CN119486118A 半导体装置与其制作方法 （南亚科技股份有限公司）

由于熔丝元件具有底部尖端，其有利于集中电2熔丝元件，设置在该基板的该周边区域，其中该熔丝元件包含多晶硅4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该多晶硅部分的该底部尖端低于该基板的5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该导电部分的阻值低于该多晶硅部分的阻7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个栅极结构包含虚设栅极结构以及形成遮罩在该基板上，其中该遮罩覆盖该主动区域且具有开口以露出该基板的一部通过该遮罩的该开口蚀刻该基板的该部分，以在该基板的周边区域12.根据权利要求11所述的方法，其中蚀刻该基板的该部分包含以氢氧化钠溶液作为13.根据权利要求11所述的方法，其中蚀刻该基板的该部分包含以氢氧化钾溶液作为317.根据权利要求16所述的方法，其中在该氧化物层上形成多晶硅层的步骤包含以该4熔丝并可选择地熔断的集成电路为可经济地制造并适用于不同的客制化使缘层具有在虚设栅极结构与基板之间的第一部分以及在主动栅极结构与基板之间的第二5[0020]在一些实施例中，在氧化物层上形成多晶硅层的步骤包[0026]图1至图8分别为本揭露的半导体装置的制作方法的一些实施例于不同制作阶段6[0031]熔丝元件可以用来把在晶片上的缺陷电路取代为其他的在相同晶片上的复制或断(blowing)的熔丝元件可表示成电熔丝元件。电熔丝元件的击穿电压(breakdown缘体上硅(silicon_on_insulator)或是绝缘体上硅锗(silicongermanium_on_层120可以包含在基板100的表面101上的垫氧化物层(padoxidelayer)以及在垫氧化物7的一些实施例中，绝缘层130的材料可以为高介电常数的介电材料，如二氧化铪(hafnium2氧氧化铝aluminumoxide(Al2O3)或其组合。沉积工艺使得绝缘层130在沟槽111、112的底部的厚度T1远大于绝缘层130在沟槽113的底部，将中间导电层144沉积在底部导电层142上，以及将顶部导电层146沉积在中间导电层A1上之后，执行一或多个蚀刻步骤以移除未被第一遮罩160所保护的部分的硬遮罩层120、8蚀刻密度较小的Si<100>平面，但是在密度较高的Si<111>平面则具有相对较弱的化学强选用氢氧化钾溶液作为蚀刻剂。[0048]基于湿法蚀刻的蚀刻方向是直接关联于基板100的刻面的晶格排列方向，经湿法物所形成的。由于基板100的表面101以及凹陷180的侧壁182的表面粗糙度是非常的平滑，化物层190以及位在主动区域A1的绝缘层130可以通过硬遮罩层120桥接在[0051]在氧化物层190形成在基板100的表面101以及凹陷180的侧壁182上之后，沉积多[0052]导电层210接着沉积在多晶硅层200上。位在周边区域A2的导电层210的材料可以[0053]可选地，执行平坦化工艺使得位在周边区域A2的导电层210的上表面齐平于位在210的上表面可以高于或是低于主动区域A1的顶部导电层9与接触件230的剖面之间最主要的差别在于，熔丝元件220的多晶硅部分224进一步延伸进路或是重复电路。在一些实施例中，连接至有缺陷的主要电路的熔丝元件220可以被熔断[0057]每一熔丝元件220具有位在基板100的凹陷180中的介电膜222、在介电膜222上的凹陷180。多晶硅部分224的顶部区块224t则是设置在底部区块224b上并且突出于基板100[0058]参照图9，其为根据本揭露的一些实施方式的半导体装置的周边区域的俯视示意