太阳能电池刻蚀

1、太阳电池生产的蚀刻PSG、目录、蚀刻功能和方法蚀刻工艺设备、操作工艺和常用化学物质的主要测试项目及标准常见问题和解决方法操作规范，一、蚀刻功能和方法：太阳能电池生产工艺：硅生产线电池生产线组装生产线蚀刻是太阳电池生产中n型第三工艺，主要作用是扩散后消除硅片周围的n型硅并泄漏psy去除顾名思义，就是去除扩散孔p碱玻璃。反射方程式如下：扩散后硅p的分布SiO2 6HF=H2SiF6 2H2O，硅晶片，天鹅绒，扩散，蚀刻，PSG，PECVD，印刷，烧结，电池，2、死亡层的存在可以大大增加发射区电子的复合，减少shaozi寿命，降低Voc和Isc。(b)蚀刻方法：目前，晶体硅太阳能电池通常使用干法和湿

2、蚀刻方法。1、干蚀刻法原理干蚀刻是高频辉光放电反应，像扩散到需要蚀刻的部分的原子或自由基一样，将反应气体激活为活性粒子，与蚀刻的物质反应，形成挥发性产物并将其去除。快速刻蚀速度具有同时获得优秀物理形态(各向同性反应)的优点。2、湿蚀刻原理是通过化学反应，由辊的搬运液体通过硅晶片非韦德蚀刻，一次通过硅180的旋转形成压印，在位置上刻PN结以达到前、后绝缘的目的，可选蚀刻是通过将深PN结扩散到一定深度的浅PN结，最终通过HF酸槽消除扩散过程而产生的硅玻璃层。常见腐蚀机制为HNO3氧化生成SiO2、HF除灰SiO2。化学反应式： (水通过张力吸附在硅表面上)3si 4h NO3 18 HF 3h 2

3、 si F6 4no 8 H2O 3si 4 HNO 33 SiO 2 4no 2 H2O SiO 2 4 HFS if 4 HFS if 4 H2O si F4 2 HF H2 SIF 6，第二，蚀刻工艺设备(2)湿蚀刻工艺和常用化学药品罐的布置和工艺：上座工作方向带速度1.58m/min，(3)设备工作和工艺原理M1:硅片先通过1#模块的流动，进入2#模块，防止水绒面腐蚀； M2:通过化学反应，滚筒的输送液体经过硅片非韦德蚀刻一次硅片180旋转，进行边缘压印，切断现场的PN结，达到前后绝缘的目的；M3:清洁；M4:用科赫溶液去除硅表面的多孔硅，去除蚀刻模块中携带的干净的未冲洗酸。M5:清洁

4、；M601:使用HF去除硅前部的磷硅玻璃层。M602:抛光硅片底面，以与铝背板形成良好的欧姆接触。M7:清洁；M8:干燥通过两个空气压缩泵，通过两个过滤(粗过滤，微滤)，最终送去两个风刀干燥硅，空气的最终温度可以达到40度，作为气体分子间距离小到发热的过程，作为物理变化过程；M9:芯片检测，(4)常用化学品的物理化学性质，(5)影响工艺和调试方法的因素，3，主要测试项目和标准1，新药液必须等到罐温度达到设置，如液体温度、M8干燥温度、液体水平高度、电导率等2、投入批量生产前，应投入试板，查看实际腐蚀深度。工序稳定后，每2小时进行腐蚀量测试，这是用电子秤测量腐蚀前重量，填写在工程腐蚀深度记录表上，记录日期、班次、计量时间、传输速度，然后投入腐蚀槽执行工序。蚀刻后，去除此称量片，腐蚀后称量硅片的重量，并填充表格，利用电子表格中的公式直接求出腐蚀深度值。注：电子秤前后两次计量前，应放在0上，并关闭天平两侧的小门。硅片单面腐蚀深度的平均值为2.10.2m，超出范围时，立即通知相应工人调整。3、SCHMID维护周期为5台设备150万件，湿蚀刻机器维护更换药液后，腐蚀深度记录表中应认真填写更换时间和更换组。4、硅表面为生产和下降，没有看不见的脏水、水印、指纹、崩塌、角度不足等缺陷。4，常见问题和解决方法，(a)