CN119487453A 叠层体的制造方法及半导体元件的制造方法 （日产化学株式会社）

2024.12.31PCT/JP2023/0247422023.07.04WO2024/009993JA2024.01.11叠层体的制造方法及半导体元件的制造方法表面改性层前体与薄化液接触从而使上述表面改性层前体薄，获得膜厚5nm以下的表面改性层23.根据权利要求2所述的叠层体的制造方法，所述聚硅氧烷包含硅烷醇基的至少一部4.根据权利要求2所述的叠层体的制造方法，所述聚硅氧烷包含选自可以被卤原子取5.根据权利要求2所述的叠层体的制造方法，所述聚硅氧烷包含与硅原子结合并且具6.根据权利要求5所述的叠层体的制造方法，所述具有离子键的基团具有作为与硅原7.根据权利要求5所述的叠层体的制造方法，所述具有离子键的基团具有作为与硅原317.根据权利要求1所述的叠层体的制造方法，所述第2工序为通过在所述表面改性层前体旋转涂布薄化液从而使所述表面改性层前体薄，获得膜厚5nm以下的表面改性层的工18.根据权利要求1所述的叠层体的制造方法，所述第2工序为与RRC工序或EBR工序一在通过权利要求1～19中任一项所述的叠层体的制造方法而获得的叠层体上形成抗蚀21.一种叠层体，其具有半导体基板、和含有交联4决该问题，广泛研究了在抗蚀剂与半导体基板之间设置防反射膜(BottomAnti_包含具有吸光基(生色团)的聚合物的组合物形成的有机防反射膜进行了大量的研究(例5[0016]第1工序：将含有聚合物和溶剂的表面改性剂涂布在半导体基板上，然后进行烧进行了醇改性或进行了缩醛保护的聚硅氧烷6述表面改性层前体旋转涂布薄化液从而使上述表面改性层前体薄，获得膜厚5nm以下的表[0053]第1工序为将含有聚合物和溶剂的表面改性剂涂布在半导体基板上，然后进行烧[0054]第2工序为使表面改性层前体与薄化液接触从而使表面改性层前体薄，获得膜厚7[0061]通过本发明的叠层体的制造方法而获得的叠层体和本发明的叠层体适合被用于[0062]通过本发明的叠层体的制造方法而获得的叠层体和本发明的叠层体可以进一步8[0083]将表面改性剂涂布在半导体基板上后的烧成例如可以使用电热板等加热手段而[0095]作为聚合物，从可以良好地防止在EUV或电子射线光刻中抗蚀剂的图案倒塌的观[0097]聚硅氧烷可以包含硅烷醇基的一部分被改性了的改性聚硅氧烷例如硅烷醇基的物涉及的水解性硅烷可以包含一种或二种以上9[0104]如果聚硅氧烷包含这些结构，则可以更良好地防止在EUV或电子射线光刻中被形[0108]具有离子键的基团例如具有作为与硅原子结合的基团的阴离子性基、和阳离[0109]具有离子键的基团例如具有作为与硅原子结合的基团的阳离子性基、和阴离bc表示不具有水解性的1价有机基。如果在聚硅氧烷中与M单元和D单元的合计相比T单元的质量比例多，则可以提高表面改性[0144]R1一环连接芳香族烃化合物的氢原子除去一个而衍生的1价基中的任一者，其碳原子数没有特[0160]烷氧基烷基、烷氧基芳基、和烷氧基芳烷基分别为被1个以上烷氧基取代了的烷丙氧基和1乙基2甲基正丙氧基等。[0187]R2一[0190]芳烷基氧基为从芳烷基醇的羟基除去氢原子而衍生的1价基，作为芳烷基氧基中[0195]式(1)所示的水解性硅烷的具体例一γ环氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、γ环氧丙氧基丁基三乙氧基硅烷、δ环氧丙氧基丁基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ环氧丙氧基丙基甲基二丙氧基硅烷、γ环氧丙氧基丙基甲基二丁氧基硅烷、γ环氧丙氧基丙基甲基二苯氧基硅烷、γ环氧丙氧基丙基乙基二甲氧基硅烷、γ环氧丙氧基丙基乙基二乙氧基硅烷、γ[0220]作为聚硅氧烷，可以举出与式(1)所示的水解性硅烷和/或式(2)所示的水解性硅[0223]期待分子内具有基的硅烷化合物可以有效果并且有效率地促进水解性硅烷的和A4彼此独立地表示下述式(J1)～式(J3)的任一者所示的n1为8时构成12元环。2选自0或从1到在单环或多环上能够取代的最大数的整数。[0245]式(S1)所示的杂芳香族环状铵基的结合键存在于在这样的单环或稠环上存在的[0250]作为具有式(S1)所示的杂芳香族环状铵基的式(3)所示的硅烷化合物(水解性有[0254]此外在其它一例中，作为式(3)中的与硅原子和A8彼此独立地表示下述式(J4)～式(J6)的任一者所示的5[0263]在m3为1的情况下，形成包含A5～A7的(4+n2)元环与包含A8的6元环稠合而成的稠R15可以在除A5～A8中的环构成原子以外的环构成原子上进行取代。[0266]式(S2)所示的杂脂肪族环状铵基的结合键存在于在这样的单环或稠环上存在的[0268]作为具有式(S2)所示的杂脂肪族环状铵基的式(3)所示的硅烷化合物(水解性有[0271]在进一步其它一例中，作为式(3)中的与硅原子结合的基团的R11可以为下述式[0276]作为具有式(S3)所示的链状铵基的式(3)所示的硅烷化合物(水解性有机硅烷)的[0279]__具有砜基或磺酰胺基的硅烷化合[0284]__分子内具有环状脲骨架的硅烷化合[0285]作为分子内具有环状脲骨架的水解性有机硅烷，可举出例如下述式(4_1)所示的甲基丙烯酰基的有机基、具有巯基的有机基或具有氰基的有机基、或它们的2种以上的组[0297]亚烷基为将烷基的氢原子进一步除去一个而衍生的2价基，可以为直链状、支链[0300]羟基亚烷基为上述亚烷基的氢原子的至少1个被置换为羟基的基团，作为其具体[0301]在式(42)中，X401彼此独立地表示下述式(4并且下述式(44)和式(45)[0300]羟基亚烷基为上述亚烷基的氢原子的至少1个被置换为羟基的基团，作为其具体[0301]在式(42)中，X401彼此独立地表示下述式(4并且下述式(44)和式(45)中的酮基的碳原子与式(42)中的R405结合的氮原和具有环氧基或磺酰基的有机基的具体例和适合的碳原子数等可举出与关于R1而上述的相同的。此外具有磺酰基的有机基的具体例和适合的碳原子数等可举出与关于R404而上述[0305]在将所得的叠层体用于EUV或电子射线光刻的情况下，从再现性好地实现优异的[0306]式(41)所示的水解性有机硅烷可以使用市售品，也可以通过国际公开第2011/[0316]此外由水解性硅烷的水解缩合物构成的聚硅氧烷与醇的脱水反应物可以通过在[0321]缩合物所具有的硅烷醇基的缩醛保护使用乙烯基醚，可以使用例如下述式(5)所[0331]作为水解性硅烷的水解缩合物(也能够包含改性物)的聚硅氧烷可以使其重均分[0332]需要说明的是，重均分子量为由GPC分析得到的利用聚苯乙烯换算而获得的分子[0333]水解性硅烷的水解缩合物通过将上述硅烷化合物(水解性硅烷)进行水解和缩合[0350]这样操作而获得的水解缩合物可以作为在有机溶剂中溶解的聚硅氧烷清漆的形包含于表面改性剂的其它成分溶解/混合的溶剂就可以没物中形成盐的物质(在添加时作为别的化合物而被添加，在体系内形成盐的物质)的任一的芳基、或苄基等碳原子数7～18的芳烷基。阴离子(Y_)可以举出氯离子(Cl_)、溴离子_醇根(_[0392]式(D_5)的化合物为由以皮考啉等为代表的取代吡啶衍生的季铵盐磺物能够作为市售品而获得，可举出例如卤化四正丁基卤化四正丙基卤化三乙基苄基等卤化三烷基苄基卤化三苯基甲基卤化三苯基乙基等卤化三苯基单烷基卤化三苯基苄基卤化四苯基卤化三甲苯基单芳基或卤化三三苯基乙基等卤化三苯基单烷基卤化三苯基苄基鳞等卤化三苯基单芳基鳞、卤化三甲苯基单苯基等卤化三甲苯基单芳基卤化三甲苯基单甲基等卤化三甲苯基单烷基_醇根(_O_[0398]表面改性剂中的固化催化剂的含量相对于聚合[0412]表面改性剂中的胺和氢氧化物的含量没有特别限制，但相对于聚硅氧烷100质量些有机酸能够作为pH调节剂起作用。~20质量份。为1～200质量％的范围，从抑制组合物中的析出的观点等考虑，可以为例如100质量％以以上羧酸基的酸等。在使用pH调节剂的情况下的其添加量可以相对于聚合物100质量份为[0463]表面改性剂中的膜形成成分的浓度可以相对于该组合物的总质量为例如0.01~[0464]膜形成成分中的聚合物的含量通常为20质量100质量但从再现性好地获得本发明的效果的观点等考虑，其下限值优选为50质量更优选为60质量更加优选为[0470]第2工序为通过使表面改性层前体与薄化液接触从而使表面改性层前体薄，获得选为通过在表面改性层前体旋转涂布薄化液从而使表面改性层前体薄，获得膜厚5nm以下γ丁内酯等。[0502]本发明的半导体元件的制造方法包含在通过本发明的叠层体的制造方法而获得通过利用周知的方法，即，在表面改性层上涂布涂布型抗蚀剂材料(抗蚀剂膜形成用组合料的碱溶解速度上升的低分子化合物和碱溶性粘合剂和光产酸剂构成的化学放大型光致分解而使光致抗蚀剂材料的碱溶解速度上升的低分子化合物和光产酸剂构成的化学放大子射线光刻用抗蚀剂膜(也称为电子射线抗蚀剂具有通过酸进行分解而使碱溶解速度变化的基团的粘合剂和通过酸进行分解而使抗蚀剂通过电子射线被切断而使碱溶解速度变化的部位的粘合剂构成的非化学放大型抗蚀剂材了光致抗蚀剂材料的情况同样地形成抗蚀剂膜的图抗蚀剂材料、聚羟基苯乙烯树脂系抗蚀剂材料和甲基丙烯酸酯/聚羟基苯乙烯的混合树脂[0514]作为金属氧化物抗蚀剂材料，可举出例如，日本特开2019_113855号公报所记载[0516]含有金属的抗蚀剂的其它一例可举出日本特开2011一253185号公报、WO2015/出涂布作为含有金属的抗蚀剂的涂布型抗蚀剂材料(含有金属的抗蚀剂膜形成用组合物)2017116923号公报的内容以与全部被明示了同等的程度被并入到本说明书中。需要说明[0527]以抗蚀剂膜(上层)的图案作为保护膜进行的表面改性层的除去(图案化)例如通烷(CF4[0529]以被图案化了的表面改性层作为保护膜进行的(半导体)基板的加工(图案化)优[0532]表面改性层的干蚀刻如在图案化中举出地那样优选采用[0538]在本发明中使用的聚硅氧烷的分子量为由GPC分析得到的以聚苯乙烯换算而获得[0549]表面改性层的膜厚如以下那样操作而测定了。预先，在测定了被形成于基板的边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.01M硝酸水溶[0554]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0555]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0558]将二烯丙基异氰脲酸酯基丙基三乙氧基硅烷35.65g和丙二醇单乙基醚53.48g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝[0560]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0561]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了1M硝酸水[0566]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0567]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0570]将硫氰酸酯丙基三乙氧基硅烷3357g和丙二醇单甲基醚乙酸酯5036g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝[0572]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单甲基醚乙酸酯，以丙二醇单甲基醚乙酸酯[0573]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子基醚52.33g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边[0578]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0579]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0582]将4_甲氧基苄基三甲氧基硅烷3311g和丙二醇单乙基醚4966g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝酸水溶液[0584]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0585]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0588]将苯基磺酰丙基三乙氧基硅烷3492g[0588]将苯基磺酰丙基三乙氧基硅烷3492g和丙二醇单乙基醚5237g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝酸水溶液[0590]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0591]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0594]将4_甲氧基苯基磺酰丙基三乙氧基硅烷3527g和丙二醇单乙基醚5291g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝[0596]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0597]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0600]将苯基磺酰酰胺丙基三乙氧基硅烷3510g和丙二醇单乙基醚5265g加入到300mL[0600]将苯基磺酰酰胺丙基三乙氧基硅烷3510g和丙二醇单乙基醚5265g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝酸水溶液[0602]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0603]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0606]将4_甲氧基苯基磺酰酰胺丙基三乙氧基硅烷35.41g和丙二醇单乙基醚53.12g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝[0608]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0609]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0612]将对硝基苯甲酰胺丙基三乙氧基硅烷3521g[0612]将对硝基苯甲酰胺丙基三乙氧基硅烷3521g和丙二醇单乙基醚5281g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝[0614]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0615]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0618]将五氟苯基甲基三乙氧基硅烷[0618]将五氟苯基甲基三乙氧基硅烷3489g和丙二醇单甲基醚乙酸酯5233g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝[0621]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0624]将碘丙基三甲氧基硅烷34.07g和丙二醇单乙基醚51.11g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝[0626]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0627]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0630]将琥珀酸酐丙基三乙氧基硅烷3431g和丙二醇单乙基醚5147g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝酸水溶液[0632]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0633]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0636]将缩水甘油基氧基丙基三甲氧基硅烷3296g和丙二醇单乙基醚4944g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了1M硝酸水溶[0638]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0639]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0642]将巯基丙基三甲氧基硅烷31.25g和丙二醇单乙基醚46.88g加入到300mL的烧瓶[0644]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0645]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0648]将羟基甲基三乙氧基硅烷31.75g和丙二醇单乙基醚47.63g加入到300mL的烧瓶[0650]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0651]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0654]将甲基氨基丙基三甲氧基硅烷32.92g和丙二醇单乙基醚49.37g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝酸水溶液[0656]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0657]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0660]将氰基乙基三乙氧基硅烷[0660]将氰基乙基三乙氧基硅烷3246g和丙二醇单乙基醚4870g加入到300mL的烧瓶[0662]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0663]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0666]将甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷33.25g和丙二醇单乙基醚49.87g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝[0668]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0669]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子51.44g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌[0674]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0675]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子醇单乙基醚50.55g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅[0680]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0681]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子醇单乙基醚51.17g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅[0686]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0687]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子单乙基醚50.35g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌[0692]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0693]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝酸[0698]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0699]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅拌一边滴加了0.1M硝酸[0704]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0705]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子[0708]将(3[0708]将(3三乙氧基甲硅烷基)丙基琥珀酸酐1669g、二苯基碘2羧酸盐177丙二醇单乙基醚51.70g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进[0710]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算而成为20质量％的方式进行浓度调整，利用尼龙制过滤[0711]所得的聚合物包含含有下述式所示的结构的聚硅氧烷，由GPC得到的其重均分子醇单乙基醚50.35g加入到300mL的烧瓶中，一边将所得的混合溶液利用电磁搅拌器进行搅[0716]在所得的溶液中进一步加入丙二醇单乙基醚，以丙二醇单乙基醚100％的溶剂比率计以140℃下的固体残留物换算