CMOS中的室温量子感测：用于磁力测定的金刚石色心中的电子自旋状态的片上检测)”2018SymposiumonVLSICircuitsDigestof[0006]根据DE102012025088A1，已知具有色心的单个晶体放置在单光子[0007]根据DE102014219547A1，已知与压力传[0009]这些文件都没有公开用于构建基于NV中心的紧凑型单芯片量子传感器系统的任6用MOS或CMOS电路或其他半导体和/或微技术制造的电路中的功能型纳米[0019]这里所展示的量子技术系统优选不使用需要晶体的精确和/或大于10_3ppm和/或大于10_4ppm和/或大于10_5ppm和/或大于10_6ppm等的较低浓度。NV中心的荧光信号在用绿光照射时会进一步减弱，使得对电子后处理提出了越来越高的要7[0023]将具有色心(FZ)的纳米金刚石(NP)与先前选择并提供的载体一起放置在例如容拌(VR)直到形成胶状混合物(KL)，这适合于例如在工艺和/或漏版印刷(stencilprinting)和/或移印)中预期的进一步加工，上述载体以合些纳米颗粒(NP)，即具有NV色心作为色心(FZ)的纳米金刚石。在本文件的上下文中，术语 (NP)的金刚石纳米颗粒或具有相应的顺磁中心的硅纳米颗粒对实现将要生产的系统的技以使用其他材料的纳米颗粒(NP)和其他载体材料(TM)和其他溶剂(LM)的其他组合。在下文表也可以包括功能元件的更一般的纳米颗粒(NP)。[0025]这些功能元件可以是诸如色心等量子力学功能元件和/或诸如天线和/或纳米级器件也可以以预期的方式放置。因此，纳米颗粒(NP)可以包括操作原理是电磁和/或光学8状混合物。通过添加或多或少的溶剂(LM)(这里例如为水)，通常可以最佳地调节胶状漆[0040]为了能够将功能型纳米颗粒(NP)与平面基板(Sub)(例如MOS晶圆或CMOS晶圆或BICMOS晶圆或双极晶圆或平面玻璃晶圆或塑料晶圆)组合，使用先前所述的胶状漆(KL)对[0041]这里所展示的方法的基本版本规定，例如通过旋涂或喷涂将由此产生的胶状漆现有技术中可能的涂布过程，例如在这里参照MarcJ.Madou“Fundamentalsof位时间涂覆优选预定量的方式将胶状漆(KL)涂覆在该平面基板上。作为示例性平面基板(Sub)的晶圆放置在旋涂机(SC)的转盘上。旋涂机(SC)的该转盘通常根据工艺的典型时间状溶液形式存在的所述胶状漆(KL)。平面基板(Sub)的提供(2)和胶状漆(KM)的提供(3)可9[0046]稍后对胶状漆(KL)进行结构化和硬化，以在平面基板(Sub)上形成结构化的胶状膜(FM)。为了使稍后的该胶状膜(FM)可以粘附到平面基板(Sub)的表面，功能型纳米颗粒体处理之前的光刻(4)在该区域中对表面的润湿性进行调制(润湿与非润湿)。为了这个目[0049]一般而言，包含纳米晶体纳米颗粒(NP)的胶状漆(KL)然后会硬化成胶状膜(FM)漆(KM)或胶状膜(FM)可以选择性地朝向光[0054]特别优选地，纳米颗粒(ND)是晶体尺寸小于1μm和/或小于500nm和/或小于250nm和/或小于100nm和/或小于50nm和/或小于25nm和/或小于10nm和/或小于5nm和/或小于为是指晶体中的色心的特定原子结构，例如金刚石中的NV中心或金刚石中的SiV中心或金混合物制成的纳米晶体用作纳米颗粒(NP)。可以将这种纳米颗粒(NP)的电磁功能元件(例[0063]图4示出了作为功能型纳米颗粒(NP)的微技术生产的示例的用于生产预制金刚石于定向和异质外延生长的化学气相沉积)”ElsevierScience,November30,2005,ISBN[0065]优选在这种处理中实施用于降低氢浓度的处理步骤，以便从通过CVD沉积的金刚SingleIonImplantationIntoDiamondforQuantumDotProduction(用于量子点生产的纳米级分辨率单离子注入金刚石)”15thEuropeanConferenceonDiamond,Diamond_LikeMaterials,CarbonNanotubes,NitridesandSiliconCarbide(DIAMOND[0072]·Meijer,J,Rangelow,I.,Burchard,B.；“ASetUpforQuantumDotGenerationbyMeansofUltraHighResolutionSingleIonImplantation(通过超高Schnitzler,W.,Singer,K.,“Tonanoparticleswithnmspatialresolution(实现具有纳米空间分辨率的离子注入和纳的[111]方向与辐射电磁场的指向矢量和/或外部电磁场的通量密度B的方向一致，则这是[0078]还存在用于制造具有示例性NV中心作为色心(FZ)的示例性金刚石纳米晶体作为[0079]·XeruiSong,GuanzHongWang,XiaodiLui,FupanFeng,“Generationofnitrogen_vacancycolorcenterinnano_diamondsbyhightemperatureannealing(通过高温退火在纳米金刚石中产生氮空位色心)”,AppliedPhysicsLetters1theyare(纳米金刚石中的NV中心：它们有多好)”DiamondandRelatedM[0081]·BradleyR.Smith,DavidW.Inglis,BjomarSandness,T“Five_NanometerDiamondwithLuminescentNitrogen_VacancyDefectCenters(具有[0084]·Jean_CharlesArnault“Nanodiamonds:AdvancedMaterialAnalysis,[0086]上述列表并不是详尽的。上述文件均未涉及在微光学系统或MOS电路或CMOS电路或BICMOS电路或双极电路中或在平面玻璃、陶瓷或塑料基板上的厚膜系统中安装纳米晶[0087]图5示出了另一种过程：提供例如由金刚石制成的没有进一步结构化的沉积基板刚石)与沉积基板(W)分离。例如，也可以使用硅晶圆等来代替金刚石基板作为沉积基板可以通过平面基板(Sub)上的微流体结构来控制在胶状漆(KL)的旋涂期间的胶状漆(KL)的[0094]图6示出了在使用胶状漆(KL)涂布平面基板(Sub)期间支持纳米颗粒(NP)的放置在涂漆过程中流动的同时捕获胶状漆(KL)内预定量的纳米颗粒(NP)以及在纳米颗粒(NP)圆作为平面基板(Sub)的情况下，优选存在的对称轴线(SA)应朝向旋涂机(SC)的旋转轴线而是通过使用整个晶圆掩模和具有光学器件的光源来曝光向结构(LS)相同的工作步骤中生产的结构。这是从平面基板(Sub)的表面突出的弹簧结构的第二子捕捉结构，该第二子捕捉结构是例如通过蚀刻在平面基板(Sub)的表面中制成示细的肋导致在该结构的端部处纳米颗粒(NP)被放置在作为平面基板(Sub)的表面中的第二[0103]由于这些捕捉结构(FS)和导向结构(LS)应优选地相对于通常为圆形的晶圆的中[0104]该旋转对称的布置意味着在至少微流体结构(捕捉结构FS和导向结构LS)的生产[0105]因此，在使用具有一种纳米颗粒(NP)的胶状漆(KL)对平面基板(Sub)进行涂漆或要在平面基板(Sub)中制造的任意微电子电路部分通常是但并不总是有益的。这通常也适[0108]平面基板(Sub)优选包括半导体晶圆和/或其他半导体基板和/或硅晶圆和/或GaAs晶圆和/或由IV材料制成的晶圆和/或由III/V材料制成的晶圆和/或由II/VI材料制成的晶圆和/或由这些材料的混合物制成的晶圆和/或锗晶圆和/或单晶金刚石晶圆或多晶金刚石晶圆和/或玻璃晶圆和/或陶瓷晶圆和/或金属片和/或塑料板。平面基板(Sub)优选至基板应用用于生产电子构件的方法和/或在半导体基板上实施用于生产电子MOS或CMOS或该平面基板具有控制用于检测色心(NV)的发光的光源和/或光敏构件(例如光电二极管)的微电子电路和/或评估该光敏构件的测量信号的微电子电路。本公开意义上的电子电路包括在平面基板(Sub)中制造的至少两个微电子构件的互连。微电子电路优选包括至少一个[0113]例如，平面基板(Sub)也可以是具有至少一个微机械和/或微机电功能元件(例如片优选具有通过紧固装置牢固地连接到平面基板(Sub)的纳米颗粒(ND)，该紧固装置例如个NV中心。优选地，将微光学功能元件制造在平面基板(Sub)中或牢固地连接到平面基板是稍后所述的MESA结构(MS)，该MESA结构优选制造在平面基板中或平面基板上和/或光学[0115]图8以粗略简化的方式示意性地示出了示例性系统的截面，以便阐明先前提出的硅晶圆工件(通常称为芯片或裸片)，如在目前常见的MOS和CMO粒(NP)的位置固定在第二捕捉结构(FS2)的凹必要时泵浦光源的泵浦辐射是足够透明的。第二捕捉结构(FS2)优选填充有胶状漆(KL)的是例如溅射的SiO2材料或已经涂覆到平面基板(Sub)的表面的其他透明氧化物材料。优选地，通过向下朝向基板(Sub)的第一金属屏障的第一部分(uMS1)预先防止光发射到电路的[0120]H.,MeijerJ.,StephanA.,WeidenmüllerU.,BukowH.H.,RolfsC.“Whiteelectroluminescentnanostructureinsiliconfabricatedusingfocusedionimplantation(使用聚焦离子注入制造的硅中白色电致发光纳米结构)”NuclearInstrumentsandMethodsinPhysicsResearchB181(1001)pages274_279。[0121]在图8的示例中，将具有发光区域(LG)的这种光源用于经由第一光学光波导简化到本领域技术人员可以识别哪些示例性元件可以组合以及它们如何组合以及它们如在于使用CMOS技术制造。微电子电路优选至少部分地使用MOS或CMOS或BICMOS或双极技术[0126]在这一点上，书籍BahaE.A.Saleh,MalvinCarlTeich,“GrundlagenderPhotonik”(英文：“FundamentalsofPhotonics(光子学基础)”)Wiley_VCH,2007和BernhardC.Kress,PatrickMeyreueis“AppliedDigitalOptics(应用数码光学)”[0130]将由诸如GaAs或其他合适的III/V材料等具有直接跃迁的半导体制成的材料用作[0131]BurchardB.,“ElektronischeundoptoelektronischeBauelementeundBauelementstrukturenaufDiamantbasis”(英文：“Electronicandoptoelectroniccomponentsandcomponentstructuresbasedondiamonds(基于金刚石的电子和光电“Whiteelectroluminescentnanostructureinsiliconfabricatedusingfocusedionimplantation(使用聚焦离子注入制造的硅中白色电致发光纳米结构)”NuclearInstrumentsandMethodsinPhysicsResearcB181(1001)pages274_279。LightEmittingDiodes(碳化硅发光二极管中的雪崩击穿电致发光)”,January2000MaterialsScienceForum338_342:691_694,DOI:10.4028//[0135]在这种PN+P结构或NP+N结构或这种基于硅雪崩的发光二极管的基础上，采用以造并且具有表面(OF)。基板(Sub)优选具有用于产生光的基于硅雪崩的发光二极管或PN+P连接到基板。可以使用的MESA结构的第一区域(E)和第三区域(C)优选具有第一导电类型。可能使用的MESA结构的第二区域(B)优选具有不同于第一导电类型的第二导电类型，并且第二区域(B)布置在第一区域(E)和第二区域(C)之间。MESA结构(MESA)优选是PNP或NPN的光。由第二区域(B)发射的光则通过所述微光学功能元件(LWL2)与纳米颗粒(NP)的色心(FZ)相互作用。[0137]另一种可能性是将光源制造为例如纳米观LED，并且像纳米颗粒(NP)一样在单独[0139]因此，这些纳米LED是粒径小于1μm和/或更好小于500nm和/或更好小于250nm和/或更好小于100nm和/或更好小于50nm和/或更好小于25nm和/或更好小于10nm和/或更好小法，而通过包括这种纳米观LED作为颗粒的胶状漆(KL)放置纳米观LED也是这种制造步骤。[0141]平面基板(Sub)优选是半导体基板或硅晶圆或GaAs晶圆或由III/V材料制成的晶圆或由II/VI材料制成的晶圆或由通过带隙工程处理的晶圆或金刚石晶圆或Ge晶圆或由混好小于250nm和/或更好小于100nm和/或更好小于50nm和/或更好小于25nm和/或更好小于选是金刚石纳米晶体中的NV中心或金刚石纳米晶体中的SiV中心或金刚石纳米晶体中的H3[0145]平面基板(Sub)优选包括至少一个微光学功能元件，例如一个光学光波导结构光敏构件(pG、nG)检测的色心(FZ)的荧光强度值。色心(FZ)优选地经由微光学功能元件以基于由直接半导体材料制成的平面基板(Sub)。其优点是，系统的发光构件的光输出更的色心荧光强度和在具有最小的色心荧光强度的磁通量密度处的色心荧光强度之间的对电路、作为微电子电路的一部分的电气构件和作为基板(Sub)的一部分的微光学子器件可以是金刚石，色心分别是一个或多个金刚石中的一个或多个NV中心。因此，平面基板式与电气构件进行电气和/或光学相互作用。发光电光构件(MS)和电气构件之间的这种相互作用是在一个色心(FZ)或色心(FZ)中的多个色心的参的晶圆或由II/VI材料制成的晶圆或已经通过带隙工程处理的晶圆或金刚石晶圆或Ge晶圆件适合于或旨在至少满足以下微光学元件中的件优选通过沉积铁磁层并且随后进行光刻结构化来[0161]使用这里展示的方法来制造根据DE102018127394A1的装置显然是本公开的一部分。这里展示的文件的核心涉及例如如DE102018127394规模批量生产。这里展示的方法也适合于生产量子计算机和其他需要连接到微电子和/或路的至少一个或多个部分(特别是发光区域(LG)和/或光敏多个交互连接。集成CMOS电路或MOS电路或BICMOS电路或采用双极技术或其他电路技术的[0164]除了使用旋涂机(SC)或喷涂和/或刷涂和/或局部润湿对平面基板(Sub)进行涂漆的方法之外，另一重要方法是使用包括纳米颗粒(NP)的胶状漆(KL)在平面基板(Sub)上印[0168]·具有预结构化的胶状漆(KL)的印刷表面对着平面基板(Sub)的表面(平面对平[0171]采用该原理，将要印刷的平面基板(Sub)由涂布有胶状漆(KL)的平面印刷模板上[0174]滚筒对滚筒原理的应用将需要圆筒形或柔性平面基板(Sub)，这被包括在本文要[0184]例如，为了印刷到通过CMP而表面上平坦化并且充当平面基板(Sub)的MOS晶圆或CMOS晶圆或BICMOS晶圆或双极晶圆上，使用微结构化的晶圆作为相反的印刷版是有意义合于使用凸版印刷方法。在平压的情况下，平面基板优选以例如如MOS晶圆或CMOS晶圆或网状织物或模板挤压到将要印刷的平面基板(Sub)上。丝网印刷的印刷版由覆盖有由金属[0201]移印是一种间接的刮板凹版印刷，并且也特别适合于将胶状漆涂覆在平面基板用于将纳米晶体纳米颗粒(NP)放置在微流体功能元件(优选在基板(Sub)上印刷或制造。在基板(Sub)上印刷或制造的这些其他电子和/或光子功[0220]这对应于用于在平面基板(Sub)上放置例如具有色心(FZ)的纳米晶体形式的纳米导体基板或硅晶圆或GaAs晶圆或由IV材料制成的晶圆或由III/V材料制成的晶圆或由II/VI材料制成的晶圆或由这些材料的混合物制成的晶圆或锗晶圆或单晶金刚石晶圆或多晶板(Sub)上或平面基板(Sub)中。该电路优选包括至少一个MOS晶体管和/或一个双极晶体或晶体管。像上面解释的旋涂过程一样，印刷过程包括提供载体材料(TM)中的纳米颗粒平面基板(Sub)的至少一部分的方式混合在一起。然而，现在优选使用胶状溶液、胶状漆丝网印刷和/或纳米压印印刷方法用作印刷方法。本领域技术人员当然能够根据现有技术[0221]尽管可以想到使用光刻法进一步构造通过这些印刷技术涂覆的结构化胶状膜[0222]再次，纳米颗粒(NP)优选是粒径小于1μm和/或更好小于500nm和/或更好小于250nm和/或更好小于100nm和/或更好小于50nm和/或更好小于25nm和/或更好小于10nm和/或更好小于5nm和/或更好小于2.5nm和/或[0223]同样，纳米颗粒(NP)还是晶体尺寸小于1μm和/或更好小于500nm和/或更好小于250nm和/或更好小于100nm和/或更好小于50nm和/或更好小于25nm和/或更好小于10nm和/(NP)可以是晶体尺寸小于1μm和/或更好小于500nm和/或更好小于250nm和/或更好小于100nm和/或更好小于50nm和/或更好小于25nm和/或更好小于10nm和/或更好小于5nm和/或[0224]纳米颗粒(NP)也可以是晶体尺寸小于1μm和/或更好小于500nm和/或更好小于250nm和/或更好小于100nm和/或更好小于50nm和/或更好小于25nm和/或更好小于10nm和/或更好小于5nm和/或更好小于2.5nm和/或更好小于1nm的[0225]纳米颗粒也可以是晶体尺寸小于1μm和/或更好小于500nm和/或更好小于250nm和/或更好小于100nm和/或更好小于50nm和/或更好小于25nm和/或更好小于10nm和/或更好小于5nm和/或更好小于2.5nm和/或更好小于1nm的由III/V或II/VI半导体材料或它们的[0226]纳米颗粒(NP)也可以是晶体尺寸小于1μm和/或更好小于500nm和/或更好小于250nm和/或更好小于100nm和/或更好小于50nm和/或更好小于25nm和/或更好小于10nm和/或更好小于5nm和/或更好小于2.5nm和/或250nm和/或更好小于100nm和/或更好小于50nm和/或更好小于25nm和/或更好小于10nm和/或更好小于5nm和/或更好小于2.5nm和/或更好小于[0228]一个或多个色心可以是例如金刚石晶体中的NV中心和/或金刚石晶体中的SiV中或适合于在平面基板(Sub)的表面(OF)上形成结构化胶状膜(FM)，并且当使用胶状漆(KL)印刷平面基板时，与一个或在必要时与数个纳米颗粒(NP)进行机械或流体机械的相互作[0231]该公布致力于如何将基于NV中心的量子技术与MOS、CMOS、BICMOS或双极技术组[0232]因此，平面基板(Sub)优选包括半导体晶圆和/或半导体基板和/或硅晶圆和/或GaAs晶圆和/或由IV材料和/或III/V材料和/或II/VI材料和/或这些材料的混合物制成的晶圆和/或锗晶圆和/或单晶金刚石晶圆或多晶金刚石晶圆和/或玻璃晶圆和/或陶瓷晶圆印刷和/或涂漆和/或涂布和/或局部润湿之前，实施用于在半导体基板上生产电子构件的或涂布期间影响纳米颗粒(NP)的移动。其中的一个功能可以是在印刷过程和/或涂漆过程和/或涂布过程结束之后，增加纳米颗粒(NP)相对于微光学元件(例如，图8中的LWL1和微流体功能元件(LS、FS1、FS2)与至少一个也是使用这种方法制造的微光学功能元件能元件(FS2)在凹槽中将纳米金刚石作为具有NV色心作为色心(FZ)的纳米颗粒(NP)拾取，并且由于与光学功能元件相关的色心(FZ)的强制定位，例如用于光学光波导结构(LWL1、供这种生产用于具有作为纳米颗粒(NP)的纳米LED的胶状漆(KL)的印刷或应[0238]这种量子技术和/或微电光和/或微电子和/或光子系统优选包括半导体晶体作为导体晶体包括MOS电路或CMOS电路或BICMOS电路或双极电路或其他微电子电路，因此平面和/或发光构件相互作用，该发光构件诸如是上面以示例的方式说明的MESA结构(MS)等并于色心(FZ)的泵浦辐射和/或色心(FZ)的荧光辐射基本上透明的导电材料制成。在作为另一晶体的金刚石晶体的作为色心(FZ)的NV色心的情况下，电极优选由氧化铟锡(ITO)或类电路或其他微电子电路的状态来改变色心(FZ)的物理参数，特别是光学参数。MOS电路、CMOS电路、BICMOS电路、双极电路因此能够改变色心(FZ)的状态。MOS电路或CMOS电路或BICMOS电路或双极电路优选评估取决于色心(FZ)的光发射的光敏传感器(nG、pG)的状态。如果MOS电路或CMOS电路或BICMOS电路或双极电路可以控制电磁波辐射到色心(FZ)中，则电路或其他微电子电路包括旨在检测和/或影响至少两个色心(FZ)的相互作用的装置和/或特别地可以由ITO或类似材料制成的电极和/或产生磁场的器件部分，则这是有意义的。[0246]纳米颗粒(NP)具有至少一个色心(FZ)，该色心具有至少一个特征电磁波长和/或(NV)的纳米金刚石的纳米颗粒(NP)或所展示的其他纳米颗粒(NP)中的一种纳米颗粒的使粒(NP)设置有对准辅助部(Fe)形式的子器件，该子器件允许纳米颗粒(NP)的对准和/或定位和/或纳米颗粒(NP)的至少一个轴线[0250]平面基板(Sub)优选设置有捕捉装置(Fa)形式的子器件，该子器件允许纳米颗粒[0251]纳米颗粒(NP)优选是纳米晶体。轴线(AS)优选是纳米晶体的晶轴。对准辅助部(Fe)优选是纳米颗粒(NP)的铁磁子结构。捕捉装置(Fa)优选是平面基板(Sub)的铁磁子结(Fa)优选适合于和/或设置成通过对准辅助部(Fe)和场在纳米颗粒(NP)上施加平移力。纳米颗粒(NP)优选具有两个对准辅助部(Fe)和/或一个对准辅助部(Fe)。两个对准辅助部(Fe)和/或一个对准辅助部(Fe)优选适合于和/或设置成至少临时在纳米颗粒(NP)上施加扭矩。捕捉装置(Fa)优选适合于和/或设置成通过对准辅助部(Fe)和场在纳米颗粒(NP)上施加扭矩。这优选使得捕捉装置(Fa)和/或对准辅助部(Fe)产生磁场和/或静电场和/或其[0252]捕捉装置(Fa)和对准辅助部(Fe)优选彼此相互作用。捕捉装置(Fa)优选适合于和/或旨在通过捕捉装置(Fa)和对准辅助部(Fe)之间的相互作用来影响纳米颗粒(NP)的放优选通过单离子注入在该长方体轴线(AS)中产生色心(FZ)。在纳米金刚石晶体的情况下，过平移力和/或扭矩以预定方式确保纳米颗粒(NP)等离子体沉积沉积在作为沉积基板(W)的硅晶圆上。根据文献已知用于在硅晶圆上生产定式的对准辅助部。这可以例如通过在层(D)上沉积铁层作为对准辅助部(Fe)来完成(图9的[0261]对准辅助部(Fe)可以优选与平面基板(Sub)的捕捉装置(Fa)进行机械和/或磁性[0265]以这种方式制备的纳米颗粒(NP)因此可以在平面基板(Sub)上使用，该平面基板[0266]纳米颗粒(NP)的对准辅助部(Fe)在胶状漆内彼此相互作用可能会成为一个问颗粒的对准辅助部(Fe)之间的力太小而无法团聚或者两个纳米颗粒(NP)中的每个纳米颗粒(NP)的对准辅助部(Fe)在直接接触时相互[0270]·通过纳米颗粒(NP)的对准辅助部(Fe)形式的子器件进行纳米颗粒(NP)的对准和/或定位，该子器件使纳米颗粒(NP)和/或纳米颗粒(NP)的至少一个轴线(AS)和/或纳米颗粒(NP)在基板上相对于平面基板(Sub)的其他功能元件的定位对准，其他功能元件例如该纳米颗粒(NP)包括色心(FZ)和对准辅助部(Fe)。优选在平面基板(Sub)上或平面基板(Sub)中制造的捕捉装置(Fa)则优选在由胶状漆(KL)的载体材料(TM)携带的纳米颗粒(NP)[0273]在以这种方式修改的方法中，平移力和/或扭矩因此通过各个纳米颗粒(NP)的对准辅助部(Fe)和场而施加在纳米颗粒(NP)上，而场优选由平面基板(Sub)的捕捉装置(Fa)[0274]因此，所提出的方法优选还包括通过平面基板(Sub)的子器件产生与纳米颗粒