CN119493194A 晶圆、超透镜、制作方法及用途 （中微半导体设备(上海)股份有限公司）_第1页
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文档简介

司2掩膜层，所述掩膜层形成于所述氧化钛层的表面，所述掩膜层的表面包提供一等离子处理设备，其包含等离子处理腔室，所述等离子处理腔提供一如权利要求1_4任意一项所述的用于制作超透镜的晶圆，将所述晶圆传送于所11.如权利要求10所述的超透镜的制作方法，其特征在于，所述CxHyFz气体包含CHF3，44中的任意一种或多种。314.如权利要求5_7任意一项所述的超透镜的制作方法，其特征在于，Cl2的流量为15.如权利要求8所述的超透镜的制作方法，其特征在于，CxHyFz的流量为10sccm_4二维超材料)来聚焦光线的二维平面透镜。超透镜在单个光学元件中执行复杂波前工程的的开口区域，所述开口区域与所述掩膜层的面积比大于等于7所述掩膜层中包含铬元表面的硬掩膜层及形成于所述硬掩膜层表面56明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位直接在刻蚀气体中加入氧气，氧气可能优先与刻蚀气体中的含碳气体在晶圆表面发生反7置于掩膜层300表面的图案被转移至氧化钛层200，在氧化钛层200上形成柱状的氧化钛纳再对超透镜中氧化钛纳米结构的尺寸，以及开口区域302与掩膜层300的面积的上限做限[0065]所述等离子处理设备可以是电感耦合等离子体(ICP)反应装置或电容耦合等离子8[0067]所述晶圆包括衬底100、形成于所述衬底100表面的氧化钛层200及形成于所述氧[0074]在一些实施例中，Cl2的流量为100sccm_500sccm，CxHyFz的流量为10sccm_200表面的铬膜层310、形成于所述铬膜层310表面的硬掩膜层320及形成于所述硬掩膜层光刻胶层330的表面设置多个光刻胶柱331，两个相邻的光刻胶柱331之间作为待刻蚀的开区域302的部分，设置于光刻胶层330表面的图案最终被转移至氧化钛层200，在氧化钛层9掩膜，刻蚀铬膜层310对应开口区域302的部分，将硬掩膜层320表面的图案转移至铬膜层[0080]S3.3：两个相邻的铬膜柱311之间作膜，刻蚀氧化钛层200对应开口区域302的部分，将铬膜层310表面的图案转移至氧化钛层的晶圆，其开口区域302与光刻胶层330的面积比大于等于7形成于光刻胶层330上的图[0089]所述等离子处理设备是电感耦合等离子体(ICP)反应装置。所述等离子处理设备掩膜，刻蚀铬膜层310对应开口区域302的部分，将硬掩膜层320表面的图案转移至铬膜层[0096]S3.4：两个相邻的铬膜柱311之间作膜，刻蚀氧化钛层200对应开口区域302的部分，将铬膜层310表面的图案转移至氧化钛层[0097]刻蚀氧化钛层时，等离子体处理腔室内的压力为10mT，射频功率源的功率为[0099]现有的用于制作超透镜的晶圆A，其开口区域与掩膜层的面积比小于7本实施的氧化钛纳米结构相比，晶圆C刻蚀后得到的氧化钛纳米结构具有更垂直的侧壁和更窄的

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