模拟电子技术

本项目引入：（1）示例常用电子器件，（2）示例电子技术应用场合，（3）交流电源、直流电源，相互转换。重点、难点学习目的

要知道：N型和P型半导体的区别、PN结的导电特性、硅和锗二极管阈值电压和正向导通电压值、温度对二极管特性和参数的影响、常用特种二极管以及倍压整流使用要点。会计算：用等效电路法计算二极管电路参数；单相桥式整流电路、单相桥式整流电容滤波电路的输出电压、输出电流。会画出：单相桥式整流电容滤波电路、二极管限幅电路的输出波形。会确定：选用二极管、滤波电容、变压器所依据的主要参数。会分析：单相桥式整流电容滤波电路中故障原因。会判断：用万用表判断二极管管脚极性和质量好坏。学习目的

半导体二极管第

1

章1.1

半导体的基础知识一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结第一章半导体二极管微观世界对器件理解很重要－自主学习第一章半导体二极管

常用的导体一般为银、铜、铝等物体；绝缘体为橡胶、塑料、胶木等；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

用来制造半导体器件的材料主要是硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。

半导体材料进行特殊加工，使其成为性能可控，即可用来制造构成电子电路的基本元件—半导体器件。

自然界中的物质根据导电能力的不同分为导体、绝缘体和半导体。一、本征半导体本征半导体

—纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子—自由运动的带电粒子。半导体中的载流子有两种，自由电子和空穴。共价键—相邻原子共有价电子所形成的束缚。+4+4+4+4硅(锗)的原子结构Si284Ge28184简化模型+4硅(锗)的共价键结构价电子自由电子(束缚电子)空穴空穴空穴可在共价键内移动第一章半导体二极管本征激发：复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。漂移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。第一章半导体二极管两种载流子电子(自由电子)空穴两种载流子的运动自由电子(在共价键以外)的运动空穴(在共价键以内)的运动

结论：1.本征半导体中电子和空穴成对出现，且数量少；

2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；

3.本征半导体导电能力弱，并与温度有关。第一章半导体二极管二、杂质半导体－重组家庭小孩自由散漫程度高（一）N型半导体N型+5+4+4+4+4+4磷原子自由电子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数

电子数

在本征半导体中掺入微量杂质元素，掺杂后的半导体称为杂质半导体。可分为N型半导体和P型半导体。施主离子施主原子第一章半导体二极管受主离子+3+4+4+4+4+4（二）P型半导体P型空穴硼原子空穴—

多子电子—

少子载流子数

空穴数受主原子注意:

杂质半导体中载流子虽有多少之分，由于还有不能移动的杂质离子，因而整个半导体仍呈电中性。第一章半导体二极管ＰＮ结1.理解器件原理的基础（微观理论模型）；2.实用上记结论、凭经验。三、

PN结（一）PN结的形成1.载流子的浓度差引起多子的扩散2.复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层)

空间电荷区特点:无载流子，阻止扩散进行，利于少子的漂移。3.扩散和漂移达到动态平衡扩散电流等于漂移电流，

总电流I=0。内建电场第一章半导体二极管（二）PN结的单向导电性1.外加正向电压(正向偏置)P区N区内电场+

UR外电场外电场使多子向PN结移动,中和部分离子使空间电荷区变窄。IF限流电阻扩散运动加强形成正向电流IF。IF=I多子

I少子

I多子2.外加反向电压(反向偏置)P

区N

区

+UR内电场外电场外电场使少子背离PN结移动，空间电荷区变宽。IRPN结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;

反偏截止，电阻很大，电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流IRIR=I少子

0第一章半导体二极管1.2

半导体二极管的特性及主要参数一、二极管的结构与符号二、二极管的伏安特性三、二极管的主要参数四、二极管电路的分析方法第一章半导体二极管一、半导体二极管的结构构成：PN结+引线+管壳=二极管符号：VD分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型点接触型正极引线触丝N型锗片外壳负极引线负极引线

面接触型N型锗PN结

正极引线铝合金小球底座金锑合金平面型正极

引线负极

引线集成电路中平面型PNP型支持衬底第一章半导体二极管二、二极管的伏安特性OuV/ViV/mA正向特性Uth死区电压iV

=0Uth=

0.5V

0.1V(硅管)(锗管)U

UthiV急剧上升0

U

Uth

Uth

=(0.6

0.8)V硅管0.7V(0.1

0.3)V锗管0.2V反向特性IRUBR反向击穿UBR

U

0iV=IR<0.1

A(硅)

几十

A(锗)U<

UBR反向电流急剧增大(反向击穿)第一章半导体二极管反向击穿类型：电击穿热击穿特别注意：

温度对二极管的特性有显著影响。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。变化规律是：在室温附近，温度每升高1℃，正向压降约减小2～2.5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。—PN结未损坏，断电即恢复。—PN结烧毁。第一章半导体二极管温度对二极管特性的影响604020–0.0200.4–25–50IV

/mAUV/V20C80CT

升高时，UV(th)以(2

2.5)mV/

C下降第一章半导体二极管硅管的伏安特性锗管的伏安特性604020–0.02–0.0400.40.8–25–50IV

/mAUV/VIV

/mAUV

/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.020第一章半导体二极管三、二极管的主要参数1.

IF—

最大整流电流(最大正向平均电流)2.

URM—

最高反向工作电压，为UBR/23.

IR

—

反向饱和电流(越小单向导电性越好)IVUVU(BR)IFURMO4.

fM—

最高工作频率(超过时单向导电性变差)第一章半导体二极管影响工作频率的原因—PN结的电容效应

结论：1.低频时，因结电容很小，对PN结影响很小。高频时，因容抗减小，使结电容分流，导致单向导电性变差。2.结面积小时结电容小，工作频率高。第一章半导体二极管四、二极管电路的分析方法1、理想模型特性uViV符号及等效模型SS2、恒压降模型uViVUthuv=Uth0.7V(Si)0.2V(Ge)Uth3、二极管的折线近似模型uvivUth

U

I斜率1/rDrvUth第一章半导体二极管4、小信号模型如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q（此时有。

如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q附近工作，则可把伏安特性看成一条直线，其斜率的倒数就是所求的小信号模型的微变电阻。

univ等效电路模型伏安特性第一章半导体二极管1.2.3二极管的应用电路一、整流电路二、钳位电路三、限幅电路四、元器件保护电路第一章半导体二极管一、整流电路所谓整流，就是将交流电变成脉动直流电。单相半波整流桥式全波整流二、钳位电路

钳位电路是指能把一个周期信号转变为单向的（只有正向或只有负向）或叠加在某一直流电平上，而不改变它的波形的电路。

第一章半导体二极管及应用正钳位电路输出波形输入波形OO第一章半导体二极管三、限幅电路

当输入信号电压在一定范围内变化时,输出电压随输入电压相应变化；而当输入电压超出该范围时,输出电压保持不变,这就是限幅电路。

上限幅下限幅上限幅电路下限幅电路第一章半导体二极管OOOOE=0V时0<E<UmV时-Um<E<0V时OO第一章半导体二极管四、元器件保护电路

在电子电路中常用二极管来保护其他元器件免受过高电压损害的电路。第一章半导体二极管1.2.4

特殊二极管一、稳压二极管二、发光二极管三、光敏二极管四、变容二极管五、激光二极管第一章半导体二极管一、稳压二极管（一）伏安特性符号iZ/mAuZ/VO

UZ

IZmin

IZmax

UZ

IZ

IZ（二）主要参数1.

稳定电压UZ

流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。2.稳定电流IZ

越大稳压效果越好，小于IZmin时不稳压。3.动态电阻rZ几

几十

rZ=

UZ/

IZ

越小稳压效果越好。4.

最大工作电流IZM和最大耗散功率PZMPZM=UZIZmax第一章半导体二极管5.稳定电压温度系数一般，UZ<4V，稳压管具有负温度系数；UZ>7V，稳压管具有正温度系数；4V<UZ<7V，温度系数很小。aa是表示温度每变化1oC时稳压值的变化量。第一章半导体二极管【例】

分析简单稳压电路的工作原理;已知稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA,负载电阻RL=600Ω,计算限流电阻R的取值范围。UIUORRLILIRIZIR=IZ+ILUO=UI

–IRR当UI波动时(RL不变)当RL变化时(UI不变)反之,也可维持UO稳定

。第一章半导体二极管为保证稳压管正常工作，无论如何都要满足IZmin＜IZ＜IZmax即：则有：经整理可得

：对于限流电阻R的取值必须满足：

Rmin＜R＜Rmax

第一章半导体二极管二、发光二极管1.符号和特性符号u/Vi

/mAO2工作条件：正向偏置一般工作电流几十mA，导通电压(1

2)V。2.发光类型：可见光：红、黄、绿不可见光：红外光特别注意:

发光二极管的导通压降大于1V，一般红色发光二极管约为1.6～1.8V，黄色约为2.0～2.2V，绿色约为2.2～2.4V，工作时必须串接限流电阻。第一章半导体二极管第一章半导体二极管三、光电二极管符号uiO暗电流E=200lxE=400lx特性工作条件：反向偏置2.主要参数:暗电流，光电流，最高工作范围光学参数：光谱范围，灵敏度，峰值波长等实物照片四、变容二极管

变容二极管是利用PN结反偏时势垒电容大小随外加电压而变化的特性制成的。它主要用在高频电路中作自动调谐、调频、调相等。第一章半导体二极管1.2.5

二极管的检测及判断一、型号二、检测1、管脚2、好坏3、机械、数字万用表第一章半导体二极管1.3整流和滤波电路学习要点单相桥式整流电路的分析滤波电路的分析稳压电路的分析与设计开关稳压电源的分析与设计直流稳压电源电路结构电源变压器：将交流电网电压u1变为适合负载的交流电压u2。整流电路：将正弦交流电压u2变为单方向的脉动直流电压u3。滤波电路：将u3的高次谐波滤除后得到平滑性较好的纹波电压u4。稳压电路：使输出电压基本不受电网波动及负载变化的影响，从

而保持输出直流电压Uo具有较高的稳定。

电源变压器将交流电网220V的电压变为所需要的交流电压值，然后通过整流电路将交流电压变成单方向的脉动直流电压，通过滤波电路进一步减小其脉动成分，使输出电压波形变得平滑。经过整流和滤波后，交流电变成了直流电，通过稳压电路自动维持输出直流电压的稳定。2026/10/11一、二极管整流电路将交流电压变换成脉动的直流电压单相半波整流电路

u2正半周，二极管VD导通，忽略管压降时，输出电压UO等于u2。VDIOTRLUOu2u1u2ωt0uoωt0u2

u2负半周，二极管VD反偏截止，UO等于0。电路实现了半波整流。2026/10/11单相半波整流电路2026/10/111、单相半波整流电路流过整流二极管的平均电流：二极管承受的反向峰值电为：适用场合：

常用于整流电流较小、对脉动要求不高的电子仪器和家用电器中。电路特点：结构简单，输出电流适中；输出电压脉动较大，整流效率低。输出电压平均值：2026/10/112026/10/112、单相桥式整流电路由四个二极管构成的单相桥式整流电路VD3VD1VD2VD4RLTuiuituo tuo实际工程应用中通常采用简化的单相整流桥电路图u2uo2026/10/112026/10/11流过整流二极管的平均电流：二极管承受的反向峰值电为：适用场合：

广泛应用于机床控制电路、自动控制电路和各种家用电器中。电路特点：输出电压较高；脉动成分减小，电路的整流效率提高。输出电压平均值：2026/10/11二、滤波电路1.电路组成桥式整流电容滤波电路及其波形2026/10/11桥式整流电容滤波电路结构特点：较大电解电容与负载RL相并联。输出电压的平均值UO(AV)≈1.2U2。2026/10/11电容滤波电路－工作原理

电容滤波电路利用了电容“通交流阻直流”的特点，将电容C与负载并联后，整流后的脉动直流电中大部分交流成分就会从电容上通过，而只有直流成分和少量交流成分从负载上经过，从而使得负载上的电压、电流变得平滑。电容滤波电路如图所示。2.工作原理1）不接RL的情况2）接负载RL的情况3）特点2026/10/11工作原理－对比实验u2上升且大于电容的极间电压uc时，u2对电容C进行充电，uo=uc

u2u2下降且小于电容电压时，二极管承受反向电压而截止。电容C通过RL放电，uc按指数规律下降。

为使滤波效果良好，一般取电路中的时间常数:T是u2的周期，即：此时：2026/10/112026/10/11当负载开路时，时间常数τ趋近无穷大，输出：3.二极管承受的反向峰值电压：2.流过二极管的瞬时电流很大。

RLC越大

UO(AV)越大

负载电流IO(AV)越大;

整流二极管对电流呈现的动态电阻越小通过二极管的峰值电流就越大。正常情况下：电路特点：1.输出电压平均值UO(AV)的大小取决于时间常数RLC。RLC值愈大

电容器放电愈慢

UO(AV)值愈大。取RLC≥(3~5)T/2时，适用场合：通常用于负载电压较高，负载变动不大的场合。2026/10/112．电感滤波的特点（1）桥式整流输出电压的平均值为（2）电感L与负载RL串联组成分压电路，L越大或RL越小，输出电压和电流的脉动越小，滤波效果越好。（3）由于电感上感生电动势总是阻止回路中电流的变化，延长了二极管在一个周期内的导通时间，增大了二极管的导通角。3其他滤波电路

如果电路对电源的平滑度要求比较高，仅使用电容滤波和电感滤波电路就不能满足要求，这时候可采用多个元件组成复式滤波电路。如图所示为电感L和电容C共同构成的LC滤波电路。3.主要参数1）输出电压平均值UO3）电容器的选择2）二极管的选择4.整流变压器的选择由负载RL上的直流平均电压UO与变压器的关系

UO≈1.2U2得出：在实际应用中,考虑到二极管正向压降及电网电压的波动，变压器副边的电压值应超出计算值的10%。变压器副边电流I2一般取(1.1~1.3)IL。2026/10/11整流的作用主要是什么？主要采用什么元件实现？最常用的整流电路是哪一种？思考与练习滤波电路的主要作用是什么？滤波电路的最重要元件是什么？什么是直流稳压电源，由哪几部分组成？2026/10/111.3.4晶闸管及可控整流电路（选学）1.晶闸管结构、原理、参数、应用2.晶闸管可控整流电路示例一、晶闸管的外型和结构晶闸管的外形图

晶闸管的结构、符号二、伏安特性示例：单相可控整流电路

一、阻性负载单相桥式半控整流电路

单相桥式半控整流电路及波形图1、直流稳压电源的组成1.4稳压电路2、稳压电路在直流稳压电源中的作用克服电源波动及负荷的变化，使输出直流电压恒定不变。3.稳压电路在直流稳压电源中的要求（1）稳定性好（2）输出电阻小（3）电压温度系数小（4）输出电压纹波小2026/10/114、并联型稳压电路电路组成结构特点：电路因二极管与负载并联而称为并联型稳压电路，也称为硅稳压管稳压电路。图中电阻R为限流电阻，用来限制通过稳压二极管VZ的电流，起限流保护作用。2026/10/112026/10/11①

Ui不变，RL减小②RL不变，Ui

升高保证了输出基本不变！结构简单，使用元件少，但稳压值不可调节。只适用于电压固定、负载电流小的电路。工作原理保证了输出基本不变！电路特点：2026/10/112026/10/115、串联型稳压电路取样电路：取出输出的部分回送至误差放大器与基准电压比较；各部分功能结构组成：基准电压：误差放大器与基准电压比较后形成一个差值输入；误差放大器：将反馈误差输入量放大后送到调整管VT的基极。调整管：随误差信号的变化进行调整，维持输出的稳定。2026/10/112026/10/11电路组成：2026/10/112026/10/116、开关型直流稳压电路结构特点：开关稳压电路的调整管工作在开关状态，依靠调节其导通时间实现稳压，具有管耗低、效率高(一般可达80%~90%)，稳压范围较宽的突出特点。适用场合：广泛应用于计算机、电视机以及对稳压精度要求不太高的场合做为直流供电电源。2026/10/112026/10/117、集成稳压器结构特点：集成稳压器硅片内部包括串联型稳压电路和保护电路，具有体积小、可靠性高，使用灵活、价格低廉等优点。两大系列：W7800系列—稳定正电压W7805输出+5VW7809输出+9VW7812输出+12VW7815输出+15VW7900系列—稳定负电压W7905输出-5V2026/10/112026/10/111）固定输出的集成三端稳压器两表中所示为固定输出的集成三端稳压器的常用规格。2026/10/112026/10/11固定输出的集成三端稳压器产品外形：电路图符号：连接时芯片引脚不能接错！2026/10/112026/10/112）可调输出三端集成稳压器产品外形

示意图电路结构组成2026/10/112026/10/11输入滤波电容C1起抵消电路的电感效应和滤除输入线上干扰脉冲的作用，通常取0.33μF；C2是为了减小R2两端纹波电压而设置的，一般取10μF；C3是为防止负载呈感性时可能出现的阻尼振荡，通常取值1μF。VD1和VD2是保护二极管，可选用整流二极管2CZ52。电路输出电压：电阻R1不能选得过大，以防止输出太低，一般选择R1=100～120Ω。2026/10/111.5直流稳压电源的制作参考实验实训手册上节课重点1、直流电源稳压的必要性2、集成稳压器结构、性能、应用电路学习目的要知道：三极管管型、符号、三极管各电极电流关系、处于放大状态三极管各电极电位的关系、三极管处于放大、饱和、截止三种状态的条件。会确定：三极管放大电路三种组态；三极管在电路中的放大、饱和、截止状态；由三个电极电位关系确定三极管管型。会使用：三极管和光电耦合器。（场效应管作为选学内容处理）2.1半导体三极管（学习要点）2.1.1三极管的结构及分类－重点2.1.2三极管的放大作用－电流关系是重点2.1.3三极管特性曲线－工作状态及条件是重点2.1.4三极管的主要参数2.1.5三极管的检测及管脚判断项目2三极管和场效应管晶体管20世纪最伟大的发明，号称“三条腿的魔术师”，几乎所有电子技术电路需要。2.1.1三极管的结构及分类

三极管是由两个PN结、三个杂质半导体区域组成的，根据区域排列次序可分为NPN型和PNP型两大类。二极管控制电流方向，三极管控制控制电流间相互关系管是基础，路是主体。

一、晶体管的结构和符号－

重点多子浓度高多子浓度很低，且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。小功率管中功率管大功率管为什么有孔？三极管三个区域，其作用不同，因而在制作时每个区的掺杂及面积均不相同。基区很薄，掺杂浓度低，一般仅有1微米至几十微米厚；发射区掺杂浓度高，因而多数载流子浓度也很高；集电结截面积要大于发射结截面积。三极管的这种内部结构特点，是三极管能够起电流放大作用的内部条件。因应用电路多样晶体管号称三个脚的魔术师主要用作开关和放大2.1.2三极管的放大作用1.三极管放大的外部条件

三极管要实现放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。对于NPN型管，从电位的角度来看，三个电极间的电位关系为UC﹥UB﹥UE；而PNP型管，极性正好相反，即UE﹥UB﹥UC。2.三极管的内部载流子的作用及放大原理NPN型三极管内部载流子运动规律主要有以下几个过程。

晶体管的放大原理

扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散双极型半导体三极管的实物图金属封装小功率管

塑封小功率管

塑封大功率管金属封装大功率管（二）工作原理三极管放大的条件（内因、外因或外部条件）－重点内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏外加电源与管子的连接方式NPN型管的连接方式（自查资料）PNP型管的连接方式三极管内部载流子的传输过程(以NPN型为例)1)

在VBB提供的正偏电压作用下,发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流

IE。ICN多数向BC结方向扩散形成ICN。IE少数与空穴复合，形成IBN。IBNI

CBOIBIC2)电子到达基区后(基区空穴运动因浓度低而忽略)ICN≈ICIBN≈IB基区空穴来源基极电源提供(IB)集电区少子漂移(ICBO)IB三个电极的电流关系:IE=IC+IB直流电流放大系数:电流分配：

IE＝IB＋IC

IE－扩散运动形成的电流

IB－复合运动形成的电流

IC－漂移运动形成的电流穿透电流集电结反向电流直流电流放大系数交流电流放大系数为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？三极管控制电流关系－重点二极管控制电流方向，三极管控制控制电流间相互关系三、晶体管的共射输入特性和输出特性－重点为什么UCE增大曲线右移？

对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性？为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？1.输入特性2.输出特性β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下?对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。

为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？饱和区放大区截止区晶体管的三个工作区域

晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB，即可将输出回路等效为电流iB

控制的电流源iC

。状态uBEiCuCE截止＜UonICEOVCC放大≥UonβiB≥uBE饱和≥Uon＜βiB≤uBE三极管工作状态及条件－实用（电压表判断）放大：发射结正偏，集电结反偏。饱和：发射结正偏，集电结正偏。截止：发射结反偏，集电结反偏。（三）温度对三极管特性曲线的影响1.温度升高，输入特性曲线向左移。温度每升高1

C，UBE

(22.5)mV。温度每升高10

C，ICBO

约增大1倍。2.温度升高，输出特性曲线向上移。OT1T2>iCuCET1iB=0T2>iB=0iB=0温度每升高1

C，

(0.51)%。输出特性曲线间距增大。O五、主要参数（数据手册－设计选用）

直流参数：、、ICBO、ICEOc-e间击穿电压最大集电极电流最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE安全工作区

交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）

极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO三、三极管的主要参数1、电流放大系数（1）共发射极电流放大系数iC

/mAuCE

/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321—直流电流放大系数

—交流电流放大系数一般为几十

几百（2）共基极电流放大系数

1一般在0.98以上。

Q2、极间反向饱和电流CB极间反向饱和电流

ICBO，CE极间反向饱和电流ICEO。3、极限参数1.ICM

—集电极最大允许电流，超过时

值明显降低。U(BR)CBO

—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。2.PCM—集电极最大允许功率损耗PC=iC

uCE。3.U(BR)CEO—基极开路时C、E极间反向击穿电压。U(BR)EBO—集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。U(BR)CBO>U(BR)CEO>U(BR)EBOiCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区四、光电三极管

光电三极管的工作原理是将光照后产生的电信号又进行了放大，用光的强度来控制集电极电流的大小。

符号：ce六、光电三极管光电三极管依据光照强度控制集电极电流的大小，其功能等效为一只光电二极管与一只晶体管相连，并仅引出集电极和发射极讨论1由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO

、β。2.7uCE=1V时的iC就是ICMU（BR）CEO讨论2：三极管数据手册获得方法？2.2场效应管－了解二、结型场效晶体管三、场效晶体管的主要参数一、MOS场效应晶体管场效应管属于单极性（单一载流子）晶体管，其功能类似三极管；其为电压控制型，性能优于三极管。一般了解。（一）N沟道增强型MOS场效应晶体管一、MOS场效应晶体管（IGFET）1.结构与符号P型衬底(掺杂浓度低)N+N+用扩散的方法制作两个N区在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层SD用金属铝引出源极S和漏极DG在绝缘层上喷金属铝引出栅极GB耗尽层S—源极SourceG—栅极GateD—漏极DrainSGDB2.工作原理（1）uGS

对iD的控制作用a.当uGS=0

，D、S间为两个背对背的PN结；b.当0<uGS<UT(开启电压)时，G、B间的垂直电场吸引

P区中电子形成离子区(耗尽层)；c.当uGS

UT

时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道。uGS

越大沟道越厚。反型层(沟道)(2)uDS

对

iD的影响(uGS>UT)

D、S间的电位差使沟道呈楔形，uDS

，靠近漏极端的沟道厚度变薄。预夹断(UGD=

UT)：漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：uDS

iD

。预夹断发生之后：uDS

iD不变。3.特性曲线2464321uGS/ViD/mAUDS=10VUT当uGS>UT时：uGS=2UT时的

iD值输出特性曲线可变电阻区uDS<uGS

UTuDS

iD

，直到预夹断饱和(放大区)uDS

，iD

不变

uDS加在耗尽层上，沟道电阻不变截止区uGS

UT

全夹断iD=0

开启电压iD/mAuDS/VuGS=2V4V6V8V截止区

饱和区可变电阻区放大区恒流区OO转移特性曲线（二）N沟道耗尽型MOS场效应晶体管SGDBSio2

绝缘层中掺入正离子在uGS=0时已形成沟道；在DS间加正电压时形成iD，uGS

UP（夹断电压）

时，全夹断。输出特性uGS/ViD/mA转移特性IDSSUP夹断电压饱和漏极电流当uGS

UP

时，uDS/ViD/mAuGS=0.4V0.2V0V0.2VOO学习目的要知道：三种组态放大电路的特点和适用场合及输出与输入相位关系；放大电路的动态指标。静态、动态、直流通路、交流通路、非线性失真等基本概念。会计算：三种基本放大电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。（项目3学习）会画出：典型的固定偏流共射基本放大电路、分压式工作点稳定电路、共集基本放大电路以及它们的直流通路、交流通路、交流微变等效电路。引入：放大的概念与放大电路

的性能指标一、放大的概念二、放大电路的性能指标一、放大的概念放大的对象：变化量放大的本质：能量的控制放大的特征：功率放大放大的基本要求：不失真——放大的前提判断电路能否放大的基本出发点VCC至少一路直流电源供电二、性能指标1.放大倍数：输出量与输入量之比电压放大倍数是最常被研究和测试的参数信号源信号源内阻输入电压输入电流输出电压输出电流对信号而言，任何放大电路均可看成二端口网络。2.输入电阻和输出电阻

将输出等效成有内阻的电压源，内阻就是输出电阻。空载时输出电压有效值带RL时的输出电压有效值输入电压与输入电流有效值之比。从输入端看进去的等效电阻3.通频带4.最大不失真输出电压Uom：交流有效值。

由于电容、电感及放大管PN结的电容效应，使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降，并产生相移。衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。下限频率上限频率5.最大输出功率Pom和效率η：功率放大电路的参数3.1共发射极放大电路一、电路的组成及各元件的作用二、设置静态工作点的必要性三、波形分析四、放大电路的组成原则放大电路的组成一、电路的组成及各元件的作用VBB、Rb：使UBE＞Uon，且有合适的IB。VCC：使UCE≥UBE，同时作为负载的能源。Rc：将ΔiC转换成ΔuCE(uo)。动态信号作用时：

输入电压ui为零时，晶体管各极的电流、b-e间的电压、管压降称为静态工作点Q，记作IBQ、ICQ（IEQ）、UBEQ、UCEQ。共射二、设置静态工作点的必要性

输出电压必然失真！

设置合适的静态工作点，首先要解决失真问题，但Q点几乎影响着所有的动态参数！

为什么放大的对象是动态信号，却要晶体管在信号为零时有合适的直流电流和极间电压？2026/10/11关于静态工作点相关问题的归纳如果不设置静态工作点，输入的交流信号就无法全部通过放大电路，造成传输过程中信号严重的截止失真；所以放大电路中必须设置静态工作点。设置静态工作点，就是要保证放大电路的稳定性，让正常传输和放大的信号全部通过放大电路时，不允许产生任何失真。采用分压式偏置的共射放大电路，可以实现正常传输时保证信号不失真的原则，其中的射极电阻RE和射极滤波电容CE起到了至关重要的作用。必要性设置原则方法无输入静态分析交直共存显然，放大电路内部各电流、电压都是交直流共存。2026/10/11

放大电路的工作原理ui输入微弱小信号IB基极载波ib信号电流iB晶体管输入电流iC晶体管输出电流uCE晶体管输出电压uo输出大信号阻容耦合放大电路

耦合电容的容量应足够大，即对于交流信号近似为短路。其作用是“隔离直流、通过交流”。静态时，C1、C2上电压？动态时，C1、C2为耦合电容！＋－UBEQ－＋UCEQuBE＝uI＋UBEQ，信号驮载在静态之上。负载上只有交流信号。§3.1.2放大电路的分析方法一、放大电路的直流通路和交流通路二、图解法三、等效电路法放大电路指标：输入电阻放大电路指标：输出电阻一、放大电路的直流通路和交流通路1.直流通路：①

Us=0，保留Rs；②电容开路；③电感相当于短路（线圈电阻近似为0）。2.交流通路：①大容量电容相当于短路；②直流电源相当于短路（内阻为0）。

通常，放大电路中直流电源的作用和交流信号的作用共存，这使得电路的分析复杂化。为简化分析，将它们分开作用，引入直流通路和交流通路的概念。基本共射放大电路的直流通路和交流通路

列晶体管输入、输出回路方程，将UBEQ作为已知条件硅0.6~0.8，锗0.1~0.2，令ICQ＝βIBQ，可估算出静态工作点。

VBB越大，UBEQ取不同的值所引起的IBQ的误差越小。当VCC>>UBEQ时，已知：VCC＝12V，Rb＝600kΩ，Rc＝3kΩ，β＝100。Q＝？直流通路阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路二、图解法－了解即可输入回路负载线QIBQUBEQIBQQICQUCEQ负载线1.静态分析：图解二元方程2.电压放大倍数的分析斜率不变3.失真分析截止失真消除方法：增大VBB，即向上平移输入回路负载线。截止失真是在输入回路首先产生失真！减小Rb能消除截止失真吗？饱和失真消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β，减小VBB，增大VCC。Rb↑或β↓或VBB↓Rc↓或VCC↑：饱和失真是输出回路产生失真。最大不失真输出电压Uom

：比较UCEQ与（VCC－UCEQ

），取其小者，除以。这可不是好办法！讨论一1.用NPN型晶体管组成一个在本节课中未见过的共射放大电路。2.用PNP型晶体管组成一个共射放大电路。画出图示电路的直流通路和交流通路。2.晶体管的等效模型（交流等效模型）在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络，输入回路、输出回路各为一个端口。低频小信号模型3.放大电路的动态分析放大电路的交流等效电路2026/10/11放大电路的动态分析动态分析中的几个问题动静分离。放大电路的动态分析不需考虑直流静态工作点，只需考虑交流信号对放大电路的影响。即：仅在交流信号作用下的状态称为动态。动态分析就是找出放大电路的性能指标，以确定放大电路在工程中的适用场合。静态分析是在直流通道上进行，动态分析必须在交流通道中进行，交流通道中放大电路的直流电源取零值，所有电容按交流短路处理。动态目的交流通道阻容耦合共射放大电路的动态分析输入电阻中不应含有Rs!输出电阻中不应含有RL!2.空载和带载两种情况下Uom分别为多少？在图示电路中，有无可能在空载时输出电压失真，而带上负载后这种失真消除？增强电压放大能力的方法？讨论二

已知ICQ＝2mA，UCES＝0.7V。

1.在空载情况下，当输入信号增大时，电路首先出现饱和失真还是截止失真？若带负载的情况下呢？讨论三：基本共射放大电路的静态分析和动态分析QIBQ≈35μAUBEQ≈0.65V

为什么用图解法求解IBQ和UBEQ？讨论四：阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析3.2静态工作点稳定放大电路一、温度对静态工作点的影响二、静态工作点稳定的典型电路三、稳定静态工作点的方法2026/10/11关于静态工作点相关问题的归纳如果不设置静态工作点，输入的交流信号就无法全部通过放大电路，造成传输过程中信号严重的截止失真；所以放大电路中必须设置静态工作点。设置静态工作点，就是要保证放大电路的稳定性，让正常传输和放大的信号全部通过放大电路时，不允许产生任何失真。采用分压式偏置的共射放大电路，可以实现正常传输时保证信号不失真的原则，其中的射极电阻RE和射极滤波电容CE起到了至关重要的作用。必要性设置原则方法一、温度对静态工作点的影响

所谓Q点稳定，是指ICQ和UCEQ在温度变化时基本不变，这是靠IBQ的变化得来的。

若温度升高时要Q’回到Q，则只有减小IBQT（℃）→β↑→ICQ↑→Q’ICEO↑若UBEQ不变IBQ↑Q’二、静态工作点稳定的典型电路

直流通路？Ce为旁路电容，在交流通路中可视为短路1.电路组成2.稳定原理

为了稳定Q点，通常I1>>IB，即I1≈I2；因此基本不随温度变化。设UBEQ＝UBE＋ΔUBE，若UBQ－UBE>>ΔUBE，则IEQ稳定。Re的作用T(℃)↑→IC↑→UE↑→UBE↓（UB基本不变）→IB↓→IC↓Re起直流负反馈作用，其值越大，反馈越强，Q点越稳定。关于反馈的一些概念：将输出量通过一定的方式引回输入回路影响输入量的措施称为反馈。直流通路中的反馈称为直流反馈。反馈的结果使输出量的变化减小的称为负反馈，反之称为正反馈。Re有上限值吗？IC通过Re转换为ΔUE影响UBE温度升高IC增大，反馈的结果使之减小Re太大，会使晶体管进入饱和区3.

Q点分析分压式电流负反馈工作点稳定电路4.动态分析利?弊?无旁路电容Ce时：如何提高电压放大能力？三、稳定静态工作点的方法引入直流负反馈温度补偿：利用对温度敏感的元件，在温度变化时直接影响输入回路。例如，Rb1或Rb2采用热敏电阻。它们的温度系数？讨论一图示电路中是否采用了措施来稳定静态工作点？若采用了措施，则是什么措施？3.3射极输出器一、基本共集放大电路二、基本共基放大电路（选学）三、三种接法放大电路的比较一、基本共集放大电路1.静态分析2.动态分析：电压放大倍数故称之为射极跟随器Uo＜Ui2.动态分析：输入电阻的分析Ri与负载有关！RL带负载电阻后从基极看Re，被增大到（1+β）倍2.动态分析：输出电阻的分析Ro与信号源内阻有关！3.特点：输入电阻大，输出电阻小；只放大电流，不放大电压；在一定条件下有电压跟随作用！

令Us为零，保留Rs，在输出端加Uo，产生Io,。从射极看基极回路电阻，被减小到（1+β）倍二、基本共基放大电路1.静态分析2.动态分析3.特点：输入电阻小，频带宽！只放大电压，不放大电流！三、三种接法的比较：空载情况下

接法共射共集共基

Au大

小于1

大

Aiβ1＋βαRi

中

大

小

Ro

大

小

大频带窄中宽复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。

不同类型的管子复合后，其类型决定于T1管。目的：增大β，减小前级驱动电流，改变管子的类型。iB方向决定复合管的类型复合管讨论：判断下列各图是否能组成复合管

在合适的外加电压下，每只管子的电流都有合适的通路，才能组成复合管。3.4多级放大电路一、多级放大电路的耦合方式二、多级放大电路的动态分析一、直接耦合既是第一级的集电极电阻，又是第二级的基极电阻

能够放大变化缓慢的信号，便于集成化，Q点相互影响，存在零点漂移现象。

当输入信号为零时，前级由温度变化所引起的电流、电位的变化会逐级放大。第二级第一级Q1合适吗？直接连接输入为零，输出产生变化的现象称为零点漂移求解Q点时应按各回路列多元一次方程，然后解方程组。NPN型管和PNP型管混合使用

在用NPN型管组成N级共射放大电路，由于UCQi＞UBQi，所以UCQi＞UCQ(i-1）（i=1～N），以致于后级集电极电位接近电源电压，Q点不合适。UCQ1

（UBQ2）

＞UBQ1UCQ2＜

UCQ1

UCQ1

（UBQ2）

＞UBQ1UCQ2＞

UCQ1

二、阻容耦合

Q点相互独立。不能放大变化缓慢的信号，低频特性差，不能集成化。共射电路共集电路有零点漂移吗？

利用电容连接信号源与放大电路、放大电路的前后级、放大电路与负载，为阻容耦合。

可能是实际的负载，也可能是下级放大电路三、变压器耦合

理想变压器情况下，负载上获得的功率等于原边消耗的功率。从变压器原边看到的等效电阻特点：工作点相互独立、低频特性差、笨重、不能集成四、动态参数分析1.电压放大倍数2.输入电阻3.输出电阻

对电压放大电路的要求：Ri大，Ro小，Au的数值大，最大不失真输出电压大。五、分析举例3.5差动放大电路

3.5.1工作原理

3.5.2核心指标分析

3.5.3输入-输出方式一、零点漂移现象及其产生的原因1.什么是零点漂移现象：ΔuI＝0，ΔuO≠0的现象。产生原因：温度变化，直流电源波动，元器件老化。其中晶体管的特性对温度敏感是主要原因，故也称零漂为温漂。克服温漂的方法：引入直流负反馈，温度补偿。典型电路：差分放大电路零点漂移零输入零输出理想对称二、差分放大电路的组成信号特点？能否放大？共模信号：大小相等，极性相同。差模信号：大小相等，极性相反.信号特点？能否放大？三、差分放大电路的分析

Rb是必要的吗？1.

Q点：晶体管输入回路方程：通常，Rb较小，且IBQ很小，故选合适的VEE和Re就可得合适的Q2.抑制共模信号

共模信号：数值相等、极性相同的输入信号，即2.抑制共模信号：Re的共模负反馈作用Re的共模负反馈作用：温度变化所引起的变化等效为共模信号对于每一边电路，Re=?如

T(℃)↑→IC1↑IC2↑→UE↑→IB1↓IB2↓→IC1↓IC2↓抑制了每只差分管集电极电流、电位的变化。3.放大差模信号△iE1=－△iE2，Re中电流不变，即Re

对差模信号无反馈作用。差模信号：数值相等，极性相反的输入信号，即＋－＋－为什么？差模信号作用时的动态分析差模放大倍数4.动态参数：Ad、Ri、Ro、Ac、KCMR

共模抑制比KCMR：综合考察差分放大电路放大差模信号的能力和抑制共模信号的能力。

在实际应用时，信号源需要有“接地”点，以避免干扰；或负载需要有“接地”点，以安全工作。

根据信号源和负载的接地情况，差分放大电路有四种接法：双端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入双端输出、单端输入单端输出。四、差分放大电路的四种接法

由于输入回路没有变化，所以IEQ、IBQ、ICQ与双端输出时一样。但是UCEQ1≠UCEQ2。1.双端输入单端输出：Q点分析1.双端输入单端输出：差模信号作用下的分析1.双端输入单端输出：共模信号作用下的分析1.双端输入单端输出：问题讨论（1）T2的Rc可以短路吗？（2）什么情况下Ad为“＋”？（3）双端输出时的Ad是单端输出时的2倍吗？2.单端输入双端输出共模输入电压差模输入电压

输入差模信号的同时总是伴随着共模信号输入：

在输入信号作用下发射极的电位变化吗？说明什么？2.单端输入双端输出问题讨论：（1）UOQ产生的原因？（2）如何减小共模输出电压？测试:差模输出共模输出静态时的值3.四种接法的比较：电路参数理想对称条件下输入方式：Ri均为2(Rb+rbe)；双端输入时无共模信号输入，单端输入时有共模信号输入。输出方式：Q点、Ad、Ac、KCMR、Ro均与之有关。五、具有恒流源的差分放大电路

Re越大，每一边的漂移越小，共模负反馈越强，单端输出时的Ac越小，KCMR越大，差分放大电路的性能越好。但为使静态电流不变，Re越大，VEE越大，以至于Re太大就不合理了。

需在低电源条件下，设置合适的IEQ，并得到得到趋于无穷大的Re。解决方法：采用电流源取代Re！具有恒流源差分放大电路的组成等效电阻为无穷大近似为恒流1)RW取值应大些？还是小些？2)RW对动态参数的影响？3)若RW滑动端在中点，写出Ad、Ri的表达式。六、差分放大电路的改进1.加调零电位器

RW2.场效应管差分放大电路3.6场效晶体管放大电路一、静态分析二、动态分析1.分压式自偏压电路调整电阻的大小，可获得：UGSQ>0UGSQ=0UGSQ<0RL+VDDRDC2CS+++uo

C1+ui

RG2RSGSDRG1RG3一、静态分析三种组态：共源、共漏、共栅特点：输入电阻极高，噪声低，热稳定性好

2.自给偏压电路+VDDRDC2CS+++uo

C1+ui

RGRSGSD二、动态分析

1.小信号等效模型GDSG+-rDSDSUGS.gmUGS.ID.N沟道增强型MOS管小信号等效模型3.7放大电路的频率响应二、三极管的混合π模型三、单级共射放大电路的频率特性一、频率响应的有关概念一、频率响应的有关概念附加相移：正常情况下，需要放大的信号在电路的输入端和输出端之间存在确定的相位变化关系，这种相位变化是由于放大电路本身的“组态”形式决定的，如共射电路，但这里有一个前提条件：输入与输出阻抗为纯阻性质。但随着信号频率的升高，电路的分布电容和分布电感以及管子极间电容的影响不能忽略不计了，输入与输出阻抗的这种纯阻性质就发生了变化，信号在输入端和输出端都会由于电抗的影响而发生相位移动。这种不是由于电路组态造成的相位移动，称为附加相移。即放大倍数是信号频率函数幅频特性：电压放大倍数的幅度大小和频率之间的关系,称为幅频特性

相频特性：电压放大倍数的幅角大小和频率之间的关系,称为幅频特性

二、高通电路和低通电路2.低通电路:信号频率越低，输出电压越接近输入电压。

使输出电压幅值下降到70.7%，相位为±45º的信号频率为截止频率。1.高通电路:信号频率越高，输出电压越接近输入电压。1.模型的建立：由结构而建立，形状像Π，参数量纲各不相同。

gm为跨导，它不随信号频率的变化而变。阻值小阻值大连接了输入回路和输出回路三、混合π模型ππ2.

晶体管简化的高频等效电路＝发射结电容四、单管共射放大电路的频率响应适用于信号频率从0～∞的交流等效电路中频段：C短路，开路。低频段：考虑C的影响，开路。高频段：考虑的影响，C短路。3.8放大电路的应用示例－参考实验实训手册二、电路原理三、安装、调试一、引入项目4集成运算放大器和反馈§4.1集成电路简介§4.2集成运算放大器§4.3放大电路中的反馈学习要求1.理解集成运算放大器的结构、技术指标、特点、工作区域和传输特征曲线。2.理解反馈的概念、分类、组态、判断方法、负反馈对放大电路性能的影响。重点难点：反馈的概念、负反馈对放大电路性能的影响。4.1集成电路简介1.概况集成电路是是采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。4.1集成电路简介2．集成电路分类集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路；根据集成电路功能不同，集成电路可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类，模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号，其输入信号和输出信号成比例关系，称为线性集成电路。4.1集成电路简介3.集成电路型号命名方法。4.集成电路管脚的辨别方法

运算放大电路是一种具有高放大倍数的直接耦合放大器。在发展初期,运算放大器主要用于模拟电子计算机中的数学运算,故称为运算放大器。从电子技术的发展到集成电路的出现,形成了集成运算放大器,简称集成运放。随着集成工艺的不断发展,集成运放的技术指标也在不断提高,而且应用范围也越来越广泛,集成运放除了用于数学运算,还广泛应用于仪器仪表等电子设备及自动化系统中。集成运算放大电路概况一、集成运放的特点（1）直接耦合方式，充分利用管子性能良好的一致性采用差分放大电路和电流源电路。（2）用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路的复杂化并不带来工艺的复杂性。（3）用有源元件替代无源元件，如用晶体管取代难于制作的大电阻。（4）采用复合管。

集成运算放大电路，简称集成运放，是一个高性能的直接耦合多级放大电路。因首先用于信号的运算，故而得名。4.2集成运算放大器二、集成运放电路的组成两个输入端一个输出端

若将集成运放看成为一个“黑盒子”，则可等效为一个双端输入、单端输出的差分放大电路。集成运放电路四个组成部分的作用输入级：前置级，多采用差分放大电路。要求Ri大，Ad大，

Ac小，输入端耐压高。中间级：主放大级，多采用共射放大电路。要求有足够的放大能力。输出级：功率级，多采用准互补输出级。要求Ro小，最大不失真输出电压尽可能大。偏置电路：为各级放大电路设置合适的静态工作点。采用电流源电路。几代产品中输入级的变化最大！三、集成运放的电压传输特性

由于Aod高达几十万倍，所以集成运放工作在线性区时的最大输入电压(uP－uN)的数值仅为几十～一百多微伏。在线性区：uO＝Aod(uP－uN)

Aod是开环差模放大倍数。非线性区

(uP－uN)的数值大于一定值时，集成运放的输出不是＋UOM

,

就是－UOM，即集成运放工作在非线性区。uO=f(uP-uN)四、集成运放的主要性能指标

指标参数F007典型值理想值开环差模增益Aod106dB∞差模输入电阻rid2MΩ∞共模抑制比KCMR90dB∞输入失调电压UIO1mV

0UIO的温漂dUIO/dT(℃)几μV/℃0输入失调电流IIO(│IB1-IB2│)

20nA0UIO的温漂dUIO/dT(℃)几nA/℃0最大共模输入电压UIcmax±13V最大差模输入电压UIdmax±30V-3dB带宽fH10Hz∞转换速率SR(=duO/dt│max)0.5V/μS

∞20lg│Aod│使uO为0在输入端所加的补偿电压超过此值不能正常放大差模信号超过此值输入级放大管击穿五、集成运放的理想化模型1.理想集成运放的各项技术指标为：

（1）开环差模电压放大倍数Aod

；

（2）输入电阻rid

；

（3）输出电阻ro

0；

（4）共模抑制比KCMRR

；

（5）通频带BW

。（6）没有失调现象，即当输入信号为零时，输出信号也为零

五、集成运放的理想化模型2.理想集成运放的工作特点：

（1）在线性区。因为，Aod

，因此u+=u-，即两输入端是等电位点，这种情况称为“虚短”；又由rid

可知，i+=i-=0，即输入端无电流输入，这种情况称为“虚断”。工作于线性区的运放的主要作用是放大和运算，“虚短”和“虚断”两个推论是分析电路的依据。（2）在非线性区。因为输入电阻rid

，因此i+=i-=0；但在非线性区电路处于饱和状态，由于

，不存在u+=u-

，即这时理想运放只有“虚断”特点，没有“虚短”的结论，而且当u+>u-时，uo=+UOM；当u+<u-时，uo=-UOM；u+=u-为+UOM

与-UOM转折点。工作于非线性区时，集成运放主要作电压比较器使用。

反馈基本要求会判：判断电路中有无反馈及反馈的性质会算：估算深度负反馈条件下的放大倍数会引：根据需求引入合适的反馈会判振消振：判断电路是否能稳定工作，会消除自激振荡。负反馈概况

反馈是改善放大电路性能的重要手段,也是自动控制系统中的重要环节,在实际应用电路中几乎都要引入各种各样的反馈。直流负反馈可以稳定电路的静态工作点,交流负反馈可以改善放大电路的性能。分压式射极偏置电路稳定静态工作点的措施就是为电路引入直流负反馈,大大提高了电路的稳定性。§4.3放大电路中的反馈一、反馈的基本概念二、交流负反馈的四种组态三、反馈的判断1.什么是反馈

放大电路输出量的一部分或全部通过一定的方式引回到输入回路，影响输入，称为反馈。一、反馈的基本概念