tanner L-edit 软件基本操作知识

1、一、Tanner软件简介： Tanner Pro 是一套集成电路设计软件，包括 S-Edit, T-Spice, W-Edit, L-Edit与 LVS, 各软件的主要功能整理如表 1.1 所示。,Tanner软件简介,Tanner Pro的设计流程可以用右图 1.1 来表示。,三、Tanner软件的安装,详细安装过程可以参看我编写的Tanner13.0安装流程（13.0版图在windows7里面可以安装，下面表格为Tanner对电脑的要求）,三、使用L_edit绘制版图,（1）打开 L-Edit 程序：在“开始”菜单“程序”里可以找到，也可以在桌面创建快捷方式。 （2）出现界面如下 （3）L

2、-Edit 会自动将工作文件命名为 Layoutl.sdb 并显示在窗口的标题栏上，如上图所示 （4）文件-保存，保存在自己所选目录下，注意不含中文，这里选择E:L_edit，并命名为EX1。,三、使用L_edit绘制版图,（5）取代设定：选择“文件”-“替换设置”，从Browse选择“D:Program FilesTanner EDAL-Edit and LVSSPRLightsLayoutlights.tdb”，主要是采用其内的DRC信息、layers信息。,三、使用L_edit绘制版图,（6）编辑组件L-Edit 编辑方式是以组件(Cell)为单位而不是以文件(File)为单位的，每一个

3、文件可有多个 Cell, 而每一个 Cell 可表示一种电路布局图或说明， 每次打开新文件时也自动打开一个 Cell 并将之命名为 Ce110其中，编辑画面中的十字为坐标原点。,三、使用L_edit绘制版图,（7）环境设定：绘制布局图，必须要有确实的大小，因此绘图前先要确认或设定坐标与实际长度的关系。选择“设置”命令，打开 “设计” 对话框，在其中的 Technology 选项卡中出现使用技术的名称、单位与设定，本范例中的技术单位 Technology units 为以 Lambda 为单位， 而Lambda单位与内部单位Internal Unit的关系可在Technology setup选项

4、组中进行设定，我们设定一个 Lambda 为1000个 Internal Unit，也设定一个 Lambda 等于一个 Micron。,三、使用L_edit绘制版图,（8）选择绘图形状：绘制布局图，除了选择要绘制的图层外，还要在 Drawing 工具栏中选择绘图方式，如右图所示：,三、使用L_edit绘制版图,（9）选择绘图形状：绘制布局图，除了选择要绘制的图层外，还要在 Drawing 工具栏中选择绘图方式，如图 10.9 所示，例如，选择工具，按鼠标左键拖曳可画方形。如要绘制一个方形的 Poly 图层，横向占据1个格点(1um), 纵方向占据 10 个格点(10um)，结果如图，注意左下角

5、有状态栏，标明绘制的形状、图层、宽度(W)、高度(H)、面积(A)与周长(P)。按住“Home”键可以全屏显示,三、使用L_edit绘制版图,（10）设计规则检查：由于绘制的图样是要制作集成电路的掩膜图样，必须配合设计规则绘制图层，才能确保制程时的效率。 选择 工具-DRC 命令， 打开 Design Rule Check 对话框，如右图所示，报错“最小宽度少于两个Lambda”,三、使用L_edit绘制版图,（11）检查错误：打开“设置”-DRC设置，则可以观看详细的设计规则， 从Rules list列表框中选择3.1 Poly Minimum Width 选项中可以观看该条设计规则设定po

6、ly最小宽度为2个lambda，依此修改poly宽度为2个lambda，那么如何修改呢？,三、使用L_edit绘制版图,（12）修改对象：可选择编辑-编辑物项命令，在 Show box 表框中选择 bottom left corner and dimensions选项，如图 所示，再将 Width 微调框改为2.000，单击“确定”按钮，即可修改完成。也可以利用 Alt 键加鼠标拖曳的方式来修改对象大小。修改宽度为两个格点后，再进行设计规则检查，这时已无错误,三、使用L_edit绘制版图,（13）修改对象：可选择编辑-编辑物项命令，在 Show box 表框中选择 bottom left co

7、rner and dimensions选项，如图 所示，再将 Width 微调框改为2.，单击“确定”按钮，即可修改完成。也可以利用 Alt 键加鼠标拖曳的方式来修改对象大小。修改为宽度为两个格点后，再进行设计规则检查，这时已无错误,三、使用L_edit绘制版图,（13）修改对象：此已经无错误,三、使用L_edit绘制版图,（14）绘制多边型：在长方形 Poly旁间隔 1 个格点处，选择 Drawing 工具栏中的多边形工具，可利用鼠标左键拖曳并点出多边型的端点，单击结束，如右图,三、使用L_edit绘制版图,（14）设计规则检查DRC报错，查看DRC设置，发现两个相邻poly之间距离最小为2

8、个lambda,三、使用L_edit绘制版图,（15）改错、移动对象：点中多边形，选择菜单栏中的“画”，然后“移动至.”，如右图设置x为1.000，即右移一格即可或者选中多边形后，按住鼠标中间键不放向右移动一格也可。再做DRC检查则无错误。,四、使用L_edit绘制pmos版图,（1）选取图层：在画面左边有一个 Layers 面板，其中有一个下拉列表，可选取要绘制的图层，例如，Poly, 则Layers 面板会选取代表 Poly图层的红色。在 L-Edit 中的 Poly图层 代表制作集成电路中多晶硅(Poly Silicon)所需要的掩膜图样。 本范例绘制 PMOS 布局图会用到的图层包括(

9、N Well 图层)、(Active 图层)、(N Select 图层)、(P Select 图层)、(Poly 图层)、(Metal1 图层)、(Metal 2 图层)、(Active Contact图层)、(Via 图层)，其各自的绘制,四、使用L_edit绘制pmos版图,（2）绘制 N Well 图层：L-Edit 编辑环境是预设在 P 型基板上，故读者不需要定义出 P型基板范围，而在 P型基板上制作 PMOS 的第一步，流程上要先做出 N Well 区，即需要设计掩膜以限定 N Well 的区域。绘制 N Well 布局图必须先了解是使用哪种流程的设计规则，本范例是使用MOSIS/O

10、RBIT 2.0U SCNA Design Rules观看 N Well绘制要遵守的设计规则。可选择工具-DRC Setup 命令， 打开 Setup Design Rules对话框(或单击按钮)， 再从其中的 Rules list列表框选择 1.1 Well Minimum Width 选项， 可知 N Well 的最小宽度有 10 个 Lambda 的要求,四、使用L_edit绘制pmos版图,（2）绘制 N Well 图层（接前一张）： 选取 Layers 面板下拉列表中的 N Well 选项，使工具被选取，再从 Drawing 工具栏中选择工具，在 Cell0 编辑窗口画出占据横向 2

11、4 格纵向 15 格的方形 N Well，如右图 ：,四、使用L_edit绘制pmos版图,（3）截面观察：L-Edit 有一个观察截面的功能，可观察利用该布局图设计出的组件的制作流程与结果。选择 工具-截面 命令(或单击按钮)，利用“pick”选择需要的截面，点击OK即可以了，注意process define file选择D:Program FilesTanner EDAL-Edit and LVSSPRLightsLayoutlights.xst,四、使用L_edit绘制pmos版图,（4）绘制Active 图层： 设计了 N Well 的布局区域之后， 接着设计有源区(Active)图层

12、图样，Active 图层在流程上的意义是定义 PMOS 或 NMOS 的范围，Active 以外的地方是厚氧化层区(或称为场氧化层)，故需要设计掩膜以限定 Active 的区域，但要注意 PMOS 的 Active 图层要绘制在 N Well 图层之内。注意知 Active 的最小宽度有 3 个Lambda 的要求。这里大小为 横向10格纵向5格,四、使用L_edit绘制pmos版图,（5）设计规则检查，报错为“Not Selected Active”，查看设计规则，Active 图层必须要与 P Select 图层或 N Select 重叠，而不能单独存在，否则设计规则检查会有错误。 （6）

13、绘制 P Select 图层，注意Active 的边界要与 P Select 的边界至少要有两个 Lambda 的距离，这是环绕(Surround)规则。这里画横向 18 格， 纵向 9 格。要注意的是 Active 与 P Select交集处被定义为 pdiff层，pdiff与 N Well 也有一个环绕规则，pdiff的边界与 N Well 的边界至少要距离 5 个 Lambda。,四、使用L_edit绘制pmos版图,（7）标尺工具的使用：点击90标尺，数一下格子，则很容易得出边长,四、使用L_edit绘制pmos版图,（8）绘制 Poly图层：接下来绘制 Poly图层，Poly图层在流

14、程上的意义是定义成长多晶硅(Poly Silicon)，需要设计掩膜以限定多晶硅区域。同样，绘制 Poly图层必须先了解是使用哪种流程的设计规则，Poly的最小宽度有两个 Lambda 的要求。这里画出横向 2 格，纵向 7 格,四、使用L_edit绘制pmos版图,（9）设计规则检查： 有两个相同错误，错误，Poly图层必须延伸出Active区域有最小两个Lambda，而这里只有一个，因此增长为2个即可,四、使用L_edit绘制pmos版图,（10）绘制 Active Contact 图层:：PMOS 的源区、基区各要接上电极，才能在其上加入偏压。各组件之间的信号传递，也需要靠金属线连接，在

15、最底层的金属线是以 Metal1 图层表示。在金属层制作之前，组件会被沉积上一层绝缘层(氧化层)，为了让金属能接触至扩散区(源极与极汲)，必须在此绝缘层上蚀刻出一个接触孔，此接触孔是为了能使金属层能与扩散区接触，Metal1 与扩散区之间的接触孔以 Active Contact 图层表示，查阅设计规则，发现其宽度限定为两个 Lambda 的大小，这里绘画为 横向两格、 纵向两格,四、使用L_edit绘制pmos版图,（11）设计规则（每步之后必须要做DRC），按照提示操作、修改,四、使用L_edit绘制pmos版图,（12）绘制 Metal1 图层：NMOS 的源极与汲极都要接上电极，才能在其

16、上加入偏压，各组件之间的信号传递也需要靠金属线连接，在最底层的金属线以 Metal1 图层表示。Metal1 有最小宽度的限制，其宽度限定最小为 3 个 Lambda，在 Cell0编辑窗口的 Active Contact周围画出占据横向 4格、纵向 4 格的方形左右两个扩散区各画一个 Metal1 区块,四、使用L_edit绘制pmos版图,（12）重新命名： 将 Cell0 的名称重新命名， 可选择 单元重命名 命令， 打开 Rename Cell0 对话框，将 cell 名称改成 pmos，就此，pmos绘制完毕,四、使用L_edit绘制pmos版图,（13）nmos绘制与pmos相似，

17、只是不需要绘制N well。其中， Active宽为 14 个格点， 高为 5 个格点； Poly宽为 2 个格点， 高为 9 个格点； N Select宽为 18 个格点，高为 9个格点；两个 Active Contact 宽皆为2个格点，高皆为 2 个格点；两个 Metal1 宽皆为 4 个格点，高皆为 4 个格点。,四、使用L_edit绘制pmos版图,（14）转化：将反相器布局图成果转化成 T-Spice文件，可选择 工具Extract Setup命令 (或单击按钮)，打开Setup Extract 对话框，单击其中的 按钮，在弹出的对话框中Browser选择D:Program FilesTanner EDAL-Edit and LVSSPRLightsLayoutlights.ext，再到 Output 选项卡，SPICE inclu