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文档简介

1、半导体物理复习-第2，5章非平衡载体，第一，基本概念，第一。过剩电子、过剩孔、过剩载体(非平衡载体)、不平衡载体寿命？超电子：在导带中超过热平衡状态浓度的电子浓度超空洞：在原子价带中超过热平衡状态浓度的空心浓度超载波：超电子和腔的统称超小肠在复合之前存在的平均时间。2.小注入和大注入小注入：如果过剩载体浓度远小于热平衡多子浓度，则大注入：如果过剩载体浓度接近或大于热平衡多子浓度3。准费米能级是什么？在不平衡中，由于导带和价格在整体上不均衡，因此，导带的电子和原子价带的气穴能量分布问题不能用均匀的费米能量水平来解释。但是，导向带中的电子和原子价带中的洞按能量在各自的能量带中进行准平衡分布，因此可

2、以说是固有的费米能级准费米能。准费米水平分离度，即的大小，反映了与平衡状态的分离度。4 .载流量生成和复合，直接复合，间接复合，复合率生成：电子从价带到引导带，电子从杂质能量等级转移到引导带，或从腔中原子从杂质能量等级转移到原子价的过程组合：电子和孔消失或消失的过程直接复合：传导带电子和原子可以直接消失带腔的过程，能带的复合。间接复合：通过禁止区域的复合中心的电子和空腔的复合复合复合复合比率：单位时间单位体积内复合的电子-空腔代数。什么是载体扩散运动？建立电子和空腔的扩散电流密度方程。半导体内部存在载流子浓度梯度时，载流子诱发从浓度高扩散到浓度低的地方。扩散行为是基于载波的行为。电子扩散电流：

3、2，基本公式(理解)，1。漂移电流密度公式：2。扩散电流密度公式，3，3。爱因斯坦关系：4。不平衡子相关公式(主)，子寿命，生成率，案例1，n型GaAs半导体中的T=300K，电子浓度在0.10cm-3到7100cm-3的距离上线性变化。如果电子的扩散系数为Dn=225cm2/s，则电子的扩散电流密度，示例2，示例3，中点：1。确定过剩(不平衡)载波概念2。了解不同注入情况下的载体寿命公式3。掌握不平衡载波变化规律计算，第6章p-n结、1 p-n结和频带图空间电荷区、平衡p-n结、障碍区；了解P-n运动类型的形成原因。平衡p-n连接频带图2 p-n连接电流电压特性不平衡p-n连接频带图，焦点：平衡p-n连接频带图；空间电荷区域、第七章金属和半导体接触、第一金属和半导体的共函数金属共函数、半导体共函数、电子亲和力2金属和半导体接触金属与n(p)型半导体接触能量准度、壁垒和阻挡层、欧姆接触、肖特基接触、重点：欧姆接触/肖特基接触形成条件、以及表面电位，表面空间电荷层不同状态的定性分析(多子栈、平面带、多子枯竭、小子反转类型)；焦点：表面空间电荷层不同状态的定性分析(多子栈、平面带、

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