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文档简介

1、.重氢在钨中的滞留和晶格损伤，用摘要SIMS (二次离子质量分析)和RGA (残留气体分析)，研究重氢分子在单晶钨(300k下6kev的重氢离子注入)中的深度分布。 2 .将NRA (核反应分析)和RBS与离子束通道技术结合研究重氢和晶格损伤在单晶钨(300k用10kev的重氢离子注入)中的分布。 3 .至少2种缺陷捕获了重氢：在注入的区域形成重氢分子的泡沫，在距离表面超过1m的区域形成的位错捕获了重氢原子。1.introduction，对钨中的微观结构在照射期间的进化研究表明，氢离子的能量低于阈值能量时，没有观察到任何结果。 能量更高的话，在室温下就会形成位错环和氢气泡。 另外，随着照射温度

2、的提高，变位环出现处的氢的流量增加，变位环的饱和度减少。 在873k以上的温度下，单晶钨只能观测到好的氢泡，而多晶钨能观测到氢泡和位错环。 2.experience、2.1 SIMS/RGA中使用的样品是将纯度99.99wt%厚度0.6-0.7mm的单晶钨薄片在300k的温度下，以12kev的(6kev的d离子)注入到单晶钨中。 离子通量密度为(4.5-4.7 )。 在分析重氢的滞留量之前，对片表层进行电化学研磨，在研磨前后称量样品的重量，估计被蚀刻的深度。 注入重氢离子和电化学研磨后，用SIMS和RGA得到了接近重氢表层的浓度。 2.2用于离子束分析的材料为纯度99.99wt%厚1.5mm厚

3、的薄片，样品表面与晶面平行。 在300k的温度下以30kev (10kev的d离子)注入，然后用1MeV离子碰撞，产生离子和质子，得到重氢的深度分布。 然后结合RBS和离子束通道技术研究了晶格缺陷。 3.Results，重氢原子的迁移远远超过了离子注入区域。 流量超过一定值时，形成重氢分子，这些重氢分子滞留在注入区域中。 随着流量的增加，重氢分子的浓度比重氢原子的浓度快得多。n是缺陷浓度，是缺陷的信道去除因子(不同类型的缺陷的不同) N是每单位深度的信道去除概率。 从=推测重氢泡的脱通道因子与能量无关，与位错的脱通道因子有关。 然后位错的浓度随着深度的增加而变高。 在4.Discussion and conclusions中，在温度300k下用6kev的d离子注入单晶钨的话，d原子就会移动到距离表面几微米的区域。 作为重氢分子聚集起来。 至少有两种缺陷捕获了重氢。 一个是满足重氢分子的重氢

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