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文档简介

本申请提供了一种封装转接板及其制备方用设置在第一基板和第二基板键合面的图案化形成金属导电柱，满足封装转接板的电连接需散热流体，为封装转接板提供横向的热传导通2将所述第一基板和所述第二基板相互键合，形成一带有采用减薄工艺对键合结构下表面的一侧进行减薄形成盲孔自所述上减薄面向所述键合结构的下表面的微流道通孔，设置在所述基板内，所述微流道通孔至少9.根据权利要求7所述的封装转接板，其特征在于，所述微流道通孔的结构包括直线3[0001]本申请涉及半导体封装相关技术领域，尤其涉及一种封装转接板及其制备方法、[0003]目前，先进的封装方法包括：晶圆片级芯片规模封装(Wafer[0008]将所述第一基板和所述第二基板相互键合，形成一带有微流道所述微流道通孔由所述第一基板和所述第二4[0031]图2～图13为根据本申请不同实施例示出的一种封装转接板制备过程的结构示意5[0037]现有集成封装结构中，芯片堆叠层400主要依靠上方的封装盖和热沉结构进行散生的热量会进一步增大，单靠顶部散热已无法满足现有2.5D/3D集成封装结构的片的热量从封装转接板的内部进行横向导出，更好的改善2.5D/3D集成封装结其中，第一基板110和第二基板120上沟槽101的形状和尺寸完全相同，以为后续第一基板6流道通孔130用于为散热流体(例如循环水流等)横向流动贯穿键合结构100’提供流通通103和边缘凸起102则公共组成了所述7微流道通孔130，避免后续形成的金属导电柱150与微流道通孔130内的散热流体相接触而[0052]在一实施例中，盲孔140均为一次加工成型，且一次加工成型的打孔工艺包括刻140的底部和侧壁上依次形成绝缘层和扩散阻挡层的步骤(图示未示出)，以避免后续形成8[0058]在一实施例中，参见图12～图13，图12为图11中沿截取线B_B截取的封装转接板板10通过离子注入的方式进行改性，且改性为金属导电柱150的金属元素难以扩散的材料和金属导电柱150。微流道通孔130被设置在基板上表面(即上减薄面1001)和下表面(即下[0060]通过在基板的内部刻蚀形成贯穿横截面的微流道通孔130，以及在基板的侧壁面9

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