模拟电路重要元器件92

二极管的符号二极管的主要参数二

极

管二极管的特性二极管的检测半导体器件的命名方式半导体器件的命名方式第一部分数字字母字母(汉拼)数字字母(汉拼)

电极数材料和极性器件类型序号规格号2—二极管3—

三极管第二部分第三部分A—锗材料N型B—锗材料P型C—硅材料N型D—硅材料P型A—锗材料PNPB—锗材料NPNC—硅材料PNPD—硅材料NPNP—普通管W—稳压管Z—整流管K—开关管U—光电管X—低频小功率管G—高频小功率管D—低频大功率管A—高频大功率管第四部分第五部分例：

2CP2AP2CZ2CW

普通硅二极管普通锗二极管硅整流二极管硅稳压二极管二极管的一般符号

二极管的符号发光二极管

稳压二极管

光电二极管

变容二极管

隧道二极管

温度效应二极管

tº

双向击穿二极管

磁敏二极管

体效应二极管

双向二极管

交流开关二极管二极管的识别和检测1.目测判别极性2.用万用表检测二极管(1)

用指针式万用表检测。(2)

用数字式万用表检测。3.用万用表检测稳压二极管1.目测判别极性触丝半导体片2.用万用表检测二极管在R100或

R1k

挡测量红表笔是(表内电源)负极，黑表笔是(表内电源)正极。

正反向电阻各测量一次，测量时手不要接触引脚。(1)

用指针式万用表检测

一般硅管正向电阻为几千欧，锗管正向电阻为几百欧；反向电阻为几百千欧。正反向电阻相差不大为劣质管。正反向电阻都是无穷大或零则二极管内部断路或短路。1k

0

0

0

本页有动画设置，每点击鼠标，演示一步。(2)

用数字式万用表检测红表笔是(表内电源)正极，黑表笔是(表内电源)负极。2k20k200k2M20M200

在

挡进行测量，当PN结完好且正偏时，显示值为PN结两端的正向压降(V)。反偏时，显示。

本页有动画设置，每点击鼠标，演示一步。3.用万用表检测稳压二极管

稳压二极管的外型与普通二极管相似，极性判断方法与普通二极管相同。稳压值的判断：0~30V连续可调直流稳压电源v1.5k

被测管+-+-二极管的特性1.普通二极管的特性2.稳压二极管的特性3.发光二极管的特性4.光电二极管的特性5.变容二极管的特性604020–0.02–0.0400.40.8–25–50iD

/mAuD/ViD

/mAuD

/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.020硅二极管的特性锗二极管的特性604020–0.0200.4–25–50iD

/mAuD/V20C90C温度对二极管特性的影响iZ

/mAuZ/VO

UZ

IZmin

IZmax

UZ

IZ

IZ稳压二极管的特性工作条件：反向击穿发光二极管的特性u/Vi

/mAO2工作条件：正向偏置工作电流

:几毫安~几十毫安导通电压:(1

2)VuiO暗电流E=200lxE=400lx工作条件：

反向偏置光敏二极管的特性uCjOPN结势垒电位差变容指数突变结

1/2缓变结

1/3超突变结1/26工作条件：

反向偏置变容二极管的特性常用二极管的主要参数1.常用国产2AP系列检波二极管的主要参数

部分进口检波二极管的主要参数2.部分常用整流二极管的主要参数3.部分常用1N系列二极管的主要参数4.部分常用稳压二极管的主要参数5.部分常用开关二极管的主要参数

网上查询

http://www.szhaolin.com

http://www.stdxh.com

http://www.kgdz.com

http://www.changli.org

http：//型号反向电压最小正向电流/mA最小反向电流/

A平均整流电流/mA浪涌电流

/A最小正向电压/V1N346050.5500.511N34A6050.5500.511N6400.40.5500.30.51S347540.5300.311S34A7550.5300.31部分进口检波二极管主要参数三极管的常用主要参数三

极

管三极管的特性三极管的检测半导体器件的命名方式三极管的外型半导体器件的命名方式第一部分数字字母字母(汉拼)数字字母(汉拼)

电极数材料和极性器件类型序号规格号2—二极管3—

三极管第二部分第三部分A—锗材料N型B—锗材料P型C—硅材料N型D—硅材料P型A—锗材料PNPB—锗材料NPNC—硅材料PNPD—硅材料NPNP—普通管W—稳压管K—开关管Z—整流管U—光电管X—低频小功率管G—高频小功率管D—低频大功率管A—高频大功率管第四部分第五部分例：

3AX313DG12B3DD6PNP低频小功率锗三极管NPN高频小功率硅三极管NPN低频大功率硅三极管

3CG

3AD3DK

PNP高频小功率硅三极管PNP低频大功率锗三极管NPN硅开关三极管三极管的识别和检测1.三极管极性的判别2.三极管性能的检测(2)用指针式万用表判别极性(1)

用万用表的hFE挡检测

值(2)用晶体管图示仪或直流参数测试表检测

(略)(1)目测判别极性(3)用指针式万用表检测穿透电流的检测反向击穿电压的检测放大能力的检测目测判别三极管极性EBCECBEBCBECEBC

用指针式万用表判断三极管极性红表笔是(表内电源)负极黑表笔是(表内电源)正极基极B的判断：当黑（红）表笔接触某一极，红（黑）表笔分别接触另两个极时，万用表指示为低阻，则该极为基极，该管为NPN（PNP）。在R100或

R1k

挡测量测量时手不要接触引脚C、E极的判断：基极确定后，比较B与另外两个极间的正向电阻，较大者为发射极E，较小者为集电极C。用万用表的

hFE挡检测

值1.若有ADJ挡，先置于ADJ挡进行调零。拨到hFE挡。将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的插孔中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接出3根引线，再插入插孔）。从表头或显示屏读出该管的电流放大系数

。三极管放大能力的检测1k硅管：100k

锗管：20k

01k硅管：100k

锗管：20k

0PNPNPN指针偏转角度越大，则放大能力越强用万用表检测穿透电流ICEO通过测量C、E间的电阻来估计穿透电流

ICEO的大小。一般情况下，中、小功率锗管C、E间的电阻>10k

；大功率锗管C、E间的电阻>1.5k

；硅管C、E间的电阻>100k

（在R

10k

挡测量）。1k

01k

0检测反向击穿电压U(BR)CEO反向击穿电压低于50V的晶体管,可按图示电路检测。39k

5.1k

LED10~50VAB2SA1015

增大电源电压，当发光二极管LED亮时，A、B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。39k

5.1k

LED10~50VAB2SA1015三极管的特性iC

/mAuCE

/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321uBE/ViB/

AO输入特性输出特性三极管的参数1.常用国产高频小功率晶体管的主要参数部分进口高频小功率晶体管的主要参数2.部分国产高频中、大功率晶体管的主要参数部分进口高频中、大功率晶体管的主要参数3.部分国产低频小功率晶体管的主要参数部分进口中、低频小功率晶体管的主要参数5.常用国产低频大功率晶体管的主要参数6.常用国产小功率开关晶体管的主要参数7.部分高反压大功率开关晶体管的主要参数及封装形式部分进口中、低频大功率晶体管的主要参数8.常用大功率互补对管的主要参数常用中、小功率互补对管及其主要参数

网上查询http://www.szhaolin.comhttp://www.stdxh.comhttp://www.kgdz.comhttp://www.changli.orghttp：//部分三极管的外型半导体发光器件半导体光电器件发光器件类型LEDLCD光敏电阻光电耦合器光电二极管光电三极管光电器件显示器件的类型VFD

荧光显示器PDP等离子显示器ECD电致变色显示器EPD电泳显示器PLZT铁电陶瓷显示器LED

(LightEmittingdiode)

发光二极管LCD

(LiquidCrystalDisplay)液晶显示器LEDLED的类型按形状分：字段式、点式、光柱式、点阵式按发光颜色分：红、橙、黄、绿、双色、三色按发光强度分：普通亮度、高亮度LED数码管的类型

按连接方式分：共阴极、共阳极按显示位数分：一位、双位、多位LED的特性和参数LED极性的判别和检测LED数码管的检测点式LED字段式LED点阵式LED光柱式LEDLED的类型特性u/Vi

/mAO2工作条件：正向偏置工作电流

:几mA~几十mA导通电压:(1

2)VLED的特性和参数几种红色发光二极管的参数

极限参数

电参数

光参数

型号最大功率PM(mW)最大正向电流

(mA)

反向击

穿电压

(V)正向电流IF(mA)正向电压UF(V)反向电流IR(

A)结电容

(PF)发光主波波长(A)带宽

(A)光强分布角

(度)FG11200110050

10FG11210210050

5

20

2

100

1006500200

15FG1121043020

5FG11210510070

10从外观判别极性通电判别极性和好坏用万用表挡测量LED极性和好坏5V

LED极性的判别和检测将测量挡切换到R

10k,用万用表的LED的正、反向电阻，阻值偏小的的一次，黑表笔所接触的为正极。若两次测量的阻值均为

，则该LED已坏。What‘swrong？good！

f2g2

a2

b2

f1

a1

b1

e2

d2

c2

DIP2e1d2

g1

c1DIP1agdfbecgf

ab

ed

cDIPӨӨLED数码管的类型

abcdefgDIP共阳极ӨӨ

abcdefgDIP共阴极几种LED数码管的参数

型号起辉电流(mA)亮度(尼特)正向电压(V)反向耐压(V)波长范围(A)极限电流(mA)材料5EF31A

1

1500

155EF31B

1

30006600～

155EF32A

1.5

1500

2

5

6800

30

GaALAs5EF32B

1.5

3000

30

测试条件IF=1.5mAIF=10mAIR=50

A

IF=10mA

每段

LED数码显示器的检测：

1.极性判断

2.字段检测当极性确定后，用上述方法测试各字段，发光则表示字段完好。

agdfbecgfa

b

ed

cDIP数字万用表PN结档+

共阳极共阴极数字万用表PN结挡agdfbec

gfabed

cDIP+

数字万用表PN结挡LCD液晶显示器的结构原理上玻璃基板下玻璃基板上电极下电极上偏振片下偏振片反射板TN液晶材料封接胶透明电极引线透明电极引线透明玻璃注液晶口封接胶框各种液晶显示器液晶显示器的结构图

液晶是一种既具有液体流动性又有晶体光学特性的有机化合物，其透明度和颜色受外加电场的控制。黑白液晶显示器的结构：

将上、下两块具有透明电极的玻璃叠放（中间留有一定间隔），四周用封接胶封接。从注入口抽真空并注入液晶材料后密封。在玻璃的上下表面各贴上一片偏振方向相互垂直的偏振片，底部加反射板。当入射光通过上偏振片（其偏振方向与上电极面液晶分子排列方向相同）形成的偏振光射入液晶层时，其被液晶层扭转了90°，液晶盒为透明状态，可以看到反射板。当液晶盒上、下两电极间加上一定的交流电压时，电极部位的液晶分子在电场的作用下会转变成与上、下玻璃面垂直排列状态，液晶层失去旋光性，不能改变偏振光方向，因此看不到反射极，只能看到电极部位为黑色，而电极则可制成数字、字符或图形。液晶显示器的结构图各种液晶显示器液晶显示器的结构原理黑白液晶显示屏彩色液晶显示屏液晶显示器的结构图液晶显示器的结构原理各种液晶显示器光敏电阻器优点：对光敏感。无光照时呈高阻，光照时阻值随光强度变小。用途：照明控制、报警、相机自动曝光控制及测量仪器等。特性：电阻值随外界光照强度大小而变化。分类：按光谱特性分可见光光敏电阻紫外光光敏电阻红外光光敏电阻按制作材料分：多晶光敏电阻、单晶光敏电阻，或：

硫化铬CdS、硒化铬CdSe

、硫化铬CdS、硫化铅PbS、硒化铅PbSe、锑化铟InSb

主要参数：亮电阻RL、暗电阻RD、最高工作电压VM

、亮电流IL、暗电流ID、时间常数、温度系数灵敏度几种CdS光敏电阻的参数参数

型号光谱响应范围/

m峰值波长/

m允许功耗/mW最高工作电压/V响应时间

光电特性电阻温度系数/

/

C)(–20-60C)tr/mstf/ms暗电阻/M

光电阻(100lx)

/k

UR-74A0.4

0.80.5450100403010.7

1.2–0.2UR-74B0.4

0.80.5430502015101.2

4–0.2UR-74C0.5

0.90.5750100641000.5

2–0.5光电（光敏）二极管特性uiO暗电流E=200lxE=400lx工作条件：

反向偏置几种光敏二极管的参数

最高工作电压URM/V

暗电流

/

A

光电流

/

A

灵敏度

A/

W

峰值响应波长

/

m

响应时间(nS)

结电容

tr

tf

(pF)

无光照

U=URM100LX

U=URM波长0.9

m

U=URMRL=50

.U=10V

f=300Hz

U=URM

f

5MHz2CU1A10

0.2

802CU1B

1E20

502CU2A10

0.1

30

0.50.88

5

5082CU2B

2E20

502CU512

0.1

52CUL1

5

0.51.06

1

1

4参数和测试条件型号光电（光敏）三极管部分国产光敏三极管的参数测试项目允许功耗/mW最高工作电压

UCEM/V暗电流ID/

A光电流/mA峰值响应波长/

mICE=IDUCE=UCEM1000LXUCE=10V3DU1170

10

0.30.5～10.883DU1250

303DU13100

503DU14100

100

0.20.5～13DU2130

10

0.31～23DU2250

303DU23100

503DU3130

10

0.3

23DU3250

303DU33100

503DU5130

10

0.2

0.5发射极集电极基极发射极集电极等效电路符号VCCVCC基本应用电路光电耦合器件光电耦合器件分类光隔离器的几种类型二极管型三极管型达林顿型晶闸管驱动型发光器件光敏器件被测物体槽式光电耦合器示意图槽式光电耦合器实物图+

EC光隔离式光传感器光敏元件集成功能块点击不同的类型图可查询部分光隔离器的参数部分光电耦合器的参数（输入部分为发光二极管，光电二极管型）

参数和测试条件型号输入部分输出部分传输特性隔离特性正向压降VF/V反向电流IR/

A最大工作电流IFM/MA暗电流ID/

A最大反向工作电压URM/V反向击穿电压UBR/V传输比CTR（

）响应时间tr/ns响应时间tf/ns隔离阻抗/

输入输出耐压输入输出电容IF=10mAUR=5VU=URI=0.1

AI=1

AIF=10mAU=URUR=10VRL=50

f=300HZUR=10V直流/Vf=1MHZ/pF二极管CH201A

1.3

2050

0.180

1000.2

0.5

5

5010101000

1CH201B0.5

1CH201C1

2CH201D2

3部分光电耦合器的参数（输入部分为发光二极管，光电三极管型）

参数和测试

型号输入部分输出部分传输特性隔离特性正向压降UF/V反向电流IR/

A最大工作电流IFM/mA暗电流ICEO/

A击穿电压U(BR)CEO/V饱和压降UCE(SAT)/V传输比CTR（

）响应时间tr/

s响应时间tf/s隔离阻抗/

输入输出耐压输入输出电容光敏IF=10mAUR=5VUCE=10VICE=1

AIF=20mAIC=1mAIF=10mAUC=10VUCE=10VRL=50

IF=25mAf=100HZUR=10V直流(V)f=1MHZ(pF)三极管GH301

1.3

2050

0.1

15

0.410

150

3

s

3

s

10101000

1GH302

0.1

30

0.4GH303

0.1

50

0.4部分光电耦合器的参数（输入部分为发光二极管，达林顿型）参数和测试条件型号输入部分输出部分传输特性隔离特性正向压降UF/V反向电流IR(

A)最大工作电流IFM/mA暗电流ICEO/

A击穿电压U(BR)CEO/V饱和压降UCE(SAT）/V传输比CTR（

）响应时间tr/

s响应时间tf(

s)隔离阻抗(

)输入输出耐压输入输出电容IF=10mAUR=5VUCE=5VICE=50

AIF=10mAIC=10mAIF=5mAUC=5VUCE=10VRL=50

IF=10mA

=0.5mSUR=10V直流(V)f=1MHZ(pF)达林顿型GH331A

1.3

1040

1

15

1.5100

500

50

50

10101000

1GH331B

15GH332A

30GH332B

30

固定电容器

有机薄膜电容器铝电解电容器钽电解电容器微调电容器

可变电容器

云母微调电容器瓷介微调电容器薄膜微调电容器空气可变电容器薄膜可变电容器电容器的类型+无机介质电容器瓷介电容器独石电容器无机介质电容器有机薄膜电容器涤纶电容器聚苯乙烯电容器聚丙烯电容器云母电容器纸介电容器金属化纸介电容器瓷介电容器（CC）结构：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分1类电介质（NPO、CCG））；2类电介质（X7R、2X1）和3类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。特点：1

类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1000pF，常用的有CC1、CC2、CC18A、CC11、CCG等系列。用途：主要应用于高频电路中。特点：

2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高，容量大（最大可达0.47μF)、体积小、损耗和绝缘性能较1类的差。用途：广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。外型实例涤纶电容器（CL）优点：耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。用途：一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。结构：涤纶电容器，是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时，电容量变大）的无极性电容。外型实例聚苯乙烯电容器（CB）用途：一般应用于中、高频电路中。常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封型金属化）、CB80（高压型）、CB40（密封型金属化）等系列。结构：有箔式和金属化式两种类型。优点：箔式绝缘电阻大，介质损耗小，容量稳定，精度高，但体积大，耐热性教差；金属化式防潮性和稳定性较箔式好，且击穿后能自愈，但绝缘电阻偏低，高频特性差。外型实例聚丙烯电容器（CBB）结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。优点：损耗小，性能稳定，绝缘性好，容量大。外型实例用途：一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、CBB61等；金属化式聚丙烯电容：CBB20、CBB21、CBB401等系列。独石电容器优点：它具有性能可靠、耐高温、耐潮湿、容量大（容量范围1pF~1μF）、漏电流小等优点。缺点：工作电压低（耐压低于100V）。用途：广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。常用的有CT4（低频）、CT42（低频）；CC4（高频）、CC42（高频）等系列。结构：独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。外型实例云母电容器（CY）优点：稳定性好、分布电感小、精度高、损耗小、绝缘电阻大、温度特性及频率特性好、工作电压高（50V~7kV）等优点

。用途：一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。结构：云母电容器是采用云母作为介质，在云母表面喷一层金属膜（银）作为电极，按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳（或陶瓷、塑料外壳）内构成。外型实例纸介电容器（CZ）优点：电容量大（100pF~100μF）工作电压范围宽，最高耐压值可达6.3kV。缺点：体积大、容量精度低、损耗大、稳定性较差。常见有CZ11、CZ30、CZ31、CZ32、CZ40、CZ80等系列。结构：纸介电容器是用较薄的电容器专用纸作为介质，用铝箔或铅箔作为电极，经卷饶成型、浸渍后封装而成。外型实例金属化纸介电容器（CJ）外型实例结构：金属化纸介电容器采用真空蒸发技术，在涂有漆膜的纸上再蒸镀一层金属膜作为电极而成。优点：与普通纸介电容相比，体积小，容量大，击穿后能自愈能力强。常见有CJ10、CJ11等系列。铝电解电容器（CD）优点：容量范围大，一般为1~10000μF，额定工作电压范围为6.3V~450V。缺点：介质损耗、容量误差大（最大允许偏差+100%、–20%）耐高温性较差，存放时间长容易失效。结构：有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔（正极）和浸有电解液的衬垫纸，与阴极（负极）箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。用途：通常在直流电源电路或中、低频电路中起滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。注意:不能用于交流电源电路。在直流电源中作滤波电容使用时极性不能接反。外型实例钽电解电容器（CA）结构：有两种形式：1.箔式钽电解电容器内部采用卷绕芯子,负极为液体电解质，介质为氧化钽。型号有CA30、CA31、CA35、CAk35等系列。

2.钽粉烧结式阳极（正极）用颗粒很细的钽粉压块后烧结而成。封装形式有多种。型号有CA40、CA41、CA42、CA42H、CA49、CA70（无极性）等系列。优点：介质损耗小、频率特性好、耐高温、漏电流小。缺点：生产成本高、耐压低。用途：

广泛应用于通信、航天、军工及家用电器上各种中、低频电路和时间常数设置电路中。外型实例云母微调电容器（CY）优点：

电容量均可以反复调节。结构：云母微调电容器由定片和动片构成，定片为固定金属片，其表面贴有一层云母薄片作为介质，动片为具有弹性的铜片或铝片，通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离，来改变电容量。云母微调电容器有单微调和双微调之分。用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。外型实例单微调双微调瓷介微调电容器（CC）结构：瓷介微调电容器是用陶瓷作为介质。在动片（瓷片）与定片（瓷片）上均镀有半圆形的银层，通过旋转动片改变两银片之间的相对位置，即可改变电容量的大小。

优点：体积小，可反复调节，使用方便。

用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

外型实例薄膜微调电容器结构：

薄膜微调电容器是用有机塑料薄膜作为介质，即在动片与定片（动、定片均为半圆形金属片）之间加上有机塑料薄膜，调节动片上的螺钉，使动片旋转，即可改变容量。薄膜微调电容器一般分为双微调和四微调。有的密封双连或密封四连可变电容器上自带薄膜微调电容器，将微调电容器安装在外壳顶部，使用和调整就更方便了。优点：体积小，重量轻，可反复调节，使用方便。用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

外型实例双微调四微调空气可变电容器（CB）结构：

电极由两组金属片组成。一组为定片，一组为动片，动片与定片之间以空气作为介质。当转动动片使之全部旋进定片时，其电容量最大，反之，将动片全部旋出定片时，电容量最小。空气可变电容器有单连和双连之分（见外型图）。优点：调节方便、性能稳定、不易磨损。

缺点：

体积大。用途：应用于收音机、电子仪器、高频信号发生器、通信电子设备。

外型实例空气双连可变电容器薄膜可变电容器结构：薄膜可变电容器是在其动片与定片之间加上塑料薄膜作为介质，外壳为透明或半透明塑料封装，因此也称密封单连或密封双连和密封四连可变电容器。优点：

体积小、重量轻。缺点：

杂声大、易磨损。用途：单连主要用在简易收音机或电子仪器中；双连用在晶体管收音机和电子仪器、电子设备中；四连常用在AF/FM多波段收音机。四连

双连外型实例电容器主要参数的标注方法直标法数码标注法色标法如：1.2、10、100、1000、3300、6800等容量单位均为pF

0.1、0.22、0.47、0.01、0.022、0.047等容量单位均为μF普通电容：±5%（I，J）、±10%（II，k）、±20%（III，M）精密电容：±2%（G）、±1%（F）、±0.5%（D）、±0.25%（C）、

±0.1%（B）、±0.05%（W）直标法电解电容器或体积较大的无极性电容器:标称容量、额定电压及允许偏差。体积较小的无极性电容器:标称容量、额定电压及允许偏差。容量单位:

微法（μF）、納法(nF)、皮法（pF）如:1p2表示1.2pF;1n表示1000pF;10n表示0.01μF;2μ2表示

2.2μF;简略方式

(不标注容量单位):9999≥有效数字≥1时,容量单位为pF

；

有效数字＜1

时容量单位为μF。允许偏差：6.3V、10V、16V、25V、32V、50V、63V、100V、160V、250V、400V、450V、500V、630V、1000V、1200V、1500V、1600V、1800V、2000V等。额定电压：

数码标注法一般为三位数码表示电容器的容量，单位pF

。其中前两位数码为电容量的有效数字，第三位为倍乘数，但第三位倍乘数是9时表示×10

1。如：

101表示：10×101=100pF

102表示：10×102=1000pF

103表示：10×103=0.01μF104表示：10×104=0.1μF223表示：10×103=0.022μF474表示：10×104=0.47μF159表示：10×10–1=1.5pF数码标注法色标法：在电容器上标注色环或色点来表示电容量及允许偏差。

四环色标法：第一、二环表示有效数值，第三环表示倍乘数，第四环表示允许偏差（普通电容器）。

五环色标法：第一、二、三环表示有效数值，第四环表示倍乘数，第五环表示允许偏差（精密电容器）。色标法

如:棕、黑、橙、金表示其电容量为0.01μF，允许偏差为±5%

棕、黑、黑、红、棕表示其电容量为0.01μF，允许偏差为±1%色标电容器各种颜色所对应的数值及含义

色环颜色第一位数第二位数第三位数（倍乘数）

倍乘数（允许偏差）允许偏差棕111（101）101±1%红222（102）102±2%橙33

3（103）103—黄444（104）104—绿555（105）105±0.5%蓝666（106）106±0.25%紫777（107）107±0.1%灰888（108）108—白999（109）109(–20%~+50%)黑000