CN119493216A 一种光波导器件及其制备方法 （光本位科技(苏州)有限公司）_第1页
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湖大道99号苏州纳米城西北区20栋2第一外表面和/或所述第二外表面之间形成有间隙空间，且所述保护层的保护材料嵌入所7.一种光波导器件的制备方法，其特征在于，3第二开槽形成所述狭长通道，此时，所述狭长的第一开槽的侧壁上形成有第一引导部引导部的第一外表面呈斜面设置，以使得所述第一外表面所在的平面，与所述第二引导部面与所述第二外表面相连接以形成背面生长平台，以使得所述背面生长平台的剖面呈类梯形结构；S105，采用第二生长方法在所述相变材料层上生长S106，采用至少两组不同的第一刻蚀条件通过第S110，采用至少两组不同的第二刻蚀条件通过所述第S112，分别对至少两组所述第二多层结构执行步骤S104和晶态之间切换时，折射率急剧变化。经证实，波导耦合器顶部具有Ge2Sb2Te5(GST)和其中，所述第二结构层和所述衬底层上依次设置有对应于所述光波导的第一开外表面所在的平面，与所述第二引导部的第二外表面之间形成有夹角α,夹角α的范围为5[0007]在一些实施例中，所述第三外表面的边缘与所述第一外表面和/或所述第二外表6通过狭长通道在波导背面生长相变材料的结构能够减小相变材料生长过程对原始结构的[0017]本发明所提出的背面生长平台有助于使得相变材料在生长及应用过程中保持稳便于在晶圆上的有限区间内形成狭小通道，一方面重点确保能够完成足够深的深度刻蚀，78在厚度/增长方向和垂直于厚度/增长方向的横向/宽度方向上将光限制在两个维度上，例料层且SiO2包层内靠近光波导01的位置设置有两层金属层09。且当光波导器件的功能集9上形成有具有第一厚度的第二引导部032，其中，所述第一引导部的第一外表面呈斜面设2[0054]在一些实施例中，所述第三外表面的边缘与所述第一外表面和/或所述第二外表[0057]在一些实施例中，第二开槽II的第二宽度X2与第一开槽的第一宽度X1相等或相层这一工艺难免会对Ge材料层产生一定损伤，且尤其是当光波导上的材料层较为复杂时，这种保护工艺在加工过程中也会容易对光波导上的其他材述制备方法用于在初始多层结构上制备出狭长通道，以在所述狭长通道内生长相变材料；[0074]S103，在当前的所述初始多层结构上对应于所述光波导01制第二标准宽度之间的第二宽度差值；计算第二深度和第二标准深度之间的第二深度差值；当所述第二宽度差值小于设定的宽度阈值，且当所述第二深度差值小于设定的深度阈值2大约80_85℃),_TMAH：25%浓度常用_HN便于在晶圆上的有限区间内形成狭小通道，一方面重点确保能够完成足够深的深度刻蚀，出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质

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