CN119517825A 一种用于毫米波sop组件的一体化堆叠封装方法 （中国电子科技集团公司第十研究所）

一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方源基板的第一表面和第二层有源基板的第一表焊料球；步骤S2:使用机器视觉进行第一层有源板和第一层有源基板的凸点互连；步骤S3:对电子器件中的表贴器件进行回流封装；步骤S4:在22.根据权利要求1所述的一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方法，其特征在3.根据权利要求1所述的一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方法，其特征在4.根据权利要求1_3任一项所述的一种用于毫米波SOP组件5.根据权利要求1所述的一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方法，其特征在步骤S23：以所述中心位置点为基准构建放射线并在放射线的覆盖范围内选取边缘参6.根据权利要求5所述的一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方法，其特征在3统计所述分解波形组中的波形的一致性分布，并根7.根据权利要求6所述的一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方法，其特征在行分组的位置点位于任意两个位置关系为相邻的边缘参考曲线的波峰或者波谷的距离大8.根据权利要求5所述的一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方法，其特征在将最大直径圆内侧和最小直径圆外侧的区域作为9.根据权利要求5所述的一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方法，其特征在将在线段上的像素点排序并根据相邻像素点之间的差确定差值曲线的顶点或者底点并将差值曲线的顶点或者底点作10.根据权利要求9所述的一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方法，其特征在4[0004]本发明所要解决的技术问题是，提供一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装将电子器件组装在第一层有源基板的第一表面和第二层有源基板的第一表面的步骤S2:使用机器视觉进行第一层有源基板和第二层有源基板定位，将所述第二所述第一层有源基板与所述第二层有源基板封装时使用焊料的熔点大于表贴器件与第一层有源基板和第二层有源基板封装时使5步骤S23：以所述中心位置点为基准构建放射线并在放射线的覆盖范围内选取边步骤S26：使用所述范围区域构建环形区域并使用环形区域内的像素点构建封闭步骤S27：将所述封闭图形与范围区域的重合区域对应的坐标点作为边缘点的坐将最大直径圆内侧和最小直径圆外侧的区域作为将在线段上的像素点排序并根据相邻像素点之间的差确定差值曲线的顶点或者底点并将差值曲线的顶点或者底点作为边缘点的坐标67板4的底面设置有与第一层有源基板1顶面互联的种植顶面称为第一层有源基板1的第一表面，将第一层有源基板1的底面称为第一层有源基板1[0019]如图1图10所示，本发明公开了的一种用于毫米波SOP组件的一体化堆叠封装方[0020]步骤S2:使用机器视觉进行第一层有源基板1和第二层有源基板4定位，将第二层[0022]请参阅图3，在将电子器件3组装在第一层有源基板1第一表面上和第二层有源基电子器件3包括裸芯片和表贴器件，裸芯片是指没有安装任何封装或保护层的芯8的凸点互连；第一焊料球6和第一层有源基板1上的微凸点将第一层有源基板1和第二层有具体的，第一层有源基板1与管壳2封装时使用焊料的熔点大于第一层有源基板1第一层有源基板1与第二层有源基板4封装时使用焊料的熔点大于表贴器件与第一层有源基板1和第二层有源基板4封装时具体可以为Pb75/In25,熔点为240/260℃;第一层有源基板1与第二层有源基板4的封装时，选用的焊料为无铅焊料Sn96.5/表贴器件与第一层有源基板1和第二层有源基板4的封装时，选用的焊料为63Sn/9步骤S21:对第一层有源基板1的第一表面和第二层有源基板4的第二表面进行拍步骤S22:在第一层有源基板1的定位基准图像上选取中心位置点；此处的中心位步骤S23:以中心位置点为基准构建放射线并在放射线的覆盖范围内选取边缘参步骤S26:使用范围区域构建环形区域并使用环形步骤S27:将封闭图形与范围区域的重合区域对应的坐标点作为第一层有源基板1以第二层有源基板4第二表面上第一焊料球6的中心点或阻焊层开口的中心点作波形的一致性分布有以下三种情况：波形在大于或等于设定数量的波形组中出将在线段上的像素点排序并根据相邻像素点之间的差确定差值曲线的顶点或者底点并将差值曲线的顶点或者底点作为边缘点的坐标[0034]进一步地，在线段上的像素点排序并根据相邻像素点之间的差值构建差值曲线