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一种应用于透射电子显微镜原位实验芯片本发明提供一种应用于透射电子显微镜原型薄片转移到预设加工单元，刻蚀所述微型薄片，并在所述刻蚀后的微型薄片周围沉积保护21.一种应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方法，其特征在于，步骤S2、基于沉积硬掩膜的核心工作单元的截面区域制片转移到预设加工单元；所述预设加工单元包括通电加热电极区域和通电连通电极区域，步骤S3、所述通电加热电极区域设有图案化的通电温度场以对刻蚀后的微型薄片进行加热，以在所述通电加热电极区域上方形成沉积电极；2.根据权利要求1所述的应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方步骤S2.3、将所述针尖处的微型薄片转3.根据权利要求2所述的应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方4.根据权利要求1或2所述的应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制在加热环境下采用电子束电极沉积模式制备长条状的所述5.根据权利要求4所述的应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方6.根据权利要求1或2所述的应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制37.根据权利要求6所述的应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方8.根据权利要求1所述的应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方9.根据权利要求1所述的应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方10.根据权利要求1所述的应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备4极其接近，在加电过程中电极内部可能发生的Ga离子析出现象会影响工作区域的微观表5[0006]针对现有技术中在透射电子显微镜下进行原位电学实验6蚀后的微型薄片可用于完成透射电子显微镜[0018]图1为本发明实施例中应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备图3为根据本发明实施例中应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极7另一个元件连接，那么所述一个元件可以直接地在所述另一个元件上形成、与之耦合或者与之连接，或者在它们之间可以有一个或多个介于中间的元件。相反，如果在此使用表述[0028]本发明的其它方面由于本文的公开内容，对本领域的技术人员而言是显而易见针对现有技术中在透射电子显微镜下进行原位电学实验实现困难的场景，如图1所示，本发明提供了一种应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方法，8连通电极为原位实验芯片专用于通电的电极，预设的通电连通电极位于原位实验芯片SIN9米薄片中的核心工作单元在低电压低束流下进一步减薄到50nm，随后在薄片周围沉积20nm的SiOx包覆层作为器件工作时的保护层，最终完成用于TEM原位电学实验的集成电路本发明提供了一种应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方明提供的制备方法中，先将实际的集成电路芯片中的核心工作单元转移到原位通电芯片述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性

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