CN119517133A 存储芯片的时序参数确定方法及控制器、设备、介质 （深圳市晶存科技股份有限公司）

道福保社区市花路创凌通科技大厦三层本申请公开了一种存储芯片的时序参数确值确定的当前发送时延进行行列位置确定处理第三端值和更新步进值确定的且小于第四端值能提高测试存储芯片的时序参数的最小参考值2将预配置的初始延时测试范围所确定的初始发送延时与预设的初始步进值基于所述当前发送时延进行行列位置确定处理根据所述校验结果，对当前延时测试范围进行第一更新处理得到更新延时测试范围，在所述当前步进值大于或等于预设步进阈值的情况下，将所述直至所述更新步进值小于预设步进阈值，将最近一次令所述校验结果将所述测试码型存储至所述存储位置之后，再对所述存储位置根据所述更新的第二端值将所述当前延时测试范围更新，得到所述更新延时测试范36.根据权利要求1或3所述的存储芯片的时序;8.一种控制器，其特征在于，包括至少一个4将预配置的初始延时测试范围所确定的初始发送延时与预设的初始步进值相加，基于所述当前发送时延进行行列位置确定处理5根据更新的第一端值将所述当前延时测试范围更新，得到所述更新延时测试范6;[0015]图1是本申请一个实施例提供的用于实现存储芯片的时序参数确定的测试系统的图3是本申请一个实施例提供的当校验结果为校验通过时第一更新处理的步骤流7图4是本申请一个实施例提供的当校验结果为校验错误时第一更新处理的步骤流技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，8可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本9这一时序参数t有不同的需求。例如，某一平台要求存储芯片的时序参数的参考值最小为芯片的时序参数能在为平台筛选适配的存储芯片的过程中给装配人员提供可[0043]通过步骤S110至步骤S160，在利用控制器测试确定存储芯片的时序参数的过程值大于或等于预设步进阈值的情况下，将第三端值和更新步进值相加得到更新发送时延；选通控制信号指示了待访问的存储位置的列地址。测试人员可以根据需求设置存储位置，延时测试范围包括第一端值和大于第一端值;新机制，通过每次读写校验处理的校验结果不断地对初始步进值进行更新得到更新步进;t第一更新处理得到更新延时测试范围（10ns至50ns进行与步骤S504相同的第二更新处理确定更新步进值（5ns从而将更新延时测试范围的第三端值10ns与更新步进值第一更新处理得到更新延时测试范围（15ns至50ns进行与步骤S504相同的第二更新处理确定更新步进值（5ns从而将更新延时测试范围的第三端值15ns与更新步进值第一更新处理得到更新延时测试范围（20ns至50ns进行与步骤S504相同的第二更新处理确定更新步进值（5ns从而将更新延时测试范围的第三端值20ns与更新步进值于步骤S507确定当前延时测试范围为20ns至50ns，将当前发送时延T1=25ns确定为更新的为1，统计校验结果为校验通过的读写校验;第一更新处理得到更新延时测试范围（20ns至21.25ns进行与步骤S508相同的第二更新步进阈值（0.5ns则将最近一次令校验结果为校验通过的更新发送时校验结果为校验错误，此时应进行与步骤S504相同的第一更新处理得到更新延时测试范围[0090]可以理解的是，当一个待测的存储芯片的时序参数的最小参考值为20.625ns左601来调用执行本申请实施例的存储芯片的时[0096]以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明，但本申请并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的前提下还可作出种种的等同变形或替