CN119497468A 一种红光led芯片制备方法及红光led芯片 （江西耀驰科技有限公司）

本发明提供一种红光LED芯片制备方法及红在衬底上生长包含DBR反射层的外延结构，以制层叠式设置的由第一AlGaAs层及第二AlGaAs层制DBR层中Al的组分占比使其小于Ga的组分占比形成第一AlGaAs层，配合层叠式设置的第二2其中，所述DBR反射层包括多个层叠式设置的由第一AlGaAs层及第二AlGaAs层构成的2.根据权利要求1所述的红光LED芯片制备方法，其特征3.根据权利要求1所述的红光LED芯片制备4.根据权利要求3所述的红光LED芯片制备方法，其特通过电子束蒸发技术，基于第一工艺参数在所述P型半导体层表面蒸镀厚度为700埃_5.根据权利要求4所述的红光LED芯片制6.根据权利要求5所述的红光LED芯片制备方基于第二工艺参数对完成蒸镀ITO膜后的LED芯片进行退火，以制7.根据权利要求3所述的红光LED芯片制备方3[0001]本发明涉及LED芯片技术领域，特别涉及一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯[0004]针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种红光LED芯片制备方法及红光其中，所述DBR反射层包括多个层叠式设置的由第一AlGaAs层及第二AlGaAs层构[0007]根据上述技术方案的一方面，[0008]根据上述技术方案的一方面，在所述衬底上生长包含DBR反射层的外延结构的具4[0010]根据上述技术方案的一方面，所述第一工艺参数包括控制氧气通入量为6sccm_[0014]根据上述技术方案的一方面，所述P型半导体层包括依次设于所述发光层上的空请参阅图1，所示为本发明第一实施例中的一种红光LED芯片制备方法的流程图，5其中，所述DBR反射层包括多个层叠式设置的由第一AlGaAs层及第二AlGaAs层构[0022]红光LED芯片是一种能够发出红色光的半导体发光器件。它广泛应用于各种显示折射率材料的周期性排列来实现对特定波长光的反射增强。在红光LED芯片中，DBR反射层进一步通过控制DBR层中Al的组分占比使其小于Ga的组分占比形成第一AlGaAs层，配合层中，电流扩展层通常位于P型半导体层之上，通过降低接触电阻和提高电流均匀性来提高[0028]具体来说，上述N型半导体层包括依次设于所述DBR反射层上的N型限制层及电子6层来控制电流不向电极下方流通（即电极遮光阻挡从而使得电流向芯片的四个方面走[0033]进一步地，在本实施例中，上述第一工艺参数包括控制氧气通入量为6sccm_8sccm。便于理解的，通过相较于常规的镀膜工艺，本方案通过控制氧气通入量为6sccm_7[0042]具体来说，上述N型半导体层300包括依次设于所述DBR反射层200上的N型限制层本发明第三实施例提供了一种红光LED芯片制备方法，该方法的工艺步骤与第一[0047]上述第一工艺参数中的氧气通入量为6sccm；第二工艺参数中的退火温度为390本发明第四实施例提供了一种红光LED芯片制备方法，该方法的工艺步骤与第一[0049]上述第一工艺参数中的氧气通入量为8sccm；第二工艺参数中的退火温度为400本对比例一提供了一种红光LED芯片制备方法，该方法的工艺步骤与第一实施例本对比例二提供了一种红光LED芯片制备方法，该方法的工艺步骤与第一实施例8本对比例三提供了一种红光LED芯片制备方法，该方法的工艺步骤与第一实施例本对比例四提供了一种红光LED芯片制备方法，该方法的工艺步骤与第一实施例表1中的亮度数据以常规现有技术的LED红光芯片的亮度数据作为标准值（100由测试结果可知，本实施例一及实施例二制备得到的红光LED芯片较常规的红光对比例一中