CN119487422A 用于检测辐射的检测器、检测辐射的方法、评估系统 （Asml荷兰有限公司）

2024.12.19PCT/EP2023/0695402023.07.13WO2024/028075EN2024.02.08成使得目标辐射对像素基底的照射在像素基底制系统通过控制施加至控制电极和集电极的电2像素基底被配置成使得目标辐射对所述像素基底的照射在所述像素基底中产生电荷载流子，并且所述读出电路被配置成提供响应于对应的集电极对所述电荷载流子的收集的输控制系统，所述控制系统被配置成通过控制施加至所述控制电极和所述集电极的电2.根据权利要求1所述的检测器，其中所述映射中的每个使得对应的不同数目的所述3.根据权利要求1或2所述的检测器，其4.根据权利要求3所述的检测器，其中所述控制系统被配置成当垂直于所述检测器的5.根据权利要求4所述的检测器，其中所述控制系统被配置成处于所述高分辨率模式6.根据前述权利要求中任一项所述的检测器，其中所述分辨率模式包括低分辨率模每个超像素的所有所述像素基底中产生的电荷载流子仅由所述超像素的像素元件中的集7.根据权利要求6所述的检测器，其中所述控制系统被配置成通过控制所述控制电极8.根据权利要求6或7所述的检测器，其中所述沿限定包围所述超像素的所有像素基底的外部路径的控制电9.根据权利要求8所述的检测器，其中所述控制系统还被配置成在限定所述低分辨率将不同于所述外部等电位的内部等电位施加至限定包围所述超像素的像素基底中的其中可选地，所述内部路径包围包括所述集电极的子集中所述超像素的所述集电极的子集中的至少一个集电极比所述超像素的所有其它集电3其中可选地，所述子集由所述单个集电极组成，并且所述沿包围所述超像素的像素基底的子集的中间路径施加中间等根据前述权利要求中任一项所述的检测器，所述检测器被配置成接选择不同的分辨率模式以用于分别检测所述带电粒子和所述电将电位施加至多个像素元件中的控制电极和集电极，所述多个所述方法在多个分辨率模式下检测辐射，每个分辨率4[0002]本申请要求于2022年8月4日递交的欧洲申请22188821.7和2022年10月24日递交衬底或其它对象/材料的表面的检查和/或测量的评估是在其制造期间和/或之后的重要过[0005]已知本文中称为评估系统的评估工具使用带电粒子束评估可以被称为样本或衬[0009]用于改变检测器的分辨率以提供多分辨率能力的已知方法是使检测器的像素可5[0010]检测器可以被配置成使得对检测器照射的辐射在像素中像素的合并的模式下。高功率消耗可以例如由于需要所有像素主动地促进检测过程而引在产生电荷载流子的像素基底与收集那些电荷载流子的集电极之间限定相应的多个映射，[0016]本公开的上述和其它方面将从与随附附图结合获取的示例性实施例的描述变得6[0018]图2是图示为图1的示例性带电粒子束检查设备的部分的示例性多束设备的示意[0026]图10是示出被控制成在高分辨率模式下的图10的检测器的像素元件的示意性俯[0027]图11是示出被控制成在低分辨率模式下作为超像素操作的图10的像素元件的示[0028]图12描绘被控制成作为具有提供中间等电位的控制电极的较大超像素操作的像[0030]图14描绘被控制成作为具有提供中间等电位的控制电极和用于增加满井位能[0032]图16是示出可以如何使用串联布置的二极管来控制施加至控制电极的电压的示们仅是符合关于如所附权利要求中所列举的本发明的方面的设备和方能型手机的IC芯片可以包括超过20亿个晶体管，每个晶体管的大小小于人类毛发的1/骤可以指示形成在晶片上的层的数目为了获得75%的产率，每个单独的步骤必须具有大7束检查设备也可以称为带电粒子束评估系统或简称为评估系统。图1的带电粒子束检查设衬底或由（多种）其它材料制成的衬底）的衬底前开式传送盒（fro8以设置为图1的示例性带电粒子束检查系统100的部分。电子束设备40包括电子源201和带[0045]带电粒子装置230被配置成将初级电子束202转换成多个带电粒子束211、212、9[0050]图像获取器可以基于从检测器240接收的成像信号而获取样本208的一个或多个以包括在一时间段内被多次采样的样本208的单个成像区域的多个图像。可以将多个图像储存在储存器中。控制器50可以被配置成利用样本208的同一位置的多个图像来执行图像口期间收集的电子分布数据可以与入射到样本表面上的初级束211、212和213中的每个的[0052]控制器50可以控制致动平台209以在对样本208的检查期间移动样本208，例如以提供平台相对于初级束的路径的扫描运动。控制器50可以使得致动平台209能够至少在样过椭圆形状的阵列示意性地描绘透镜阵列。每个椭圆形状表示透镜阵列中的透镜中的一[0054]电子源201朝向形成带电粒子装置230的部分的聚光透镜231的阵列引导电子。电子源201期望地是具有亮度与总发射电流之间的良好折衷的高亮度热场发射器。可以存在[0056]阵列中的每个聚光透镜将电子引导至聚焦在对应的中间焦点233处的对应的束[0058]可选地，控制透镜阵列250设置在偏转器235与物镜阵列401之间。控制透镜阵列213的性质的额外自由度。控制透镜阵列250可以包括连接至对应的电位源的两个或更多个或控制传递至物镜的束能量，所述物镜中的每个将对应的束211、212、213引导至样本208板。[0061]图3的带电粒子装置41可以被配置成通过改变施加至控制透镜和物镜的电极的电会提供用于控制电子轨迹以例如聚焦二次电子以及入射束的额[0065]集成至物镜阵列401中的检测器的示例性实施例示出在图4中，图4以示意性截面[0067]可以提供电源以将对应的电位施加至控制透镜阵列250的控制透镜和物镜阵列应的多个带电粒子束聚焦至同一样本208的不同区上。阵列中的每个带电粒子装置可以从不同的对应的源201导出对应的多个带电粒子束。每个对应的源201可以是多个源201中的列中的带电粒子装置中的一个或多个可以被配置成[0070]图7示意性地描绘了带电粒子装置41的另一示例。与上文所描述的特征相同的特孔相关联的巨型电极。这样的束限制孔阵列和相关联的巨型电极也可以形成聚光透镜阵偏转器阵列95被配置成提供磁场和静电场。静电场和磁场一起操作以将投影至样本208的之间的荧光条带所述电子至光子转换器被定位在沿初级束路径的相对于维纳滤波器的器阵列朝向闪烁体阵列引导。电子至光子转换器可以光子方式联接至光子至电子转换器，的情况下，这些射线仅是覆盖包括量测目标结构T和其它特征的衬底区域的许多平行射线[0082]参考图9至图15描述示例检测器60。检测器60被配置成检测入射到检测器60上的以周期性地对跨电容器的电压进行采样且以例如一系列时间间隔（其可以被称为60的与集电极64和控制电极66所位于的一侧相反的一侧上照射至检测器60上（从图9的方测器60的集电极64和控制电极66所位于的一侧上。集电极和/或控制电极66可以由透明材模块中和/或与不同部件或模块相关联的一个或多个元件。控制系统70可以至少部分地被[0086]控制系统70控制经由对应的路由线71而被施加至控制电极66和集电极64的电定标准或输入数据表示使用检测器60的评估系统的状态[0087]通过控制电位来在产生电荷载流子的像素基底63与收集那些电荷载流子的集电率模式。低分辨率模式可以通过将像素元件分组成大小不同的超像素和/或以其它方式不以垂直于待检测的目标辐射对检测器60的平均入射方向。检测器60的平面垂直于图9中的[0095]内部路径66B可以包围包括用于收集来自超像素72的像素元件的电荷的集电极的元件62的像素基底63中所产生的电荷载流子66D和限定等电位的任何其它路径）以限定朝向一个或多个活性集电极64的电位梯度来增[0099]在一些实施例中，低分辨率模式的映射被配置成提供多个活性集电极64的N:1比率的区可以提供较低空间分辨率。在预期最关注的信息将位于由检多个周边区，其中中心区被配置成具有比一个或多个周边区中的一个或所有更高的分辨所关注的区可以对应于预期和/或出现目标辐射的较高通图14中所例示的。这提供良好空间填充且促进将像素元件62分组成大致圆形的超像素72。超像素72。这种六边形超像素72中的像素元件62的总数目将由居中的六边形数目的公式[0102]图15示意性地描绘对主动像素区域74中的三个超像素72的控制电极的电连接的而平滑地变化。任何期望的中间电压可以通过在适当的位置处从条带分支出电连接来获中间控制电极66C和66D的连接可以从不同的对应二极管对之间的串联二极管中的位置进操作除非跨二极管两端施加的电压具有正确的极性以及高于二极管78的最小阈值电压加1.5V会为控制电极66B和下一控制电极66D供电。将七个像素元件62合并以产生超像素[0108]根据上文所描述的实施例的检测器为改变分辨率和其它操作参数提供增强的灵所描述的形式中的任一形式或其它形式。光学测量系统可以呈上文参考图8所描述的形式测器60可以被配置成接收由于带电粒子装置用带电粒子曝光样本208而从样本208传播至块402的作用中的任一个。同一检测器60可以被配置成接收由于光学测量系统用电磁辐射并选择不同于第一分辨率模式的第二分辨率模式来检测电磁辐射。相较于第二分辨率模[0110]对可控制为以某种方式操纵带电粒子束的部件或部件的[0112]本文中所描述的电子光学装置可以呈沿束或多束路径以阵列形式布置的一系列本之前的束路径中的从束限制孔阵列至最后电子光学元件的所有电子光学元件可以是静可以由自包含单元或具有经由网络彼此连接的多个不同计算机的分布式计算系统所述像素基底被配置成使得目标辐射对所述像素基底的照射在所述像素基底中产生电荷[0121]2.根据方面1所述的检测器，其中[0123]4.根据方面3所述的检测器，其[0124]5.根据方面4所述的检测器，其中且每个超像素的所有所述像素基底中产生的电荷载流子仅由所述超像素的像素元件中的应的像素元件的所有集电极组成的多个集电[0126]7.根据方面6所述的检测器，其[0130]将不同于所述外部等电位的内部等电位施加至限定包围所述超像素的像素基底[0134]所述超像素的所述集电极的子集中的至少一个集电极比所述超像素的所有其它个集电极比所述超像素的所有其它集电极更接近[0140]16.根据方面15所述的检测器，其[0141]17.根据前述编号方面中任一项所述置成选择不同的分辨率模式以用于分别检测所述带电粒子和所述电磁[0155]所述分辨率模式包括第一分辨率模式和不同于所述第一分辨率模式的第二分辨[0159]25.根据方面22至24中任一项所及