CN119497508A 复合材料及其制备方法、薄膜及其制备方法、发光器件、显示装置 （Tcl科技集团股份有限公司）

复合材料及其制备方法、薄膜及其制备方本申请实施例提供一种复合材料及其制备复合材料包括无机纳米材料以及与无机纳米材请实施例通过采用修饰材料对无机纳米材料进行修饰处理，可以钝化无机纳米材料表面的缺23.根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述羧酸盐包括酸根离子和金属离或3对所述混合体系进行加热时，将所述混合体系加热至150℃~180℃,加热时间为1小时将所述无机纳米材料、所述修饰材料以及第二溶剂进行料或者如权利要求5_12任一项所述的制合溶液包括复合材料和第三溶剂，所述复合材料为如权利要求1_4任一项所述的复合材料到所述薄膜之后，对所述薄膜进行退火处理，退火温度为100℃~130℃,退火时间为5分钟~10分钟。4所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述发光器件所述底电极和所述顶电极分别独立选自掺杂金属氧化物颗所述发光层的材料包括有机发光材料和量子点发光材料56[0002]电致发光器件包括OLED(OrganicLight_EmittingDiode，有机发光二极管)和穿戴等领域有广泛的应用。7材料包括酯类有机物和具有羧酸基团的有机物中[0033]对所述混合体系进行加热时，将所述混合体系加热至150℃~180℃,加热时间为18[0039]对所述混合体系进行加热时，将所述混合体系加热至150℃~180℃,加热时间为1火处理，退火温度为100℃~130℃,退火时间为5分9TiO2面连接的修饰材料，所述修饰材料包括酯类有机物和具有羧酸基团的有机物中的至少一[0079]示例性地，所述具有羧酸基团的有机物包括羧酸类有机物和羧酸盐中的至少一[0086]示例性地，所述复合材料中，所述无机纳米材料和所述修饰材料的质量比为(1_[0096]在一些实施例中，修饰材料为三羧酸铜苯酯，CAS号为51937_85_0，分子式为材料包括酯类有机物和具有羧酸基团的有机物中[0108]示例性地，当修饰材料为酯类化合物(例如乙酸乙酯等)或者羧酸盐(例如三羧酸汽依然可以进入混合体系中并且提供修饰材料水解[0117]将20_30mg上述制备好的氧化镍纳米杆与10_20mg三羧酸铜苯酯以及50_100ml二甲基亚砜(DMSO)混合，搅拌均匀后加热至150_180℃,反应1_3小时，在60℃~120℃温度条铜苯酯修饰过的氧化镍纳米杆可以分散在乙醇中配置成5_15mg/ml的复合溶液待SnO2掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的一种或多种，所述复合电极包括AZO/Ag/[0134]在一些实施例中，发光层40的材料为核壳结构量子点，核壳结构量子点的核为在底电极70上的电子传输层20以及形成在电子传穴传输层50之后，对空穴传输层50进行退火处理，退火温度为100℃~130℃(例如100℃、[0155](3)将氧化锌纳米颗粒分散于乙醇中，配置成浓度为20_30mg/ml的氧化锌乙醇溶[0156](4)用移液枪取30_50微升氧化锌乙醇溶液缓慢滴加在发光层40(正置器件)或底[0158](1)将量子点分散于溶剂(例如正辛烷)中，配制成浓度为10_30mg/ml的量子点溶[0160]在一些实施例中，底电极70为阳极，顶电极10为阴极，阳极的材料为氧化铟锡[0161](1)将器件放进真空镀膜机后并将真空抽到4×10_6mbar，在[0163](3)对顶电极10进行退火处理，退火温度控制在130_150℃,退火时间控制在5_10法制得的发光器件100或者上述任一实施例[0165]以下以具体实施例的形式对本申请实施例的发光器件100及其制备方法进行详细置成10mg/ml的空穴传输材料溶液待用。层结构的外表面涂覆胶水，采用紫外线照射的方法对胶水进行固化处理，得到发光器件[0210]对实施例1_8中的发光器件100和对比例1中的发光器件100的发光效率(CE)进行测试，并且，对实施例1_8中的发光器件100和对比例1中的发光器件100的使用寿命(T95@[0212]从上表中可以看出，本申请实施例6_14的发光器件100的发光效率(CE)均大于对中采用未经修饰的氧化镍纳米杆阵