2026年秋招：工艺整合真题及答案

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单项选择题（每题2分，共10题）

1.哪种制程技术无需光刻环节()

A.印刷电路板制作

B.激光刻蚀

C.喷墨打印

D.电子束曝光

2.会导致衬底表面粗糙度增加的工艺是()

A.化学机械抛光

B.等离子体刻蚀

C.物理气相沉积

D.热氧化

3.离子注入中，可用于掩膜的是()

A.光刻胶

B.二氧化硅

C.氮化硅

D.以上均可

4.可提高薄膜致密度的工艺参数调整是()

A.降低沉积温度

B.增加气体流量

C.提高沉积速率

D.增加衬底偏压

5.刻蚀均匀性主要受什么影响()

A.气体流量

B.衬底温度

C.电场分布

D.以上都是

6.在半导体制造中，哪种气体用于清洗反应腔()

A.氢气

B.氧气

C.氮气

D.氟气

7.光刻工艺中，关键尺寸控制与什么直接相关()

A.曝光剂量

B.显影时间

C.光刻胶厚度

D.以上都有关

8.为提高硅衬底的导电性，常进行的工艺是()

A.氧化

B.掺杂

C.钝化

D.蚀刻

9.不属于化学气相沉积法的是()

A.低压化学气相沉积

B.物理离子溅射

C.等离子体增强化学气相沉积

D.原子层沉积

10.热处理中，能消除晶格缺陷的是()

A.淬火

B.退火

C.回火

D.正火

多项选择题（每题2分，共10题）

1.影响光刻分辨率的因素有()

A.曝光波长

B.数值孔径

C.光刻胶特性

D.曝光机台精度

2.可用于沉积金属薄膜的工艺有()

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.电镀

D.喷涂

3.刻蚀工艺的终点检测方法包括()

A.光学发射光谱

B.激光干涉法

C.电阻变化检测

D.压力变化检测

4.半导体工艺中常用的气体有()

A.氩气

B.氦气

C.氯气

D.氨气

5.化学机械抛光涉及的因素有()

A.抛光垫材质

B.抛光液成分

C.压力

D.转速

6.影响薄膜附着力的因素有()

A.衬底表面粗糙度

B.沉积温度

C.薄膜成分

D.沉积速率

7.以下属于干法刻蚀的有()

A.等离子体刻蚀

B.反应离子刻蚀

C.化学溶液刻蚀

D.激光刻蚀

8.离子注入工艺的参数包括()

A.离子能量

B.离子剂量

C.注入角度

D.注入时间

9.半导体制造中的清洗工艺目的有()

A.去除颗粒杂质

B.去除金属杂质

C.去除有机物

D.调整表面化学状态

10.热氧化工艺的影响因素有()

A.温度

B.氧化气氛

C.时间

D.衬底晶向

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺中，曝光剂量越大越好。()

2.化学机械抛光只能用于平坦化处理。()

3.离子注入可以精确控制杂质的分布。()

4.物理气相沉积过程不涉及化学反应。()

5.刻蚀速率只与刻蚀气体流量有关。()

6.热氧化生成的二氧化硅膜质量比化学气相沉积的好。()

7.光刻胶在显影后会全部去除。()

8.等离子体增强化学气相沉积可在较低温度下沉积薄膜。()

9.半导体工艺中，清洗步骤可有可无。()

10.退火工艺不能改变材料的晶体结构。()

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的主要步骤。

光刻主要包括涂胶、曝光、显影。先在衬底涂光刻胶，再用掩膜版对光刻胶曝光，使曝光部分发生化学变化，最后显影去除曝光或未曝光部分，形成图形。

2.说明化学机械抛光的原理。

化学机械抛光利用化学腐蚀和机械摩擦共同作用。抛光液中的化学物质与材料表面反应，生成容易去除的产物，再通过抛光垫机械摩擦去除，达平坦化目的。

3.离子注入有什么优缺点。

优点是精确控制杂质种类、剂量和深度，可在低温下进行。缺点是产生晶格损伤，需后续退火修复，且设备昂贵，成本高。

4.对比干法刻蚀和湿法刻蚀的特点。

干法刻蚀各向异性好，精度高，适合制作精细图形，但设备复杂，成本高；湿法刻蚀成本低，速率快，但各向同性，易产生侧向腐蚀，精度较差。

论述题（每题5分，共4题）

1.论述工艺整合中光刻分辨率提升的重要性及方法。

光刻分辨率提升至关重要，可减小芯片尺寸、增加集成度、提升性能。方法有采用更短曝光波长，如极紫外光刻；增大数值孔径；优化光刻胶和改进曝光技术，像离轴照明、相移掩膜。

2.分析化学气相沉积不同工艺的特点及应用场景。

低压化学气相沉积沉积速率慢，薄膜质量好，用于对质量要求高场合；等离子体增强化学气相沉积可低温沉积，适合不耐高温材料；原子层沉积可精确控制薄膜厚度和成分，用于超大规模集成电路。

3.谈谈工艺整合中刻蚀工艺选择的考虑因素。

要考虑刻蚀图形精度，各向异性好的干法适用于精细图形；刻蚀速率影响生产效率；对衬底损伤程度；刻蚀选择性，避免刻蚀不需要部分；成本和工艺兼容性也需考虑。

4.说明在半导体制造中如何保障工艺稳定性。

保障工艺稳定性需从多方面入手。严格控制工艺参数，如温度、压力等；定期维护设备，确保性能稳定；加强原材料检测，保证质量；建立完善监控体系，及时发现问题并调整工艺。

答案

#单项选择题

1.C2.B3.D4.D5.D6.D7.D8.B9.B10.B

#多项选择题

1.ABCD2.ABC3.ABC