CN119519640A 一种基于新型牺牲层工艺的baw器件制备方法 （杭州电子科技大学）

一种基于新型牺牲层工艺的BAW器件制备方法本发明公开了一种基于新型牺牲层工艺的ZnO完全腐蚀的同时，还能够避免稀盐酸溶液将用ZnO作为牺牲层，由于其具有与压电层相同的2S6、在压电震荡堆的第一电极和第二电极上形成金属pad层以将第一电极和第二电极S3、在第一层绝缘层和第一牺牲层上覆盖第二层绝S6、在压电震荡堆的第一电极和第二电极上形成金属pad层以将第一电极和第二电极5.根据权利要求4所述的基于新型牺牲层工艺的6.根据权利要求4所述的基于新型牺牲层工艺的B7.根据权利要求6所述的基于新型牺牲层工3S5、在第一电极上形成压电层，在绝缘层和第一S7、在压电层和介质层上分别沉积第二电极和上9.根据权利要求8所述的基于新型牺牲层工艺的BAW器4[0001]本发明属于MEMS器件技术领域，具体涉及一种基于新型牺牲层工艺的BAW器件制[0005]公开号为CN109995342A的发明专利申请公开了一种空气隙型薄膜体声波谐振器[0007]本发明提供了一种基于新型牺牲层工艺的BAW器件制备方法，该制备方法制备的5S6、在压电震荡堆的第一电极和第二电极上形成金属pad层以将第一电极和第二[0010]本发明通过在BAW器件上预留无源器件放置预留窗口，使得后续键合具有无源器S6、在压电震荡堆的第一电极和第二电极上形成金属pad层以将第一电极和第二6[0020]本发明提供了一种基于新型牺牲层工艺的BAW器件制备方法，工艺上相较传统的2除发挥自身作用的同时额外提供了温度补偿的作用。7图2为本发明具体实施例提供的基于新型牺牲层工艺的体声波谐振器制备方法流[0026]本发明具体实施例提供了一种基于新型牺牲层工艺的BAW器件制备方法，在切割图1a展示了一个阶梯型滤波器的拓扑结构，该电路由BAW谐振器通过串联与并联对应滤波器的右零点，且串联谐振器的串联谐振频率与并联谐振器的并联谐振频率相近，[0027]本发明具体实施例提供了具有多种不同结构的谐振器，该谐振器为体声波谐振填充，刻蚀深度为3.5μm左右，在BAW下的腔体深度只需要足以容纳8[0036]如图3f所示，采用热氧化的方法在绝缘层102和牺牲层填充103_1表面沉积一层底100及温度补偿层104上沉积一层金属钼(Mo)，采用干法刻蚀形成BAW器件的第一电极9[0045]压电层106材料较为理想的候选为：晶体BaxSr(1_x)TiO3(BST)或C轴AlxSc(1_x)[0047]如图3i所示，在压电层106的表面沉积ZnO牺牲材料作为BAW谐振器空气桥结构的[0048]可选地，空气桥的填充物107,107_1[0050]如图3j所示，采用磁控溅射或MOCVD的方法在压电层106表面沉积一层金属钼[0056]如图3l所示，采用干法刻蚀压电层106形成露出BAW器件的第一电极105的窗口一电极305的其中一部分将作为无源电容的下电极305_1，下电极305_1的横向宽度可根据[0064]如图4h所示，在压电层307的表面沉积ZnO牺牲材料作为BAW谐振器空气桥结构的窗口312和无源电容器件的上电极310_1的窗口3[0066]如图4j所示，采用热蒸发或磁控溅射等方法在窗口308、312和312_1上沉积一层