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文档简介
本公开提供一种半导体器件的信号测量方位置和第二位置分别设置第一针测点和第二针第一信号波形函数和第二针测点的第二信号波2分别获得所述第一针测点的第一信号波形函数和所述第二针测点的第二信号波形函递函数和所述预定频率确定所述晶粒焊垫处的数据信若所述预定频率处于所述第一频率区间,则根据所述第一传若所述预定频率处于所述第二频率区间,则根据所述第二传当所述晶粒焊垫的负载阻抗与所述走线的阻抗不匹配时,根据所述第一信号波形函粒焊垫的第二时间为所述数据信号从所述第一位置传输至所述晶粒焊垫的第一时间的两3转接板,所述走线从所述片上系统SOC依次经过所述PCB板和所述转接第一针测点和所述第二针测点均设置在所述转接信号测量设备,用于获得所述第一针测点与所述晶粒焊垫存储器,配置为存储一个或多个程序,当所述一个或多个程序被4[0004]本公开实施例提供了一种半导体器件的信号测量方法,半导体器件包括晶粒焊[0005]本公开实施例提供了一种半导体器件的信号测量装置,半导体器件包括晶粒焊[0006]本公开实施例提供了一种半导体器件的信号测量系统,半导体器件包括晶粒焊第二传递函数和预定频率获得晶粒焊垫处的数据机设备实现本公开任一实施例中的半导体器件的信5行时实现本公开任一实施例中的半导体器件的信第一针测点和第二针测点与半导体器件上的晶粒焊垫之间的第一传递函数和第二传递函构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实[0022]图1示出了相关技术中的一种半导体器件的信号测量系统PCB板500和转接板(interposer)200。这是因为半导体器件100中的diepad110是被封装(package)起来的,无法直接对diepad110进行针测。虽然半导体器件100有焊球120漏出6[0023]为了测量高速信号在diepad110处的波形,相关点210与该走线300连接的diepad110之间的传递函数H(f)sim。传递函数H(f)sim满足以下tp传输线)上的信号的幅值基本保持平稳且幅值的绝对值较大,因此利用上述公式(2)获得因此会导致晶粒焊垫处的测量结果的精度下降,使相关技术中的测量方法的应用场景受[0031]图5示出了晶粒焊垫的负载阻抗与走线的阻抗不匹配时的传递函数的示意图。如7半导体器件为半导体存储器件中的DRAM(DynamicRandomAccessMemory,动态随机存取存储器)或SDRAM(synchronousdynamicrandom_accessmemory,同步动态随机存取存储或多个晶粒焊垫。每个晶粒焊垫可以通过对应的走线从片上系统SOC接收预定频率的数据[0035]本公开实施例中的数据信号可以包括片上系统SOC发送给晶粒焊垫的DQ(data)第二位置分别设置第一针测点和第二针测点进行[0038]本公开实施例提供的方法可以由任意的计算机设备执行,例如片上系统SOC或者8tp2合数据信号的预定频率来判断采用第一信号波形函数和第一传递函数来获得晶粒焊垫处9离是指在该走线上从该第二针测点连接至对应晶粒点和第二针测点之间的材料与第一针测点与晶粒焊垫之间的材料不同导致数据信号在走测点传输至对应晶粒焊垫的传输速度与该数据信号从第一针测点传输至该晶粒焊垫的传[0069]在示例性实施例中,走线从片上系统SOC依次经过PCB板和转接板连接至晶粒焊各个晶粒焊垫的针测点,因此第一针测点和第二针测点设置在转接板的上表面未被SDRAM采用第二传递函数来获得晶粒焊垫处的数据信号波形函数,可以尽可能的减小测量误差,传递函数的示意图。如图8所示,基于图7所示的阻抗失配场景,假设预定频率范围为0_的数据信号波形函数。即根据各个针测点上对应的传递函数的大小划定不同的频率区间,不同的频率区间选择用不同的传递函数与对应的信号波形函数或第二信号波形函数)相乘得到该晶粒焊垫的负载处的数据信号波形函数,[0082]本公开实施例提供的半导体器件的信号测量系统的其他内容可以参考上述其他[0083]图9示出了本公开实施例中的半导体器件的信号测量装置的示意图。半导体器件号测量装置900可以包括获得单元910[0086]获得单元910还用于分别获得第一针测点的第一信号波形函数和第二针测点的第[0092]在示例性实施例中,走线从片上系统SOC依次经过PCB板和转接板连接至晶粒焊[0094]本公开实施例提供的半导体器件的信号测量装置的其他内容可以参考上述其他出接口1003提供指令和数据。存储器1002的一部分还可以包括非易失性随机存取存储器。机程序适于由该处理器加载并执行上述任一实施例中各个步骤所提供的半导体器件的信机设备执行上
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