CN119501801A 用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及设备 （北京特思迪半导体设备有限公司）

用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及本发明提供一种用于晶圆薄膜抛光过程的波长光束的反射光的光强度对应的电信号un；根据所述电信号u.n和标定系数k计算所述晶圆薄膜对所述单波长反射光的反射率Rn；确定包括前一时刻的厚度在内的一个周期的厚度及反射率对应数据；根据所述反射率Rn在所述两组数据中的较大厚度与所述厚度，当所述两组数据中的较大厚度大于所述厚度的厚度da；当所述两组数据中的较大厚度小于所述厚度时，取所述较大厚度作为当前时刻的厚度da。2在对晶圆薄膜进行抛光的过程中，获取所述晶圆薄膜对单波长对应的电信号un；根据所述电信号un和标定系数k计算所述晶圆薄膜对单波长光束的反射率Rn；根据所述反射率Rn在所述一个周期的数据中匹配得到两组数据，所述两组数据中的利用厚度和厚度与反射率对应关系模型计算出一个周期的厚度及反射率对应数R=ACOS(it)+B;4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述厚度利用转换系数将适用于单层膜环境的参考数据库转换为适用于多层膜环境的参考数9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述电信号为电压信号，所述标定系数3所述处理器执行，以使所述处理器执行如权利要求1_9中任意一项所述的用于晶圆薄膜抛4强度对应的电信号un；根据所述电信号un和标定系数k计算所述晶圆薄膜对单波长束光的反射率Rn；确定包括前一时刻的厚度在内的一个周期的厚度及反射率对应数据，所述根据所述反射率Rn在所述一个周期的数据中匹配得到两组数据，所述两组数据比对所述两组数据中的较大厚度与所述厚度，当所述两组数据中的较大厚利用厚度和厚度与反射率对应关系模型计算出一个周期的厚度及反射率对R=ACOS(it)+B5利用厚度和参考数据库确定一个周期的厚度及反射率对应数据，所述参考利用转换系数将适用于单层膜环境的参考数据库转换为适用于多层膜环境的参针对已知厚度dz的晶圆薄膜采集对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号;指令被所述处理器执行，以使所述处理器执行上述用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方[0016]本申请提供的用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及设备使用预先确定的标定系数将单波长光束测量的电信号转换为反射率，基于反射率随厚度周期性变化的规律，6S1,在对晶圆薄膜进行抛光的过程中，获取晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光[0023]S2,根据电信号U1n和标定系数k计算晶圆薄膜对单波长反射光的反射率R1n，反射率Rn同样随着厚度的变化呈现周期性的变化，反射率Rn与电信号un之间的关系为线性对应关系，具体的对应关系式取决于电信号un的类型（如电压或者电流等一般是电压;7的厚度在此周期内即可，比如可以按照如图2所示的方式将上一时刻的厚度作为上[0028]S4,根据反射率R1n在一个周期的数据中匹配得到两组数据R1n对应的厚度dm和da。[0029]S5,比对两组数据中的较大厚度与前一时刻的厚度，判断两组数据中的较[0030]S6,取两组数据中的较小厚度作为当前时刻的厚度dn。由于抛光过程中确定当前时刻的厚度是da。[0031]S7,取较大厚度作为当前时刻的厚度da。在两组数据中的厚度都比针对已知厚度dz的晶圆薄膜采集对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号[0034]根据反射率R2和电信号计算标定系数k。电信号优选为电压信号，标定系数[0035]上述步骤S3至少包括两种实施方式，第一种实施方式是利用厚度和厚度与R=ACOS(it)+B;[0036]本实施例采用理论数学模型，根据上一时刻的厚度确定包括当前时刻厚度[0037]第二种实施方式是利用厚度和参考数据库确定一个周期的厚度及反射率对8利用转换系数将适用于单层膜环境的模型或者参考数据库转换为适用于多层膜率与厚度的对应关系曲线，多层膜环境中的反射率与厚度的对应关系曲线被压缩或者拉;R'=a(ACOS(wt)+B)+b;S01，获取已知不同厚度的两个晶圆薄膜在多层膜环境下对单波长光束的反射光[0043]S02，获取两个晶圆薄膜在单层膜环境下对单波长光束的反射光的反射率和反;9[0047]