CN119497564A 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆 （长飞先进半导体(武汉)有限公司）

发区高新大道999号武汉未来科技城2半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第第一压电材料层，所述第一压电材料层位于所述栅极结构远离所述第二表面的一侧；所述第一压电材料层覆盖所述栅极结构和部分所第一电极层，所述第一电极层位于所述第二表面；所述接触区包括第一导电类型区和第二导电类型区；所述第一导电类型所述阱区包括相互连接的第一子区和第二子区，所述第一子区位于第所述半导体本体还包括JFET区，所述JFET区位于两个阱区之间所述栅极结构包括第一绝缘层和第一栅极，所述第一绝缘层位于所述和部分所述第一导电类型区；所述第一栅极位于所述第一绝缘层远离所述第一表面的一所述第一压电材料层位于所述第一栅极远离所述第一表面的一侧，所层覆盖所述第一栅极和所述第一栅极未覆盖的所述第一表面设置有至少一个沟槽，所述沟槽从所述第一表面延所述栅极结构位于所述栅极沟槽内，所述栅极结构包括第二绝缘所述接触区包括第一导电类型区和第二导电类型区，所述第二3所述阱区位于所述第一导电类型区和所述第二导电类型区远离所述第一表所述第一压电材料层覆盖所述栅极结构和部分所述第一导在所述栅极沟槽内、所述第一源极沟槽内和所述第二源极沟槽所述接触区包括第一导电类型区和第二导电类型区，所述第一所述第二导电类型区位于所述第一源极沟槽底部和侧壁与所述第二源极沟槽底部与侧壁的所述半导体本体内，且所述第二导电类型区位于所述栅极沟槽底部的半导体本体所述第一压电材料层覆盖所述栅极结构和部分所述第一导第二电极层，所述第二电极层位于所述第一所述功率转换电路包括电路板以及至少一个如权利要求1_7任一项所述的功率器件，提供半导体本体；所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第在所述第二表面形成第一电极层；所述第一电极层包括第一电极和第二压电材料层，在所述栅极结构远离所述第二表面的一侧形成第一压电材料4在所述第一电极子层远离所述第二表面的一侧在所述多个空腔内形成第二电极子层；所述第一电极子层和所在所述第一表面形成第一导电类型区和阱区；所述第一导在栅极结构远离所述衬底的一侧，形成牺牲层；所述牺牲层在所述第一表面形成第一导电类型区；所述第一导电类型区和在所述栅极沟槽内形成栅极结构；所述栅极结构包括5在所述栅极结构远离所述衬底的一侧，形成牺牲层；所形成第二导电类型区；所述第二导电类型区位于所述第一源极沟在所述第一表面形成第一导电类型区；所述第一导电类在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧形成多晶硅层；所述在栅极结构远离所述衬底的一侧，形成牺牲层；所述牺牲层在所述第一表面形成第二电极层；所述第二电极层覆盖所6第一方向上相对的第一侧和第二侧，第一方向垂直于第一电极层指向半导体本体的方向；7[0024]在栅极沟槽内、第一源极沟槽内和第二源极沟槽内均包括第三绝缘层和多晶硅[0025]接触区包括第一导电类型区和第二导电类型区，第一导[0026]第二导电类型区位于第一源极沟槽底部和侧壁与第二源极沟槽底部与侧壁的半8[0062]在第一表面形成第一导电类型区；第一导电类型区和第二导9[0087]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，[0100]本发明实施例提供了一种功率器件，图1是本发明实施例提供的一种功率器件的[0104]第二压电材料层42设置有多个空腔421，多个空腔421为多个沿第一方向X间隔排直接通过压电效应控制栅极结构20开关。图1中的第一压电材料层30覆盖栅极结构20和部421。本发明实施例采用第二压电材料层42和第一电极41替代衬底，一方面省去了衬底电提高电荷载体在半导体结构中的迁移率和导电性，从而提高器件的开关速度和导电性能。X垂直于第一电极层40指向半导体本体10的方向；第二导电类型区14位于第一导电类型区盖第一栅极20和第一栅极20未覆盖的第一一导电类型区13远离栅极沟槽03的一侧，第二导电类型区14与第一导电类型区13相互接材料层30覆盖栅极结构20和部分第一导电类也可以是其它形状，可根据实际需要设置。即本发明实施例图2中的功率器件为单沟槽型表面01，且位于栅极沟槽03与第一源极沟槽04之间和栅极沟槽03与第二源极沟槽05之间；[0123]第二导电类型区14位于第一源极沟槽04底部和侧壁与第二源极沟槽05底部与侧[0130]本发明实施例技术方案提供的功率模块和本发明任意实施例所述的功率器件具[0132]本发明实施例技术方案提供的功率转换电路和本发明任意实施例所述的功率器[0134]本发明实施例技术方案提供的车辆和本发明任意实施例所述的功率器件具有相本发明任意实施例所述的功率器件，图4是本发明实施例提供的一种功率器件的制备方法压电材料层和第二压电材料层施加电压，第一压电材料层和第二压电材料层会产生形变，会在栅极结构上产生额外的电场，从而提高电荷载体在半导体结构中的迁移率和导电性，导电类型区14远离第一表面01的一侧注入P型离子[0173]其中，参考图2，可以通过干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺蚀第一表面形成栅极沟槽在第二绝缘层23远离第二表面02的一侧