CN119497404A 一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法 （杭州立昂微电子股份有限公司）

一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管及其制本发明公开了一种台阶状沟槽肖特基势垒与外延层、肖特基势垒区和阳极电极区进行隔2位于所述外延层中、开口于所述外延层上表面并向所述外延层内位于所述沟槽的内壁且用以隔离所述导电多晶硅与所述外延层其中，所述台阶状沟槽为上下连通的两个柱形开口构成、且柱形开口内壁和所述下柱形开口内壁的第一隔离介质层的势垒金属层和所述欧姆接触金属层为同步沉积的同S1.在第一导电类型重掺杂的半导体衬底上，生长第一导电类型轻掺杂的半导体外延3膜使用；掩膜使用；S6.以第一介质硬掩膜和第二介质硬掩膜为保护，采用干法刻蚀的方法选择性刻蚀曝S7.继续以第一介质硬掩膜和第二介质硬掩膜为保护，采用二氟化氙干法刻蚀的方法S8.继续以第一介质硬掩膜和第二介质硬掩膜为保护，采用离子注入的方法向暴露出S11.在步骤S10完成后形成的整个结构的表面沉积导电多晶硅；再通过干法刻蚀选择S13.在步骤S12完成后的整个结构表面沉积第一金属层，所述第一金属层经过合金化45[0003]肖特基势垒二极管是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作传统的平面型肖特基势垒二极管器件通常由低掺杂浓度的N－外延层与顶面沉积的金属层掺杂的N+衬底301和较低掺杂的N－外延层302构成，一系列沟槽303制备于N－外延层3026[0014]位于所述沟槽的内壁且用以隔离所述导电多晶硅与所述外延层的第一隔离介质尖端放电增强、通过拓宽沟槽的下柱形横向开口使得沟槽底部形成放大曲率半径的结构，7[0028]所述肖特基势垒金属层和所述欧姆接触金属层为同步沉积的同种金属经合金化[0031]S1.在第一导电类型重掺膜使用。[0035]S5.采用干法刻蚀的方法选择性刻蚀[0036]S6.以第一介质硬掩膜和第二介质硬掩膜[0037]S7.继续以第一介质硬掩膜和[0038]S8.继续以第一介质硬掩膜和第二介质[0041]S11.在步骤S10完成后形成的整个[0043]S13.在步骤S12完成后的整个结构8[0049]进一步地，步骤S3形成的上柱形开口以及S7中形成的下柱形开口均为圆柱形开[0055]图1是美国专利US5,365,102披露的一N[0058]图3为本发明各实施例的肖特基势垒二极管在图2中A1_A2位置的剖面结构示意9[0065]如图2为本发明各实施例制作的台阶状沟槽肖特基势垒二极管的俯视结构示意的台阶状沟槽由上下两个圆柱形开口连通构成、上圆柱形开口31a的内径(即横向开口尺外延层上表面的功能金属层40与外延层形成肖特基势垒接触的肖特基势垒金属层40a；而覆盖在导电多晶硅32上表面的功能金属层40为与重掺杂导电多晶硅形成欧姆接触的欧姆接触金属层40b；隔离氧化层33向上延伸至肖特基势垒金属层40a和欧姆接触金属层40b之[0070]S1.准备半导体第一在外延层中形成台阶状沟槽31中的上圆柱形开口31a，于是在上圆柱形开口之间的外延层[0073]S4.在完成步骤S3后形成的整个结构上表面仍然覆盖着第一介质层61即第一介质硬掩膜，且此时上圆柱形开口31a侧壁覆盖着[0075]S6.以第一介质硬掩膜和第二介质硬掩膜[0076]S7.继续以第一介质硬掩膜和[0077]S8.继续以第一介质硬掩膜和第二介质进上述第二导电类型掺杂杂质35a扩散形成了离子注[0080]S11.在步骤S10完成后形成的整个结构的结构30a的外延层上表面平齐；由于下圆柱形开口的横向开口尺寸大于上圆柱形开口的横层的隔离氧化层33，用以隔离后面步骤中待形成的肖特基势垒金属层以及欧姆接触金属[0088]与实施例1差别在于：台阶状沟槽中的上圆柱形开口的内径(横向开口尺寸)为