模拟电子技术基础3

1、。场效应晶体管及其电路分析，第一章，电子器件基础，1.3.1场效应晶体管的结构特征和参数，1。绝缘栅场效应晶体管(IGEFT)，NMOS增强型结构示意图和电路符号，(2)三组：源极组、栅极组、漏极组，(1)两个PN结：源极衬层和漏极衬层1。绝缘栅场效应晶体管(IGEFT)(续)，PMOS增强型结构和电路符号示意图，(2)三组：源极组、栅(栅)组和漏极组，(1)两个PN结：源极衬层和漏极衬层，工艺特性：源极和漏极高掺杂，大栅绝缘电阻，(2) NMOS增强型工作原理，* *在衬层源极和漏极之间施加反向偏置* *，2。NMOS增强操作原理(续1)，(2) VDS被添加以形成漏源电流、2。NMOS增强

2、型工作原理(续2)，(3) VGS是不断增加，沟道是加宽，沟道R是减少，内径是增加，* *场效应管是NMOS 1的工作原理，2，NMOS增强型工作原理(续3)，(4)VDS增加，内径适当增加，源漏电位逐渐增加，预箝位沟道，2，NMOS增强型工作原理(续4)，(5)VDS后预箝位，箝位沟道，恒定内径，* *漏源3。N沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管，(1)正离子嵌入二氧化硅，(3)一般事务负VGS(关闭)(副总裁)，沟道消失，(2)当VGS=0，有一个内置电场形成一个通道，4.结型场效应晶体管(JFET)，(1)N沟道和P沟道JFET结构和符号。* * pJFET * *，(2)n沟道JF

3、ET的工作原理，*VDD=0，沟道宽度随VGG增大而变窄，沟道r增大，id减小，耗尽型* *，(2)n通道jfet的工作原理(续1)，*VGG不变，VDD增加，通道上下变窄。(2)n通道JFET的工作原理(续2)，*VGG不变，VDD预箝位后增加，通道上增加的电压降，内径保持不变* *，场效应晶体管类型，(1)绝缘栅型场效应晶体管，N，N沟道增强型金属氧化物半导体，N沟道耗尽型金属氧化物半导体，P沟道增强型金属氧化物半导体，P沟道耗尽型金属氧化物半导体，(2)结型JFET，N沟道耗尽型JFET，P沟道耗尽型JFET，场效应晶体管的典型应用中，输出环路电流由输入电压控制，输入环路产生电压VGS。

4、三端器件构成两个回路，场效应管的主要半导体机制是压控电流源。1。增强的NMOS场效应管伏安特性，(1)增强的NMOS场效应管传输特性，* *场效应管是一个压控器件，* * *，场效应管特性参数，* *当VGS=2VT*，IDO漏电流。(2)增强的NMOS晶体管输出特性):*VDS小，并且沟道夹断ID受其影响*，(c)放大面积：*VDS足够大，并且沟道夹断ID不随VDS *，1而改变。增强型NMOS场效应晶体管的伏安特性(续1)。*IDSS，VGS=0 *时的漏极电流，2。3.场效应晶体管的主要参数，(1) DC参数，增强模式晶体管的导通电压VGS(th)(VT)，耗尽模式晶体管的关断电压VGS

5、(关断)(VP)，当VGS=0时耗尽模式晶体管的饱和区的漏极电流IDSS，当VDS=0时栅源极电压VGS与栅极电流IG的比率-DC输入电阻RGS(交流输出电阻rds)，(3)极限参数，当在漏极附近发生雪崩击穿时最大漏源极电压V(BR)DS: VDS， 最大栅源电压(BR)GS:栅源间PN结反向击穿电压，最大耗散功率p、3，场效应晶体管工作状态估计，例如1: vdd=18 v，RS=尝试用估计方法计算电路的静态工作点，例如，在2:分压自偏置共源放大器电路中，传输特性已知为VDD=15V，Rd=5k，Rs=2.5k，R1=200k，R2=300k用图解法分析了已知场效应管的特性曲线，估算了场效应管在Q点的跨导