CN119517602A 高性能烧结钐钴永磁体的双梯度时效处理方法及制备方法 （钢铁研究总院有限公司）

高性能烧结钐钴永磁体的双梯度时效处理本发明涉及一种高性能烧结钐钴永磁体的体受限于方形度和/或最大磁能积中的至少一个因素较差，进而导致综合磁性能难以提高的问23保温处理后的钐钴生坯升温至T4后保温处理；4保温处理后的钐钴生坯降温至T5后保温处理，然后降温至T6后1为200~300℃,T2=T1+200℃~T1+300℃,T3=T2+150℃~T1+250℃,T4为790~870℃,且T3＜T4；T5=T4_140℃~T4_120℃,T6=T4_240℃~T4_220℃,300~400℃,且T7＞T8。2为450~550℃;3为650~750℃。4.根据权利要求3所述的双梯度时效处理方法，其特征在于，所述保温时间t1和/或t2123567839.一种高性能烧结钐钴永磁体的制备方法，其所述烧结和固溶的主要步骤包括：将磁体生坯在1180～1235℃烧结，时间为1.0~4[0002]2:17型Sm_Co永磁材料因具有饱和磁化强度大、居里温度高和温度稳定性好等优直都是人们提高2:17型Sm_Co磁体最大磁能积的有效方法之一。但当Fe含量超过19wt%时，的微孪晶的形式存在于基体中。这种在固溶过程中形成的2:17R微孪晶会妨碍后续时效过方法及制备方法，用以解决现有技术中高铁钐钴永磁体受限于方形度和/或最大磁能积中其中，T1为200~300℃,T2=T1+200℃~T1+300℃,T3=T2+150℃~T1+250℃,T4为790~为300~400℃,且T7＞T8。2为450~550℃;5率R5和/或R6和/或R7和/或R8为4_6℃/min。6主要为等温时效结合随后的分级降温或缓慢冷却，但其对于提升磁体的磁性能效果有限，73保温处理后的钐钴生坯升温至T4后保温处理；其中，T1为200~300℃,T2=T1+200℃~T1+300℃,T3=T2+150℃~T1+250℃,T4为790~为300~400℃,且T7＞T8。的滑移以及提高了1:5H胞壁相的形核率，在1:7H相分解之前产生较多的1:5H纳米沉淀相。相的数量同时准备进入等温时效阶段。81223392:17R转变）和1:5H胞壁相的形核和纳米沉淀相析出的最佳条件，同时避免不必要的副反4为6.5~7.5℃/min。℃/min。5℃/min。6℃/min。7℃/min。T8[0086]于一些优选实施例中，所述固溶处理的温度为1130～1160℃,固5）惰性气体微正压烧结，微正压压强为0.015MPa，烧结温度为1195℃,时间为一级后梯度时效处理：将在790℃保温24h处理的钐钴生坯以0.5℃/min的降温速本实施例与实施例1的区别在于等温时效，其余步骤和参数与实施例1基本相同。本实施例与实施例1的区别在于等温时效，其余步骤和参数与实施例1基本相同。本实施例与实施例1的区别在于三级前梯度时效和等温时效，其余步骤和参数与本实施例与实施例1的区别在于三级前梯度时效和等温时效，其余步骤和参数与本实施例与实施例1的区别在于三级前梯度时效和等温时效，其余步骤和参数与本实施例与实施例1的区别在于三级前梯度时效和等温时效，其余步骤和参数与本实施例与实施例1的区别在于三级前梯度时效和等温时效，其余步骤和参数与本实施例与实施例1的区别在于三级前梯度时效和等温时效，其余步骤和参数与本对比例与实施例1的区别在于时效处理中的前梯度时效，其余步骤和参数与实℃/min升温至550℃,保温3h；再以10℃/min升温至750℃保温3h；再以5℃/min的升温速率本对比例与实施例1的区别在于时效处理中的前梯度时效，其余步骤和参数与实℃/min升温至300℃,保温3h；再以10℃/min升温至750℃保温3h；再以5℃/min的升温速率的降温速度降温至500℃,然后保温3h；再以0.5℃/本对比例与实施例1的区别在于时效处理中的前梯度时效，其余步骤和参数与实的降温速度降温至500℃,然后保温3h；再以0.5℃/本对比例与实施例1的区别在于时效处理，其余步骤和参数与实施例1基本相同。℃,保温24h；将在790℃保温24h处理的钐钴生坯以0.5℃/min的降温速度降温至700℃,然本对比例与实施例2的区别在于时效处理，其余步骤和参数与实施例2基本相同。℃,保温12h；将在830℃保温12h处理的钐钴生坯以0.5℃/min的降温速度降温至700℃,然本对比例与实施例3的区别在于时效处理，其余步骤和参数与实施例3基本相同。℃,保温20h；将在830℃保温20h处理的钐钴生坯以0.5℃/min的降温速度降温至700℃,然