模拟电子技术基础(第四版)完整童诗白ppt课件

1、.,1,多媒体教学课件,模拟电子技术基础FundamentalsofAnalogElectronics童诗白、华成英主编,第四版童诗白,目录,第三版童诗白,第一章常用半导体器件,1.1半导体基础知识1.2半导体二极管1.3双极型晶体管1.4场效应管1.5单结晶体管和晶闸管1.6集成电路中的元件,第三版童诗白,本章重点和考点：,1.二极管的单向导电性、稳压管的原理。,2.三极管的电流放大原理，如何判断三极管的管型、管脚和管材。,3.场效应管的分类、工作原理和特性曲线。,第三版童诗白,本章讨论的问题：,2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？,3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？当二种半

2、导体制作在一起时会产生什么现象？,4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？,5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它们都可以用于放大？,1.为什么采用半导体材料制作电子器件？,.,6,1.1半导体的基础知识,导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。,绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。,半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。,一、导体、半导体和绝缘体,PNJunctio

3、n,.,7,半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：,当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。,往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力和内部结构发生变化。,.,8,完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体,将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。,价电子,共价键,图1.1.1本征半导体结构示意图,二、本征半导体的晶体结构,当温度T=0K时，半导体不导电，如同绝缘体。,.,9,图1.1.2本征半导体中的自由电子和空穴,自由电子,空穴,若T，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位空穴。

4、,T,自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。,空穴可看成带正电的载流子。,三、本征半导体中的两种载流子,（动画1-1）,（动画1-2）,.,10,四、本征半导体中载流子的浓度,在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。,本征半导体中载流子的浓度公式：,T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.431010/cm3,本征锗的电子和空穴浓度:n=p=2.381013/cm3,ni=pi=K1T3/2e-EGO/(2KT),本征激发(见动画),复合,动态平衡,.,11,1.半导体中两种载流子,2.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称

5、为电子-空穴对。,3.本征半导体中自由电子和空穴的浓度用ni和pi表示，显然ni=pi。,4.由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。,5.载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。,小结,.,12,1.1.2杂质半导体,杂质半导体有两种,N型半导体,P型半导体,一、N型半导体(Negative),在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N型半导体(或称电子型半导体)。,常用的5价杂质元素有磷、锑、砷等。,.,13,本征半导体掺入5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质

6、原子代替。杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。,.,14,5价杂质原子称为施主原子。,.,15,自由电子浓度远大于空穴的浓度，即np。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。,.,16,二、P型半导体,在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成P型半导体。,空穴浓度多于电子浓度，即pn。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。,3价杂质原子称为受主原子。,受主原子,空穴,图1.1.4P型半导体,.,17,说明：,1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。,3.

7、杂质半导体总体上保持电中性。,4.杂质半导体的表示方法如下图所示。,2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。,(a)N型半导体,(b)P型半导体,图杂质半导体的的简化表示法,.,18,在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为PN结。,图PN结的形成,一、PN结的形成,1.1.3PN结,.,19,PN结中载流子的运动,耗尽层,1.扩散运动,2.扩散运动形成空间电荷区,电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。,PN结，耗尽层。,（动画1-3）,.,20,3.空间电荷区产生内电场,空间电荷区正负

8、离子之间电位差Uho电位壁垒；内电场；内电场阻止多子的扩散阻挡层。,4.漂移运动,内电场有利于少子运动漂移。,少子的运动与多子运动方向相反,.,21,5.扩散与漂移的动态平衡,扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；当扩散电流与漂移电流相等时，PN结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。,即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。,.,22,二、PN结的单向导电性,1.PN结外加正向电压时处于导通状态,又称正向偏置，简称正偏。,图1.1.6,.,23,二、PN结的单向导电性,1.PN结外加正向电压时处于导通状态,又称正向偏置，简称正偏。,图1.1.6,.,2

9、4,在PN结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻R。,2.PN结外加反向电压时处于截止状态(反偏),反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内电场的作用；,外电场使空间电荷区变宽；,不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩散电流，电路中产生反向电流I；,由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。,.,25,图1.1.7PN结加反相电压时截止,反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随着温度升高，IS将急剧增大。,.,26,当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于

10、零，PN结处于截止状态。,（动画1-4）,（动画1-5）,综上所述：,可见，PN结具有单向导电性。,.,27,IS：反向饱和电流UT：温度的电压当量在常温(300K)下，UT26mV,三、PN结的电流方程,PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为,公式推导过程略,.,28,四、PN结的伏安特性,i=f(u)之间的关系曲线。,正向特性,反向特性,图1.1.10PN结的伏安特性,反向击穿,.,29,五、PN结的电容效应,当PN上的电压发生变化时，PN结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应。,电容效应包括两部分,势垒电容,扩散电容,1.势垒电容Cb,是由PN结的空间电荷区变化形成的。,

11、(a)PN结加正向电压,（b)PN结加反向电压,.,30,空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。,势垒电容的大小可用下式表示：,由于PN结宽度l随外加电压u而变化，因此势垒电容Cb不是一个常数。其Cb=f(U)曲线如图示。,：半导体材料的介电比系数；S：结面积；l：耗尽层宽度。,.,31,2.扩散电容Cd,是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。,在某个正向电压下，P区中的电子浓度np(或N区的空穴浓度pn)分布曲线如图中曲线1所示。,x=0处为P与耗尽层的交界处,当电压加大，np(或pn)会升高，如曲线2所示(反之浓度会降低)。,当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容

12、的作用可忽略。,正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程扩散电容效应。,图1.1.12,.,32,综上所述：,PN结总的结电容Cj包括势垒电容Cb和扩散电容Cd两部分。,Cb和Cd值都很小，通常为几个皮法几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法。,当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为CjCb。,一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为CjCd；,在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。,.,33,1.2半导体二极管,在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。,二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型,图1.2.1二极管的几种外形,

13、.,34,1点接触型二极管,1.2.1半导体二极管的几种常见结构,PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。,.,35,3平面型二极管,往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,2面接触型二极管,PN结面积大，用于工频大电流整流电路。,(b)面接触型,4二极管的代表符号,D,.,36,1.2.2二极管的伏安特性,二极管的伏安特性曲线可用下式表示,正向特性,反向特性,反向击穿特性,开启电压：0.5V导通电压：0.7,一、伏安特性,开启电压：0.1V导通电压：0.2V,.,37,二、温度对二极管伏安特性的影响(了解),在环境温度升高时，二极管的正向特性将左

14、移，反向特性将下移。,二极管的特性对温度很敏感。,.,38,1.2.3二极管的参数,(1)最大整流电流IF,(2)反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM,(3)反向电流IR,(4)最高工作频率fM,(5)极间电容Cj,在实际应用中，应根据管子所用的场合，按其所承受的最高反向电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等条件，选择满足要求的二极管。,.,39,1.2.4二极管等效电路,一、由伏安特性折线化得到的等效电路,.,40,二、二极管的微变等效电路,二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。,即,根据,得Q点处的微变电导,则,常温下（T=300K）,图1

15、.2.7二极管的微变等效电路,.,41,应用举例,二极管的静态工作情况分析,分析步骤：1.根据已知条件或实际情况确定二极管采用的模型2.将二极管断开，分别计算VA,VK并判断二极管的通断3.套入相应的模型对原电路进行变换4.计算,.,42,应用举例,计算二极管电流和两端的电压,理想模型,恒压模型,（硅二极管典型值）,.,43,应用举例,二极管的静态工作情况分析,折线模型,（硅二极管典型值）,设,P22例1.2.1,.,44,应用举例,例1：P69习题1.2,解：二极管采用理想模型ui和uo的波形如图所示,.,45,1.2.5稳压二极管,一、稳压管的伏安特性,(a)符号,(b)2CW17伏安特性

16、,DZ,.,46,(1)稳定电压UZ,(2)动态电阻rZ,在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。,rZ=VZ/IZ,(3)最大耗散功率PZM,(4)最大稳定工作电流IZmax和最小稳定工作电流IZmin,(5)温度系数VZ,二、稳压管的主要参数,.,47,稳压电路,正常稳压时UO=UZ,#不加R可以吗？,#上述电路UI为正弦波，且幅值大于UZ，UO的波形是怎样的？,（1）.设电源电压波动(负载不变),UIUOUZIZ,UOURIR,（2）.设负载变化(电源不变)略,如电路参数变化？,.,48,例1：稳压二极管的应用,稳压二极管技术数据为：稳压值UZ=10V，Izmax=12m

17、A，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k，输入电压ui=12V，限流电阻R=200，求iZ。若负载电阻变化范围为1.5k-4k，是否还能稳压？,.,49,UZ=10Vui=12VR=200Izmax=12mAIzmin=2mARL=2k(1.5k4k),iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）i=（ui-UZ）/R=（12-10）/0.2=10（mA）iZ=i-iL=10-5=5（mA）RL=1.5k,iL=10/1.5=6.7（mA）,iZ=10-6.7=3.3（mA）RL=4k,iL=10/4=2.5（mA）,iZ=10-2.5=7.5（mA）,负载变化,但iZ仍在12mA和2

18、mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用,.,50,例2：稳压二极管的应用,解：ui和uo的波形如图所示,（UZ3V）,.,51,一、发光二极管LED(LightEmittingDiode),1.符号和特性,工作条件：正向偏置,一般工作电流几mA，导通电压(12)V,符号,特性,1.2.6其它类型的二极管,.,52,发光类型：,可见光：红、黄、绿,显示类型：普通LED，,不可见光：红外光,点阵LED,七段LED,.,53,二、光电二极管,符号和特性,符号,特性,工作原理：,三、变容二极管四、隧道二极管五、肖特基二极管,无光照时，与普通二极管一样。有光照时，分布在第三、四象限。,低功耗、大电流、超高速

19、半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流大.,优点是开关特性好，速度快、工作频率高,.,54,1.3双极型晶体管(BJT),又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。,(BipolarJunctionTransistor),三极管的外形如下图所示。,三极管有两种导电类型：NPN型和PNP型。主要以NPN型为例进行讨论。,图1.3.1三极管的外形,X：低频小功率管D：低频大功率管,G：高频小功率管A：高频大功率管,.,55,图1.3.2(b)三极管结构示意图和符号NPN型,集电区,集电结,基区,发射结,发射区,集电极c,基极b,发射极e,1.3.

20、1晶体管的结构及类型,.,56,集电区,集电结,基区,发射结,发射区,集电极c,发射极e,基极b,.,57,1.3.2晶体管的电流放大作用,以NPN型三极管为例讨论,三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。,不表示两个二极管连接起来就是三极管,.,58,三极管内部结构要求：,1.发射区高掺杂。,2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。,三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。,3.集电结面积大。,.,59,一、晶体管内部载流子的运动,发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流发射区的电子越过发射结扩散到

21、基区，基区的空穴扩散到发射区形成发射极电流IE(基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。,2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流Ibn，复合掉的空穴由VBB补充。,多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。,晶体管内部载流子的运动,.,60,3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流Icn。其能量来自外接电源VCC。,另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。,晶体管内部载流子的运动,.,61,二、晶体管的电流分配关系,IEp,ICBO

22、,IE,IC,IB,IEn,IBn,ICn,IC=ICn+ICBO,IE=IC+IB,图1.3.4晶体管内部载流子的运动与外部电流,.,62,三、晶体管的共射电流放大系数,整理可得：,ICBO称反向饱和电流,ICEO称穿透电流,1、共射直流电流放大系数,.,63,直流参数与交流参数、的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，直流和交流的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。,2、共射交流电流放大系数,.,64,3、共基直流电流放大系数,或,4、共基交流电流放大系数,5.的关系,.,65,1.3.3晶体管的共射特性曲线,iB=f(uBE)UCE=const,(2)当uCE1V时，uCB=

23、uCE-uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，在同样的uBE下IB减小，特性曲线右移。,(1)当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。,一.输入特性曲线,.,66,iC=f(uCE)IB=const,二、输出特性曲线,测量方法说明,.,67,输出特性曲线的三个区域:,放大区：条件：发射结正偏，集电结反偏特点：iC的大小不受uCE的影响，只受IB的控制。如何根据曲线获得值,.,68,输出特性曲线的三个区域:,截止区：条件：发射结反偏（不导通），集电结反偏特点：iC电流趋近于0。等效模型：相当于开关断开,.,69,输出特性曲线的三个区域:,饱和区：条件：发射结正偏，

24、集电结正偏特点：iB、iC大到一定数值后三极管进入该区域，UCE电压的数值较小。等效模型,.,70,三极管的参数分为三大类:直流参数、交流参数、极限参数,一、直流参数,1.共发射极直流电流放大系数,=（ICICEO）/IBIC/IBvCE=const,1.3.4晶体管的主要参数,2.共基直流电流放大系数,3.集电极基极间反向饱和电流ICBO,集电极发射极间的反向饱和电流ICEO,ICEO=（1+）ICBO,.,71,二、交流参数,1.共发射极交流电流放大系数=iC/iBUCE=const,2.共基极交流电流放大系数=iC/iEUCB=const,3.特征频率fT,值下降到1的信号频率,.,72

25、,1.最大集电极耗散功率PCM,PCM=iCuCE,三、极限参数,2.最大集电极电流ICM,3.反向击穿电压,UCBO发射极开路时的集电结反向击穿电压。,UEBO集电极开路时发射结的反向击穿电压。,UCEO基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。,几个击穿电压有如下关系UCBOUCEOUEBO,.,73,.,74,1.3.5温度对晶体管特性及参数的影响,一、温度对ICBO的影响,温度每升高100C，ICBO增加约一倍。反之，当温度降低时ICBO减少。,硅管的ICBO比锗管的小得多。,二、温度对输入特性的影响,温度升高时正向特性左移，反之右移,三、温度对输出特性的影响,温度升高将导致IC增大,温度

26、对输出特性的影响,.,75,三极管工作状态的判断,例1：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？（1）VC6VVB0.7VVE0V（2）VC6VVB4VVE3.6V（3）VC3.6VVB4VVE3.4V,解：,原则：,对NPN管而言，放大时VCVBVE对PNP管而言，放大时VCVBVE,（1）放大区（2）截止区（3）饱和区,.,76,例2某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试判断管脚、管型。,解：电流判断法。电流的正方向和KCL。IE=IB+IC,A,B,C,IA,IB,IC,C为发射极B为基极A为集电极

27、。管型为NPN管。,.,77,例3：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为：（1）U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V（2）U1=3V、U2=2.8V、U3=12V（3）U1=6V、U2=11.3V、U3=12V（4）U1=6V、U2=11.8V、U3=12V判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。,（1）U1b、U2e、U3cNPN硅（2）U1b、U2e、U3cNPN锗（3）U1c、U2b、U3ePNP硅（4）U1c、U2b、U3ePNP锗,原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。发射结正

28、偏，集电结反偏。NPN管UBE0，UBC0，即UCUBUE。PNP管UBE0，UBC0，即UCUBUE。,解：,.,78,1.3.6光电三极管,一、等效电路、符号,二、光电三极管的输出特性曲线,.,79,复习,1.BJT放大电路三个电流关系？,2.BJT的输入、输出特性曲线？,3.BJT工作状态如何判断？,.,80,1.4场效应三极管,场效应管：一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极型三极管。,场效应管分类,结型场效应管,绝缘栅场效应管,特点,单极型器件(一种载流子导电)；,电压控制型器件；,重量轻、体积小、寿命长等优点。,输入电阻高；,.,81,N沟道

29、,P沟道,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,（耗尽型）,场效应管分类：,.,82,符号,1.4.1结型场效应管JunctionFieldEffectTransistor,结构,图1.4.1N沟道结型场效应管结构图,N型沟道,栅极,源极,漏极,在漏极和源极之间加上一个正向电压，N型半导体中多数载流子电子可以导电。,导电沟道是N型的，称N沟道结型场效应管。,.,83,P沟道场效应管,P沟道结型场效应管结构图,P沟道场效应管是在P型硅棒的两侧做成高掺杂的N型区(N+)，导电沟道为P型，多数载流子为空穴。,.,84,一、结型场效应管工作原理,N沟道结型场效应管用改变UGS大小来控制漏极电

30、流ID的。(VCCS),*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流ID减小，反之，漏极ID电流将增加。,*耗尽层的宽度改变主要在沟道区。,.,85,1.当UDS=0时，uGS对导电沟道的控制作用,UGS=0时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽,UGS由零逐渐减小，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。,当UGS=UGS（Off)，耗尽层合拢，导电沟被夹断.,UGS(off)为夹断电压,为负值。UGS(off)也可用UP表示,.,86,2.当uGS为UGS（Off)0中一固定值时,uDS对漏极电流iD的影响。,uGS=0，uGDUGS（Off)，iD较大。

31、,uGSUGS（Off)，iD更小。,注意：当uDS0时，耗尽层呈现楔形。,(a),(b),uGDuGSuDS,.,87,uGS0,uGD=UGS(off),沟道变窄预夹断,uGS0,uGDuGS(off),夹断，iD几乎不变,(1)改变uGS，改变了PN结中电场，控制了iD，故称场效应管；(2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使PN反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。,(c),(d),.,88,3.当uGDuGS(off),时，,uGS对漏极电流iD的控制作用,场效应管用低频跨导gm的大小描述栅源电压对漏极电流的控制作用。,场效应管为电压控制元件(VCCS)。,uGDuG

32、SuDSuGS(off)情况下,即当uDSuGS-uGS(off)对应于不同的uGS，d-s间等效成不同阻值的电阻。,(2)当uDS使uGDuGS(off)时，d-s之间预夹断,(3)当uDS使uGDuGS(off)时，iD几乎仅仅决定于uGS，而与uDS无关。此时，可以把iD近似看成uGS控制的电流源。,.,90,二、结型场效应管的特性曲线,1.输出特性曲线,当栅源之间的电压UGS不变时，漏极电流iD与漏源之间电压uDS的关系，即,.,91,恒流区,可变电阻区,漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。,图1.4.5(b)漏极特性,输出特性（漏极特性）曲线,夹断区,击穿区,.,92,2

33、.转移特性(N沟道结型场效应管为例),图1.4.6转移特性,uGS=0，iD最大；uGS愈负，iD愈小；uGS=UGS(off)，iD0。,两个重要参数,饱和漏极电流IDSS(UGS=0时的ID),夹断电压UGS(off)(ID=0时的UGS),.,93,转移特性,结型场效应管转移特性曲线的近似公式：,.,94,结型P沟道的特性曲线,转移特性曲线,输出特性曲线,栅源加正偏电压，(PN结反偏)漏源加反偏电压。,.,95,1.4.2绝缘栅型场效应管MOSFETMetal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistor,由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半

34、导体场效应管，或简称MOS场效应管。,特点：输入电阻可达1010以上。,类型,N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,增强型,耗尽型,UGS=0时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；,UGS=0时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。,.,96,一、N沟道增强型MOS场效应管,结构,B,G,S,D,源极S,漏极D,衬底引线B,栅极G,图1.4.7N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图,.,97,1.工作原理,绝缘栅场效应管利用UGS来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流ID。,2.工作原理分析,(1)UGS=0,漏源之间相当于两个背靠背的PN结，无论漏源之

35、间加何种极性电压，总是不导电。,.,98,(2)UDS=0，0UGSUT，UGDUT,(b)UGD=UT,(c)UGDUGSUT时，对应于不同的uGS就有一个确定的iD。此时，可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。,.,101,3.特性曲线与电流方程,(a)转移特性,(b)输出特性,UGSUT时),三个区：可变电阻区、恒流区(或饱和区)、夹断区。,图1.4.10(a),图1.4.10(b),.,102,二、N沟道耗尽型MOS场效应管,制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在P型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使UGS=0也会形成N型导电沟道。,+,+,UGS=0

36、，UDS0，产生较大的漏极电流；,UGS0；UGS正、负、零均可。,耗尽型MOS管的符号,N沟道耗尽型MOSFET,.,104,三、P沟道MOS管,1.P沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th)UE,放大,UEUCUB,饱和,PNP管,UCIBS则饱和,IBIBQ，可得(估算),静态基极电流,.,169,2.3.2图解法,在三极管的输入、输出特性曲线上直接用作图的方法求解放大电路的工作情况。,一、静态工作点的分析,1.先确定输入回路IBQ、UBEQ。（一般采用：用估算的方法计算）,.,170,2.3.2图解法,2.用图解法确定输出回路静态值。,方法：根据uCE=VCC-iCRc式确定两个特殊

37、点,.,171,输出回路,输出特性,由静态工作点Q确定的ICQ、UCEQ为静态值。,.,172,【例】图示单管共射放大电路及特性曲线中，已知Rb=280k，Rc=3k，集电极直流电源VCC=12V，试用图解法确定静态工作点。,解：首先估算IBQ,做直流负载线，确定Q点,根据UCEQ=VCCICQRc,iC=0，uCE=12V；,uCE=0，iC=4mA.,.,173,0,iB=0A,20A,40A,60A,80A,1,3,4,2,2,4,6,8,10,12,M,IBQ=40A，ICQ=2mA，UCEQ=6V.,uCE/V,由Q点确定静态值为：,iC/mA,.,174,二、电压放大倍数的分析,1

38、.交流通路的输出回路,输出通路的外电路是Rc和RL的并联。,2.交流负载线,交流负载线斜率为：,.,175,3.动态工作情况图解分析,（动画3-1）,.,176,输出回路工作情况分析,.,177,4.电压放大倍数,【例】用图解法求图示电路电压放大倍数。输入、输出特性曲线如右图，RL=3k。,uCE=(4.57.5)V=-3V,uBE=(0.720.68)V=0.04V,解：,求确定交流负载线,取iB=(6020)A=40A,则输入、输出特性曲线上有,.,178,三、波形非线性失真的分析,1.静态工作点过低，引起iB、iC、uCE的波形失真,ib,ui,结论：iB波形失真,截止失真,（动画3-2

39、）,.,179,iC、uCE(uo)波形失真,NPN管截止失真时的输出uo波形。uo波形顶部失真,uo=uce,.,180,3.用图解法估算最大输出幅度,输出波形没有明显失真时能够输出最大电压。即输出特性的A、B所限定的范围。,Q尽量设在线段AB的中点。则AQ=QB，CD=DE,问题：如何求最大不失真输出电压？,Uomax=min(UCEQ-UCES),(UCC/-UCEQ),（动画3-4）,.,181,4.用图解法分析电路参数对静态工作点的影响,（1）改变Rb，保持VCC，Rc，不变；,Rb增大，,Rb减小，,Q点下移；,Q点上移；,（2）改变VCC，保持Rb，Rc，不变；,升高VCC，直流

40、负载线平行右移，动态工作范围增大，但管子的动态功耗也增大。,Q2,.,182,3.改变Rc，保持Rb，VCC，不变；,4.改变，保持Rb，Rc，VCC不变；,增大Rc，直流负载线斜率改变，则Q点向饱和区移近。,Q2,增大，ICQ增大，UCEQ减小，则Q点移近饱和区。,图2.4.9(c),图2.4.9(d),.,183,图解法小结,1.能够形象地显示静态工作点的位置与非线性失真的关系；2.方便估算最大输出幅值的数值；3.可直观表示电路参数对静态工作点的影响；4.有利于对静态工作点Q的检测等。,.,184,2.3.3等效电路法,晶体管在小信号(微变量)情况下工作时，可以在静态工作点附近的小范围内用

41、直线段近似地代替三极管的特性曲线，三极管就可以等效为一个线性元件。这样就可以将非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。,一、微变等效条件,研究的对象仅仅是变化量,信号的变化范围很小,.,185,1.H(hybrid)参数的引出,在小信号情况下，对上两式取全微分得,用小信号交流分量表示,vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,输入、输出特性如下：,iB=f(vBE)vCE=const,iC=f(vCE)iB=const,可以写成：,二、晶体管共射参数等效模型,.,186,输出端交流短路时的输入电阻；,输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数；,输入端交

42、流开路时的反向电压传输比；,输入端交流开路时的输出电导。,其中：,四个参数量纲各不相同，故称为混合参数。,2.H参数的物理意义,hybrid（H参数）,.,187,3.H参数小信号模型,根据,可得小信号模型,H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。H参数与工作点有关，在放大区基本不变。H参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析。,.,188,4.简化的H参数等效模型,即rbe=hie=hfeuT=hrerce=1/hoe,一般采用习惯符号,则BJT的H参数模型为,uT很小，一般为10-310-4，rce很大，约为100k。故一般可忽略它们的影响，得到简化电路,ib是受控源，且为电流控制

43、电流源(CCCS)。电流方向与ib的方向是关联的。,.,189,5.H参数的确定,一般用测试仪测出；,rbe与Q点有关，可用图示仪测出。,一般也用公式估算rbe,rbe=rb+(1+)re,则,对于低频小功率管rb(100300）,.,190,三、共射放大电路动态参数的分析,电路动态参数的分析就是求解电路电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。,解题的方法是：作出h参数的交流等效电路,图2.2.5共射极放大电路,（动画3-7）,.,191,根据,则电压增益为,（可作为公式）,1.求电压放大倍数（电压增益）,.,192,2.求输入电阻,3.求输出电阻,令,.,193,4.当信号源有内阻时：,Ri为放大

44、电路的输入电阻,.,194,解（1）求Q点，作直流通路,（1）试求该电路的静态工作点；（2）画出简化的小信号等效电路；（3）求该电路的电压增益AV，输出电阻Ro、输入电阻Ri。,例如图，已知BJT的=100，UBE=-0.7V。,.,195,2.画出小信号等效电路,3.求电压增益,200+（1+100）26/4=865欧,.,196,4.求输入电阻,5.求输出电阻,Ro=Rc=2K,6.非线性失真判断,底部失真即截止失真基极电流太小，应减小基极电阻。,.,197,等效电路法的步骤(归纳),1.首先利用图解法或近似估算法确定放大电路的静态工作点Q。2.求出静态工作点处的微变等效电路参数和rbe。

45、3.画出放大电路的微变等效电路。可先画出三极管的等效电路，然后画出放大电路其余部分的交流通路。4.列出电路方程并求解。,.,198,2.4放大电路静态工作点的稳定,2.4.1静态工作点稳定的必要性,三极管是一种对温度十分敏感的元件。温度变化对管子参数的影响主要表现有：,1.UBE改变。UBE的温度系数约为2mV/C，即温度每升高1C，UBE约下降2mV。,2.改变。温度每升高1C，值约增加0.5%1%，温度系数分散性较大。,3.ICBO改变。温度每升高10C，ICBQ大致将增加一倍，说明ICBQ将随温度按指数规律上升。,动画avi3-8.avi,.,199,温度升高将导致IC增大，Q上移。波形

46、容易失真。,T=20C,T=50C,图2.4.1晶体管在不同环境温度下的输出特性曲线,.,200,2.4.2典型的静态工作点稳定电路,稳定Q点常引入直流负反馈或温度补偿的方法使IBQ在温度变化时与ICQ产生相反的变化。,一、电路组成和Q点稳定原理,（动画3-5）,.,201,所以UBQ不随温度变化，,电流负反馈式工作点稳定电路,TICQIEQUEQUBEQ(=UBQUEQ)IBQICQ,阻容耦合的静态工作点稳定电路,由于IRIBQ，可得(估算),.,202,二、静态工作点的估算,由于IRIBQ，可得(估算),静态基极电流,.,203,三、动态参数的估算,.,204,如无旁路电容，动态参数如何计

47、算？,图2.4.4(a)无旁路电容时的交流电路,.,205,2.4.3稳定静态工作点的措施,a利用二极管的反向特性进行温度补偿,图2.4.5静态工作点稳定电路,b利用二极管的正向特性进行温度补偿,.,206,复习：,1.如何用图解法求静态工作点？,2.NPN管共射放大电路Q点设置太低，输出电压将会如何？如何调节？,3.直流通路、交流通路如何绘制？,4.BJT的h参数等效模型如何？基射极等效电阻如何计算？,6.为什么要稳定静态工作点？如何稳定？,5.共射放大电路静态、动态分析包括哪些参数？,.,207,2.5晶体管单管放大电路的三种基本接法,三种基本接法,共射组态CE,共集组态CC,共基组态CB

48、,2.5.1基本共集放大电路,图2.5.1基本共集放大电路(a)电路,一、电路的组成,信号从基极输入，从发射极输出,（动画3-6）,.,208,二、静态工作点,由基极回路求得静态基极电流,则,(a)电路图图2.5.1共集电极放大电路,.,209,三、电流放大倍数,所以,四、电压放大倍数,结论：电压放大倍数恒小于1，而接近1，且输出电压与输入电压同相，又称射极跟随器。,.,210,五、输入电阻,输入电阻较大。,.,211,六、输出电阻,输出电阻低，故带载能力比较强。,Ro,图2.5.3共集放大电路的输出电阻,如输出端加上发射极电阻Re,如输出端无发射极电阻Re,.,212,2.5.2共基极放大电路,图2.5.4共基极放大电路,(a)原理电路,VEE保证发射结正偏；VCC保证集电结反偏；三极管工作在放大区。,(b)实际电路,实际电路采用一个电源VCC，用Rb1、Rb2分压提供基极正偏电压。,.,213,一、静态工作点(IBQ