CN119492923A 一种板上电容测试电路、电子设备和板上电容测试方法 （苏州元脑智能科技有限公司）

电阈值电压的对应关系控制充电通路和放电通待测电容充电的充电时间和充电阈值电压确定2所述充放电电路通过所述充电通路和所述放电通路与所述控制电路与所述充电通路的控制端和所述放电通向所述待测电容充电的充电时间和所述充电阈值电压确定所述待测电其中，所述恒流源电路的第一端与第一电源相连，所述恒流所述放电电路的第一端与所述放电通路第二端相连，所述放电电路的所述电流镜的第一端作为所述恒流源电路的第一端与所述第一电源相所述检测电路的第一端与所述放电通路的第三端相连，所述检测所述第一电阻的第一端与所述第二电阻的第一端相连，并共同作为所述所述第一电阻的第二端与所述第一三极管的所述第二电阻的第二端与所述第二三极管的所述第一三极管的集电极与所述第一三极管的基极和所述二极管的负极作为所述电流镜的第三端与所述充电通路的第一端和所述放电通所述稳压管的第一端与所述第三电阻的第一端相连，并共同作为所述稳所述稳压管的第二端与所述第三电阻的第二端和所述第四电阻的3所述稳压管的第三端与所述第四电阻的第二端相连，并共同作为所述稳所述第五电阻的第一端作为所述检测电路的第一端与所述放电通路的所述第五电阻的第二端作为所述检测电路的第二端与所述待测电容的8.根据权利要求3所述的板上电容测试电路，其特征在于所述第一MOS管的漏极作为所述充电通路的第一端与所述电流镜的所述第一MOS管的源极作为所述充电通路的第二端与所述待测电容的所述第一MOS管的栅极作为所述充电通路的控制端与所述控制电路的第一输出端相所述第二MOS管的漏极作为所述放电通路的第一端与所述电流镜的所述第二MOS管的源极作为所述放电通路的第三端与所述检测电路的所述第二MOS管的栅极作为所述放电通路的第一控制端与所述控制电路的第二输出端所述第三MOS管的漏极作为所述放电通路的第四端与所述待测电容的所述第三MOS管的源极作为所述放电通路的第二端与所述放电电路的所述第三MOS管的栅极作为所述放电通路的第二控制端与所述控制电路的第二输出端所述滞回比较器电路的第一端与第二电源相连，所述滞回比较器所述电平转换电路的第一输出端作为所述控制电路的第一输出端与所述第一MOS管的所述电平转换电路的第二输出端作为所述控制电路的第二输出端与所述第二MOS管的11.根据权利要求10所述的板上电容测试电路，其特征在于，所述滞回比较器电路包所述运算放大器的反相输入端与所述待测电容的所述运算放大器的同相输入端与所述第七电阻的第一端、所述第八电4所述运算放大器的输出端与所述第九电阻的第二端和共同作为所述滞回比较器电路的第二端与所述电平转换所述第七电阻的第二端作为所述滞回比较器电路的第一端与所述第所述第一级反相器电路的第一端作为所述电平转换电路的第一端与所述滞回比较器所述第一级反相器电路的第二端与所述第二级反相器电路的第一端相所述电平转换电路的第二输出端与所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管所述第二级反相器电路的第二端作为所述电平转换电路的第一输出端与所述第一MOS所述第四MOS管的栅极作为所述第一级反相器电路的第一端与所述滞回比较器电路的所述第四MOS管的漏极与所述第十一电阻的第一端相连，并共同作为所述第一级反相所述第五MOS管的栅极作为所述第二级反相器电路的第一端与所述第一级反相器电路所述第五MOS管的漏极与所述第十二电阻的第一端相连，并共同作为所述第二级反相基于所述电容电压与充电阈值电压的对应关系控制充电通路获取所述充放电电路通过所述充电通路向所述待测电5根据所述充电时间和所述充电阈值电压确定所述待测电容67[0022]二极管的负极作为电流镜的第三端与充电通路的第一端和放电通路的第一端相8[0046]电平转换电路的第一输出端作为控制电路的第一输出端与第一MOS管的栅极相[0047]电平转换电路的第二输出端作为控制电路的第二输出端与第二MOS管的栅极和第[0058]第一级反相器电路的第一端作为电平转换电路的第一端与滞回比较器电路的第转换电路的第二输出端与第二MOS管的栅极和第三MOS[0060]第二级反相器电路的第二端作为电平转换电路的第一输出端与第一MOS管的栅极[0062]第四MOS管的栅极作为第一级反相器电路的第一端与滞回比较器电路的第二端相[0064]第四MOS管的漏极与第十一电阻的第一端相连，并共同作为第一级反相器电路的[0067]第五MOS管的栅极作为第二级反相器电路的第一端与第一级反相器电路的第二端[0069]第五MOS管的漏极与第十二电阻的第一端相连，并共同作为第二级反相器电路的9电通路3导通切换至充电通路2导通，放电通路3关断的切换点在于当前待测电容的电容电二端与第一三极管Q1的发射极相连；第二电阻R2的第二端与第二三极管Q2的发射极相连；流镜的第二端与稳压电路的第一端相连；第二三极管Q2的集电极与二极管D1的正极相连；二极管D1的负极作为电流镜的第三端与充电通路2的第一端和放电通UA为图3中A点[0112]其中，第一三极管Q1的启动电压VBE-Q1可以为0.6V；第一电阻R1可以选取阻值为以选取阻值范围不超过30kohm的可变电阻；第四电阻R4可以选取阻值为10kohm的固定电的第一端作为检测电路的第一端与放电通路3的第三端相连；第五电阻的R5第二端作为检S的实际值的计算公式如下：R5为第五电阻R5的阻值。的第一端作为放电电路的第一端与放电通路3的第二端相连；第六电阻R6的第二端作为放作为放电通路3的第二控制端与控制电路4的第二输出平转换电路的第一端相连；电平转换电路的第一输出端作为控制电路4的第一输出端与第与第九电阻R9的第二端和第十电阻R10的第一端相连，并共同作为滞回比较器电路的第二[0145]当待测电容7的电压Vtest增大到上限阈值电压VH时，运算放大器U2输出端C处的级反相器电路的第二端作为电平转换电路的第一输出端与第一MOS管阻R11的第一端相连，并共同作为第一级反相器电路的第二端与第二级反相器电路的第一[0152]在具体的实施例中，控制电路4中的第一级反相器电路由第十一电阻R11和第四[0154]当运算放大器U2的输出端输出低电平信号时，此时第四MOS管M4的漏极输出的信源第二个为1V（可以理解为上文中的第二电源第三个为5V（可以理解为上文中的第三电路的第一端与运算放大器U2的输出端相连，信号检测电路的第二端与第四MOS管M4的漏出端输出的信号逻辑相反，而第五MOS管M5的漏极输出的信号与运算放大器U2的输出端输同作为电流镜的第一端与第一电源12V相连；第一电阻R1的第二端与第一三极管Q1的发射可以选取阻值为140ohm的电阻；第二阻R5的第一端作为检测电路的第一端与放电通路3的第三端相连；第五电阻的R5第二端作为检测电路的第二端与待测电容7的第一端相连，并接地。其第五电阻R5可以选用阻值为阻R6的第一端作为放电电路的第一端与放电通路3的第二端相连；第六电阻R6的第二端作为放电电路的第二端与待测电容7的第一端相连。其第六电阻R6可以选用阻值为100ohm的的源极作为充电通路2的第二端与待测电容7的第二端相连；第一MOS管M1的栅极作为充电管M3的漏极作为放电通路3的第四端与待测电容7的第二端相连；第三MOS管M3的源极作为R8的第一端和第九电阻R9的第一端相连；运算放大器U2的第一引脚端与第三电源5V相连；路的连接关系为：第四MOS管M4的栅极作为第一级反相器电路的第一端与滞回比较器电路一级反相器电路的第二端与第二级反相器电路的第一端相连；第十一电阻R11的第二端与路的连接关系为：第五MOS管M5的栅极作为第二级反相器电路的第一端与第一级反相器电以便充放电电路通过充电通路向待测电容充电