《光伏电池工艺设备 原子层沉积(ALD)镀膜设备技术规范》

ICS29.020

CCSL95

团体标准

T/YGAZXHXXXX—XXXX

光伏电池工艺设备原子层沉积（ALD）

镀膜设备技术规范

Photovoltaiccellprocessequipment—Technicalspecificationfor

atomiclayerdeposition(ALD)coatingequipment

（征求意见稿）

（本草案完成时间：2025.3.19）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

广东省粤港澳大湾区战略性新兴产业发展促进会发布

T/YGAZXHXXXX—XXXX

目次

前言.................................................................................II

1范围...............................................................................1

2规范性引用文件.....................................................................1

3术语和定义.........................................................................1

4工作环境和工作条件.................................................................1

5技术要求...........................................................................2

5.1外观及结构.....................................................................2

5.2整机性能.......................................................................2

5.3工艺性能.......................................................................3

5.4自动化.........................................................................4

5.5安全...........................................................................4

6试验方法...........................................................................5

6.1外观及结构.....................................................................5

6.2整机性能.......................................................................5

6.3工艺性能.......................................................................7

6.4自动化.........................................................................8

6.5安全...........................................................................9

7检验规则..........................................................................10

7.1检验分类......................................................................10

7.2出厂检验......................................................................10

7.3型式检验......................................................................10

8标志、包装、运输和贮存............................................................10

8.1标志..........................................................................10

8.2包装..........................................................................11

8.3运输..........................................................................11

8.4贮存..........................................................................11

表1温度控制.........................................................................2

表2压力控制.........................................................................2

表3沉积性能.........................................................................3

表4膜厚范围.........................................................................3

表5膜厚均匀性.......................................................................3

表6整片自动化.......................................................................4

表7出厂检验........................................................................10

I

T/YGAZXHXXXX—XXXX

光伏电池工艺设备原子层沉积（ALD）

镀膜设备技术规范

1范围

本文件给出了原子层沉积（ALD）镀膜设备（以下简称“ALD镀膜设备”）的工作环境和工作条件，

规定了技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于生产隧穿氧化层钝化接触太阳能电池（TopCon、BC）等电池应用的原子层沉积镀膜设

备的制造和检验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB2894安全标志及其使用导则

GB/T3768声学声压法测定噪声源声功率级和声能量级采用反射面上方包络测量面的简易法

GB/T29845半导体制造设备的最终装配、包装、运输、拆包及安放导则

GB/T30116半导体生产设施电磁兼容性要求

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

原子层沉积atomiclayerdeposition；ALD

通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器，在沉积基体上化学吸附并反应形成沉积膜的一种方法。

3.2

原子层沉积膜设备atomiclayerdepositioncoatingequipment

ALD镀膜设备

利用原子层沉积方式，对硅片进行氧化铝镀膜的设备。

3.3

稼动率utilizationrate

设备实际运行时间和设备可用时间的比值。

4工作环境和工作条件

除特殊要求外，ALD镀膜设备工作环境和工作条件应符合以下规定。

a)电源/电压：

1)三相五线交流：380V±19V；

2)单相：220V±11V；

3)动力供给：50Hz。

b)厂房高度：大于4m。

c)冷却水：进水温度15℃～20℃，0.4MPa～0.6MPa；

d)纯水电阻率：不小于17.6MΩ；

e)氮气纯度：大于99.9999％；

1

T/YGAZXHXXXX—XXXX

f)温度波动：±1℃。

5技术要求

5.1外观及结构

5.1.1表面应无明显色差、划伤、碰伤、变形和掉漆现象。

5.1.2印刷内容正确，不应错字、少字、字体残缺。

5.1.3走线整齐，无松脱、线芯裸露，电线排布应符合工程图纸，电箱清洁干净。

5.1.4门与箱体配合缝隙均匀，门框及门周边无毛刺、利边、锐角，关门应流畅，无阻塞、卡滞、异

响。

5.1.5紧固件连接应牢固，无松动、滑动现象。

5.1.6运动部位应使用顺畅无卡滞、异响，连接部位应灵活。

5.1.7拼接部位应无明显段差和缝隙。

5.1.8内部清洁干净，无脏污、积尘、残胶、扎带碎头、掉落零部件。

5.1.9铭牌标识内容应正确、齐全，不应漏装、错装。

5.2整机性能

5.2.1控制性能

5.2.1.1温度控制

应符合表1的规定。

表1温度控制

项目性能指标

温度控制范围/℃≤350

恒温区长度/mm≥1900

温度稳定性/（℃/mm）±1.5

最大可控升温速率18

温度斜变能力/（℃/min）

最大降温速率3

5.2.1.2压力控制

应符合表2的规定。

表2压力控制

项目性能指标

极限真空/Pa≤2.66

从大气压至3Pa≤3min

真空恢复时间

从3Pa至大气压≤200s

气路系统气密性/（Pa·m3/s）≤1×10-7

系统漏气率/（Pa/min）≤2.0

5.2.2噪声

应不大于60dB(A)。

5.2.3稼动率

应不小于98％。

5.2.4沉积性能

应符合表3的规定。

2

T/YGAZXHXXXX—XXXX

表3沉积性能

项目性能指标

沉积速率/（纳米/圈）0.16～0.17

沉积温度/℃280～300

沉积压力/Pa39.9～66.5

5.2.5气体流量

（携源氮气）2000SCCM～3000SCCM。

5.2.6腔内粉尘

ALD镀膜设备连续满产运行90d，腔体及金属舟表面无肉眼可观察的粉尘。

5.2.7电磁兼容

应符合GB/T30116的规定。

5.3工艺性能

5.3.1膜厚范围

应符合表4的规定。

表4膜厚范围

项目性能指标

膜厚范围/nm1～15

5.3.2膜厚均匀性

应符合表5的规定。

表5膜厚均匀性

性能指标

项目

182硅片210硅片

片内不均匀性≤4％≤5％

片间不均匀性≤5％≤7％

批间不均匀性≤3％≤4％

5.3.3钝化性能

应符合以下规定：

a)少子寿命≥3500μs；

b)暗饱和电流密度≤2fA；

c)开路电压＞740V；

d)填充因子≥86.5。

5.3.4折射率

应不小于1.62。

5.3.5不良比例

应不大于0.06％。

5.3.6背面绕镀

3

T/YGAZXHXXXX—XXXX

双列直插背面绕镀（60±20）％，单张插片无绕镀。

5.3.7工艺移植性

管间均匀性应不大于3％。

5.3.8返工率

应不大于0.06％。

5.4自动化

应符合表6的规定。

表6整片自动化

项目硅片规格

182mm尺寸硅片≤0.03％

破片率

210mm尺寸硅片≤0.05％

漏吸、掉片/（次/每班）≤5

卡、堵片（次/每班）≤10

不良比例（梳齿、顶齿印、吸盘印、崩边、脱晶、划伤等）≤0.02%

130槽花篮（双插）≥23500

产能/（片/小时）

120槽花篮（双插）≥22000

5.5安全

5.5.1电气

5.5.1.1应符合GB/T5226.33的规定。

5.5.1.2带电金属部分，应设有防护罩及安全护栏等防护设施。

5.5.1.3电气元器件、每个柜体应有接地保护，出现意外情况切断总电源后，数据或程序不应丢失。

5.5.2急停

5.5.2.1应设有急停按钮，按钮不宜配置防护盖。

5.5.2.2应具有断电或报警触发时的安全停机功能。

5.5.2.3急停按钮高度应不高于1.64m。

5.5.2.4急停护罩应具备至少2个缺口，且急停护罩上端面应向内留有10mm宽护边。

5.5.3维修

5.5.3.1安全门、维修门处都应安装联动防护开关，安全联锁装置的本体固定和安装应使用专用螺丝，

且只有专用工具能拆解；安全门不应设置联锁装置屏蔽方式。

5.5.3.2安全门开启后，操作界面应弹出“维修中”或类似表述的提示信息；维修完后，确认提示信

息前应不能关闭安全门，确认提示信息后应能关闭安全门。

5.5.3.3机台内外部应设置维修完成确认按钮，按钮应符合以下规定：

e)安全门打开后按钮应被激活，维修时应先确认内部按钮，再关闭安全门，确认外部按钮，内

外按钮都确认后，机台才可恢复正常操作。

f)按钮安装位置应醒目，操作简易。

5.5.3.4机台内部作业端上方应配备安全绳挂钩，机台顶部应预留安全绳挂钩孔位。

5.5.4运动控制

5.5.4.1防护设计

人员易触及的可动零部件，应进行封闭或隔离，步进电机同步带、同步齿形轮应该加设防护罩；对

操作人员在ALD镀膜设备运行时可能触及的运动部件，配备安全门装置，搬舟侧具备安全门开关状态提

醒功能，维修通道安全门配置电子安全锁与上位机虚拟按钮和机台内部安全确认按钮形成多重防护网。

4

T/YGAZXHXXXX—XXXX

5.5.4.2抱死功能

机械手升降电机应具备抱死功能。

5.5.4.3负载超限控制

运动电机设置过载保护，当电机载荷大于正常电机载荷1.5倍时，电机应自动抱死，驱动器不再供

脉冲，电机停止。

6试验方法

6.1外观及结构

在室内照度不低于500lx条件下，对照技术规格书或说明书，以目视、手触检查。

6.2整机性能

6.2.1控制性能

6.2.1.1温度控制

6.2.1.1.1温度控制范围

在符合第4章规定的工作环境条件下，将ALD镀膜设备温度设置为350℃，观察是否能够达到。

6.2.1.1.2恒温区长度

使用热电偶沿炉管中心线每50mm测量一次，每次停留5min，符合规定的连续温区最大长度为恒温

区长度。

6.2.1.1.3温度稳定性

每间隔5mm使用热电偶测量一次温度，总测量长度为1900mm±2mm，计算最高温度与最低温度的差

值和总测量长度的比值。

6.2.1.1.4温度斜变能力

6.2.1.1.4.1最大可控升温速率

将ALD镀膜设备调至25℃作为起始温度，设置目标温度为115℃，升温速率为18℃/min，记录达到

目标温度的时间。

6.2.1.1.4.2最大降温速率

将ALD镀膜设备调至39℃作为起始温度，设置目标温度为9℃，降温速率为3℃/min，记录达到目

标温度的时间。

6.2.1.2压力控制

6.2.1.2.1极限真空

以满功率抽30min，记录压力传感器的数值。

6.2.1.2.2真空恢复时间

将薄膜规垂直向上安装在测量腔中，调节阀门使压力从快速上升或下降，记录ALD镀膜设备压力从

大气压至3Pa或从3Pa至大气压的使用时间。

6.2.1.2.3气路系统气密性

使用真空泵将气路系统抽至10⁻³Pa，关闭真空泵，等待系统压力稳定，监测系统1min内压力的上

升值ΔP。按式（1）进行计算：

5

T/YGAZXHXXXX—XXXX

ΔP×V

Q＝···········································································(1)

t1

式中：

Q——系统漏率，单位为Pa·m3/s；

ΔP——系统压力的上升值，单位为Pa；

V——气路系统的体积，单位为m³；

t1——压力变化所经历的时间，单位为s。

6.2.1.2.4系统漏气率

当炉内压力不大于0.665Pa时，记录压力值后关闭角阀，关闭5min后再次记录炉内压力，按式（1）

计算漏气率。

()PP12

L＝·······································································(2)

t2

式中：

L——系统漏率，单位为帕每分钟（Pa/min）；

P1——初始炉内压力，单位为帕（Pa）；

P2——经过一段时间后炉内压力，单位为帕（Pa）；

t2——压力变化所经历的时间，单位为分钟（min）。

6.2.2稼动率

以ALD镀膜设备连续满产30d为统计周期，按公式（3）计算：

T

U=1100％·······································································(3)

T2

式中：

U——稼动率；

T1——设备实际运行时间；

T2——设备可用时间。

6.2.3沉积性能

6.2.3.1沉积速率

采用椭偏仪测量膜厚，沉积速率为膜厚与循环圈数的比值。

6.2.3.2沉积温度

在同等位置硅片上粘贴测温试纸，通过试纸显示段温度确定沉积温度。

6.2.3.3沉积压力

实时读取内腔尾部管道压力感应器显示的内腔沉积压力。

6.2.4气体流量

目测读取流量计数值。

6.2.5腔内粉尘

ALD镀膜设备连续满产运行90d后，在室内500lx光照下，目测检查粉尘状况。

6.2.6噪声

ALD镀膜设备负载运行中，用精度为2dB的声级计，按GB/T3768的规定进行试验。

6.2.7电磁兼容

6

T/YGAZXHXXXX—XXXX

按GB/T30116进行。

6.3工艺性能

6.3.1膜厚范围

使用椭圆偏振仪，测量硅片的四角和中间点厚度，四角取点时距硅片边沿10mm～20mm，计算平均

值。

6.3.2膜厚均匀性

6.3.2.1片内不均匀性

使用椭圆偏振仪，测量硅片的四角和中间点厚度，四角取点时距硅片边沿10mm～20mm，计算平均

值。按式（4）计算。

YYmaxmin

Pn＝100％·································································(4)

2Yav

式中：

Pn——片内不均匀性；

Ymax——片内最大测量值，单位为纳米（nm）；

Ymin——片内最小测量值，单位为纳米（nm）；

Yav——片内测量值的平均值。

6.3.2.2片间不均匀性

选取X份硅片，使用椭圆偏振仪，测量硅片的四角和中间点厚度，四角取点时距硅片边沿10mm～20

mm，计算平均值，按式（5）计算。

Pmax-Pmin

W=n100％······························································(5)

2Pav

式中：

Wn——片间不均匀性；

Pmax——X份硅片中片内平均值的最大值，单位为纳米（nm）；

Pmin——X份硅片中片内平均值的最小值，单位为纳米（nm）；

Pav——X份硅片中片内平均值的平均值。

6.3.2.3批间不均匀性

选取X批硅片，一批有X份，使用椭圆偏振仪，测量硅片的四角和中间点厚度，四角取点时距硅片边

沿10mm～20mm，按式（6）计算。

W-W

R=maxmin100％································································(6)

2Wav

式中：

R——批间不均匀性；

Wmax——X批硅片中片间平均值的最大值，单位为纳米（nm）；

Wmin——X批硅片中片间平均值的最小值，单位为纳米（nm）；

Wav——X份硅片中片间平均值的平均值。

6.3.3钝化性能

6.3.3.1少子寿命

6.3.3.2暗饱和电流密度

6.3.3.3开路电压

6.3.3.4填充因子

7

T/YGAZXHXXXX—XXXX

6.3.4折射率

使用椭圆偏振仪测量，取点位置为上、下舟左、中、右，前、中、后各放置一片抛光片，工艺结束

后测试中心及4个角落（距边2cm），使用光谱椭偏仪软件计算出结果。

6.3.5不良比例

以ALD镀膜设备连续满产运行90d为统计周期，统计有长粉、烧片、局部钝化失效、黑斑、气流印

梳齿、顶齿印、吸盘印、崩边、脱晶、划伤、爆膜的不良现象的电池片数量，计算不良电池片与投入总

数量值的百分比。

6.3.6背面绕镀

6.3.6.1硅片双插后镀70nm氧化铝薄膜，工艺结束后观察外观。

6.3.6.2双插氧化铝生长5nm左右氧化铝薄膜，背面生长70nm氮化硅后观察外观。

6.3.7工艺移植性

不同ALD镀膜设备运行同一工艺配方，计算不同ALD镀膜设备间的管间均匀性。

6.3.8返工率

以ALD镀膜设备连续满产运行90d为统计周期，结果按式（7）计算。

f

F＝×100％·········································································(7)

A

式中：

F——返工比例；

f——机台问题导致返工的数量；

A——总产量。

6.4自动化

6.4.1碎片率

以ALD镀膜设备满负荷运行90d为统计周期，结果按式（8）计算。

C3

×100％·······································································(8)

CA

式中：

η——碎片率；

C3——非人为原因造成的碎片数量值；

CA——总产量。

6.4.2漏吸、掉片

以ALD镀膜设备满负荷运行90d为统计周期，按式（9）计算。

d

D＝···············································································(9)

B

式中：

D——掉片，单位为次每班；

d——统计周期内单台ALD镀膜设备掉片数，单位为次；

B——统计周期内总班数，单位为班。

6.4.3卡、堵片

以ALD镀膜设备连续满产90d为统计周期，结果按式（10）计算。

e

E＝·············································································(10)

B

8

T/YGAZXHXXXX—XXXX

式中：

E——掉片，单位为次每班；

e——统计周期内单台ALD镀膜设备漏吸、掉片数，单位为次；

B——统计周期内总班数，单位为班。

6.4.4不良比例

ALD镀膜设备运行7d，统计不良电池片数量，计算不良电池片与总产量的百分比。

6.4.5产能

以ALD镀膜设备连续满产90d为统计周期，结果按式（11）计算。

CA

C1＝······································································(11)

2160Tj

式中：

C1——产能，单位为片每小时；

CA——总产量，单位为片；

Tj——计划性维护时间，单位为小时。

6.5安全

6.5.1电气

按GB/T5226.33进行。

6.5.2急停

6.5.2.1目测检查急停按钮是否安装在合适位置，用分度值不大于1mm的测量用具对设定位置进行测

量。

6.5.2.2在ALD镀膜设备正常运行时断电，检查是否停机；在ALD镀膜设备正常运行时引发报警器，

检查是否停机。重启后，确认本地存储参数（设备重要的工艺、通讯等参数）是否丢失，是否和停机前

一致。

6.5.2.3用分度值不大于1mm的测量用具进行测量。

6.5.2.4目测计数，用分度值不大于1mm的测量用具进行测量。

6.5.3维修

6.5.3.1目测确认是否安装联动防护开关，使用普通工具拆解确认是否可拆；启动联锁装置，查看安

全门是否屏蔽联锁装置。

6.5.3.2开启安全门，检查是否弹出提示信息；在没有确认提示信息情况下关闭安全门，检查是否能

关闭。

6.5.3.3目测检查按钮位置，按以下步骤进行：

a)打开安全门；

b)在未确认内外部按钮时关闭安全门，记录关闭情况；

c)确认内部按钮，且不确认外部按钮，关闭安全门，记录关闭情况；

d)确认外部按钮，关闭安全门，记录关闭情况；

e)关闭安全门，确认机器运行正常后，重复步骤a）；

f)在未确认内外部按钮时关闭安全门，记录关闭情况；

g)确认外部按钮，且不确认内部按钮，关闭安全门，记录关闭情况；

h)确认内部按钮，关闭安全门，记录关闭情况。

6.5.3.4检查机台内部作业端上方是否配备安全绳挂钩，使用挂钩，检查预留孔位是否能挂上挂钩。

6.5.4运动控制

6.5.4.1防护设计

目测、手触检查是否设置防护罩。

9

T/YGAZXHXXXX—XXXX

6.5.4.2抱死功能

模拟机台掉电情况，检查机械手升降电机是否抱死，机械手是否坠落。

6.5.4.3负载超限控制

将载荷加至额定载荷1.5倍，检查电机、驱动器运行情况。

7检验规则

7.1检验分类

检验分为出厂检验和型式检验。

7.2出厂检验

按表7的规定进行逐台检验，检验项目符合要求时，判定该ALD镀膜设备合格，其中任一项不合格进

行返修整改，直至合格。

表7出厂检验

项目名称要求章条号检验方法章条号

外观及结构5.16.1

控制性能5.2.16.2.1

安全5.56.5

7.3型式检验

7.3.1型式检验项目为第5章中的所有项目。

7.3.2除另有规定，在出厂检验合格的ALD镀膜设备中随机抽取一台作为试验样品。

7.3.3有下列情况之一时，应进行型式检验：

a)新产品投产或老产品转厂生产，应在生产鉴定前进行型式试验；

b)连续生产的产品，应每两年对出厂验收合格的产品进行型式试验；

c)当改进产品设计和工艺，影响产品性能时，应对首批投入生产的产品进行型式试验；

d)停产两年以上的产品，恢复生产时应进行型式试验；

e)国家质量监督机构要求时。

7.3.4当检验项目全部符合要求时，判型式检验合格；若有任意一项不符合要求，应加倍取样复检。

若复检结果全部符合要求则判型式检验合格；若仍有不符合要求的项目，则判型式检验不合格。

8标志、包装、运输和贮存

8.1标志

8.1.1铭牌应在醒目位置，应至少包括以下内容：

a)型号和名称；

b)制造编号(或出厂日期)或生产批次号或代码；

c)额定电压、电流、功率；

d)外形尺寸和重量；

e)承制方名称、代号或商标、地址、联系方式。

8.1.2安全标志、安全警示标识应符合以下规定：

a)安全标志图形的含义、颜色组合与使用方法应符合GB2894的规定；

b)存在安全隐患的装置上应有醒目的安全标识，如注意夹伤、电击、高温等；

c)管道标识应注明各介质名称和流向；

d)可能对人体造成伤害的部分，应设置醒目的警告标识。

8.1.3包装标志应符合以下规定：

10

T/YGAZXHXXXX—XXXX

a)储运图示标志应符合GB/T191的规定；

b)包装箱上应具有“易碎物品”“禁止翻滚”“向上”“怕湿”等储运图示标志，需要吊装的

包装箱应有“由此吊起”标志；

c)包装箱应至少包含商品分类图示标志、名称、型号和规格、包装箱体积和重量、收货地点和

单位、发货单位、包装日期等信息。

8.2包装

8.2.1应符合GB/T29845的规定。

8.2.2应分类装箱，同时采用防潮包装、防震包装等防护包装。

8.2.3包装箱外壁应设置文字说明，如名称、箱号、用途及运输存储安全注意事项等。

8.2.4包装箱外壁应有检测倾斜标识，易碎、精密仪器需有易碎、精密等标识。

8.2.5包装采用实木底托，雨膜、铝膜、木箱应360°包裹，严禁有破损。

8.2.6包装中采取防止雨淋、受潮生锈、腐蚀、振动及碰撞的措施。

8.2.7随同备件、附件以及拆卸下的部件或零件应加标签进行标记。随机备件、附件应采用防潮密封

包装。

8.2.8表面不应直接与对镀（涂）层有影响的材料（如橡胶、海绵、聚氯乙烯等）接触。

8.2.9随机文件应采用防潮密封包装，放在包装箱内明显位置，并加以固定。

8.2.10随机文件至少包括以下文件：

a)设备使用说明书；

b)电气控制图；

c)平面布局图；

d)二次配信息表；

e)备件配置清单；

f)易损易耗件清单；

g)主要配置清单；

h)产品合格证。

8.3运输

8.3.1应符合GB/T29845的规定。

8.3.2搬运时应符合以下规定：

a)搬运时应平稳，缓起慢放，避免磕碰划伤表面，避免破坏精度；

b)采用起吊方式搬运时，吊索捆绑位置选择可以承重部位，应避开仪表及结构脆弱部位，起吊

时应控制升降速度，防止倾倒或坠落；

c)使用叉车时，两叉牙长度应超过ALD镀膜设备中心100mm以上；

d)采用气垫搬运时，气垫应放在底部的承重梁下，每台ALD镀膜设备配置的气垫应不少于4个。

8.3.3运输时应符合以下规定：

a)运输时应采取防震、防潮、防晒及防污措施，用敞篷车运输时需加盖篷布；

b)装载时应注意包装箱重心高度一般不超过2m，堆放应整齐牢靠；

c)包装件应放置平衡，不允许偏向一侧；

d)不应与易燃、易爆、易腐蚀的物品同车装运；

e)装车和运输过程中应有防止跌落的紧固措施。

8.4贮存

应存放在仓库中，仓库应清洁、通风，且无腐蚀性介质，环境温度-5℃～40℃，相对湿度不大于

75％。不同型号规格的ALD镀膜设备应分别放置，摆放整齐，不应倒置；与腐蚀性、易燃、易爆物品隔

离存放；小型和精密部件应放置在器材架上；包装件应堆放在带枕木的底座上，枕木高度应不低于200mm。

11

团体标准

《光伏电池工艺设备原子层沉积（ALD）

镀膜设备技术规范》

（征求意见稿）

编制说明

标准编制组

2025年3月

一、工作简况

（一）任务来源

根据2025年1月10日广东省粤港澳大湾区战略性新兴产业发展促进

会发布的《关于<光伏电池工艺设备低压扩散设备技术规范>等三项团体

标准立项的通知》，由拉普拉斯新能源科技股份有限公司牵头申报的团体

标准《光伏电池工艺设备原子层沉积（ALD）镀膜设备技术规范》获批

立项。

（二）立项目的和意义

原子层沉积（ALD）技术是一种先进的薄膜沉积技术，它通过精确控

制化学反应在基底表面逐层沉积材料，实现原子级别的薄膜厚度控制。

ALD技术在微电子、光伏、光学、生物医学等领域展现出巨大的应用潜

力。随着全球对高性能材料需求的不断增长，以及新能源、柔性电子等新

兴产业的崛起，ALD技术迎来了前所未有的发展机遇。

技术发展与市场需求：ALD技术以其高精度控制、均匀性覆盖和无

孔隙等特点，在微电子、光学、生物医学等领域展现出了巨大的应用潜力。

随着全球对高性能材料需求的不断增长，以及新能源、柔性电子等新兴产

业的崛起，技术更是迎来了前所未有的发展机遇。

提升国际竞争力：开展原子层镀膜设备标准的研制，不仅符合技术发

展的趋势，也是满足市场需求、推动产业升级的重要举措。通过自主研发

和制造高性能的原子层镀膜设备，可以满足市场对高精度薄膜制备技术的

需求，推动相关产业的升级和发展。

技术创新与产业升级：原子层镀膜设备项目的实施将促使企业加大研

发投入，提升技术创新能力，进而推动企业的转型升级和可持续发展。

环境友好与可持续发展：在可持续发展的未来，ALD薄膜可以提高

1

太阳能电池板和燃料电池的性能。采用ALD涂层的粉末载体展现了在低

成本、环境友好型催化剂方面的潜力。

提高产品性能：ALD技术能够显著增加组件的集成密度，提高太阳

能电池板和燃料电池的性能，这对于提高能源效率和降低成本具有重要意

义。

（三）起草单位

本标准由拉普拉斯新能源科技股份有限公司牵头编制。

（四）主要工作过程

1.标准预研阶段

2024年10月6日，拉普拉斯新能源科技股份有限公司召开标准立项

讨论会。会议决定以拉普拉斯新能源科技股份有限公司积累多年的ALD

镀膜设备研发和生产制造经验为基础，检索对比国内外ALD镀膜设备相

关标准，组建标准编制组，开始进行预研工作。

2.标准立项阶段

经过前期的讨论和资料检索，基本确定拟立项标准的编制目的、意义、

框架和主要内容等。

2024年12月31日，拉普拉斯新能源科技股份有限公司向广东省粤

港澳大湾区战略性新兴产业发展促进会提交了《团体标准立项申请书》。

2025年1月10日，广东省粤港澳大湾区战略性新兴产业发展促进会发布

《关于<光伏电池工艺设备低压扩散设备技术规范>等三项团体标准立

项的通知》，正式批准《光伏电池工艺设备原子层沉积（ALD）镀膜设

备技术规范》立项。

3.调研和初稿阶段

标准立项后，编制组进行了新一轮的标准查新，并根据立项任务书的

2

计划，着手起草初稿，并于2025年1月22日完成标准草案。

草案完成后，编制组于2025年2月20日对标准草案的全文框架、技

术指标等进行研讨，研讨会后编制组对标准草案进行了修改。2025年3

月3日，编制组对于文本细节、指标限值进一步确认和完善。

经过两次研讨后，编制组于2025年3月19日形成《光伏电池工艺设

备原子层沉积（ALD）镀膜设备技术规范》（征求意见稿）和编制说明。

二、标准化对象简要情况及制修订标准的原则

（一）标准化对象简要情况

原子层沉积（ALD）镀膜设备是一种高精度薄膜沉积设备，通过交替

引入化学气相前驱体，在基底表面逐层沉积单原子层薄膜。其核心优势包

括薄膜厚度的高精度控制（亚纳米级），优异的均匀性和台阶覆盖能力，

以及低温沉积特性。ALD设备适用于多种材料和复杂形状的基底，如晶

圆、3D零件和多