CN119480598A 下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备 （北京北方华创微电子装备有限公司）_第1页
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文档简介

2述自偏压和与所述聚焦环的厚度相对应的补3.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，所述下电极装置还包括电连接组4.根据权利要求3所述的下电极装置，其特征在于，所述下电极装置还包括下电极部电连接部件一一对应的通过多个所述导电部件与所述电插接部所述控制电源的负极通过所述第二滤波部件与所述聚焦将所述控制电源的输出电压设置为与所述聚焦环的厚度相对应的所述34鞘层的形状发生变化，从而造成晶圆边缘区域的等离子体的入射方向发生倾斜(如图1所[0005]本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种下电极装置、控制电压包括所述自偏压和与所述聚焦环的厚度相对应的补5述聚焦环和所述下电极部件之间，且所述压环的部分压设在所述承载部件的部分边缘上，[0016]本发明还提供一种半导体工艺控制方法，采用如本发明聚焦环加载的控制电压进行设置时，仅需对与聚焦环的厚度相对应的补偿电压进行设置，6压为包括自偏压和补偿电压的控制电压，而无需对承载部件的自偏压进行检测以及设置，对控制电源4向聚焦环2加载的控制电压进行设置时，仅需对与聚焦环2的厚度相对应的补的输出电压设置为与聚焦环2的厚度相对应的补偿电压，就可以使得控制电源4向聚焦环27极与聚焦环2之间的电连接。从而能够避免控制电压因自偏压的检测误差或者自偏压自身8[0046]但是，控制电源4的正极并不限于通过馈入部件5与射频源3控制电源4的正极可以通过匹配器31与射频源3电连接，或者控制电源4的正极可以与射频源3与馈入部件5的电连接路径上的位于匹配器31的后段电连接(如图5所示)，这样也可以连接组件6分别与聚焦环2和控制电源4的负极电连接，控制电源4通过电连接组件6向聚焦9波部件91和第二滤波部件92可以过滤掉射频，使得加载到控制电源4正极的为射频在承载[0068]本发明实施例提供的半导体工艺控制方法，借助本发明实施例提供的下电极装源4向聚焦环2加载的电压为包括自偏压和补偿电压的控制电压，而无需对承载部件1的自[0070]如图2和图5所示，本发明实施例还提供一种半导体工艺设备100，包括工艺腔室

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