模电(第1章常用半导体器件)

1、第1章 常用半导体器件,1.1 半导体基础知识,1.2 半导体二极管,1.3 晶体三极管,1.4 场效应管,1.5 单结晶体管和晶闸管,1.6 集成电路中的元件,1.7 Multisim二极管特性的研究,1.1 半导体基础知识,本节的内容：,1、半导体材料的原子结构。,2、半导体材料中的载流子。,3、本征激发与复合，本征激发与温度的关系。,4、N型半导体所掺入杂质，多数载流子（简称多子），少数载流子（简称少子）。,5、P型半导体所掺入杂质，多子，少子。,6、扩散运动和漂移运动。,7、PN结的形成过程。,8、对称PN结和不对称PN结。,9、PN结的正向偏置（简称正偏）和反向偏置（简称反偏）。,1

2、0、PN结的导电特性。,11、PN结宽度与外加电压的关系。,12、PN结的电流方程。,13、PN结的伏安特性。,14、PN结的击穿。,15、PN结的电容效应。,1.1.1 本征半导体,纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。,半导体具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。,常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge），它们均为四价元素。,Si,+4,惯性核,+4,+4,+4,+4,+4,共价键,共价键较为牢固，使原子规则排列，形成晶体。,价电子,在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子。,束缚电子,同时共价键上留下一个空位，称为空穴。,自由电子,空穴,原子因失去

3、电子而成为带正电的离子。,自由电子和空穴是成对出现的。,自由电子,空穴,在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，结果相当于空穴的迁移。,而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是带正电的粒子。,若在本征半导体两端外加一电场，则一方面自由电子将产生定向移动，形成电子电流；,另一方面，由于空穴的存在，价电子将按一定的方向依次填补空穴，使空穴定向移动，形成空穴电流。,本征半导体中的电流是电子电流和空穴电流之和。,参与导电的带电粒子称为载流子。,半导体中有自由电子和空穴两种载流子。,本征半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。,自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就会填补空穴

4、，使两者同时消失，这种现象称为复合。,在一定温度下，本征激发所产生的自由电子和空穴对，与复合的自由电子和空穴对数目相等，达到动态平衡。,即在一定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。,当温度升高或有光照时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也增多，即载流子的浓度升高，导电能力增强。,T为热力学温度。,本征半导体的导电性能很差，且与环境温度密切相关。,1.1.2 杂质半导体,一、N型半导体,+5,磷原子,自由电子,自由电子的浓度大于空穴的浓度。,自由电子为多数载流子，简称多子；空穴为少数载流子，简称少子。,施主原子,变为正离子,二、P型半导体,空穴,

5、硼原子,受主原子,多子：空穴,少子：自由电子。,多子的浓度约等于所掺杂质原子的浓度，几乎与温度无关；少子对温度非常敏感。,杂质半导体还是电中性。,变为负离子,1.1.3 PN结,一、PN结的形成,扩散运动：由于浓度差而产生的运动。,漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动。,P型半导体,N型半导体,扩散运动,界面两侧留下不能移动的正负离子,内电场,漂移运动,随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强。,内电场阻碍多子的扩散，而有利于少子的漂移,最终扩散和漂移这一对相反的运动达到平衡，形成具有一定宽度的PN结。,无外电场时PN结两侧有电位差Uho，但PN结中的电流为零。,正负离子区称为PN结，

6、也称为空间电荷区，也称耗尽层。,当P区和N区的杂质浓度相等时，正负离子区的宽度也相等，称为对称PN结。,当P区和N区的杂质浓度不相等时，浓度高一侧的离子区宽度小于浓度低的一侧，称为不对称PN结。,二、PN结的单向导电性,1、PN结外加正向电压时处于导通状态,PN 结加正向电压、处于正向偏置（简称正偏）：,PN结的P 区电位高于N 区，即UPUN。,PN结,内电场,+ V -,R（限流电阻）,外电场,PN结内电场减弱，外电场将多子推向PN结，PN结变窄，扩散运动加强，漂移运动减弱。,在电源作用下，扩散运动将源源不断地进行，从而形成较大的正向电流，PN结导通。,2、PN结外加反向电压时处于截止状态

7、,PN 结加反向电压、处于反向偏置（简称反偏）： PN结的P区电位低于N 区，即UPUN。,PN结,内电场,- V +,R（限流电阻）,外电场,PN结内电场加强，阻止扩散运动的进行、而漂移运动加剧，形成反向电流；空间电荷区变宽。,但少子的数目极少，即使所有少子都参与漂移运动，反向电流也非常小，认为PN结加反向电压时处于截止状态。,PN结具有单向导电性。,三、PN结的电流方程,PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为,反向饱和电流,电子的电量,玻尔兹曼常数,热力学温度,UT=kT/q。常温下，即T=300K时，UT26mV。,四、PN结的伏安特性,i与u的关系曲线称为伏安特性。,1、PN结正偏

8、，且uUT时，,即i随u按指数规律变化。,2、PN结反偏，且uUT时，i-IS。,3、当反向电压较大时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。,（1）齐纳击穿,耗尽层很窄，反向电压较小，但耗尽层中的电场很强，直接将共价键中的电子拉出，形成电子空穴对，使电流急剧增大。,（2）雪崩击穿,掺杂浓度低，耗尽层较宽，反向电压较大，少子的漂移速度加快，将共价键中的价电子撞出，产生电子空穴对。,新产生的电子空穴对被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地倍增，使电流急剧增大。,五、PN结的电容效应,1、势垒电容：,当PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将随之变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而变化，这种

9、现象与电容的充放电过程相同。,耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容(Cb)。,2、扩散电容：,当PN结的正向电压增大时，载流子的浓度增大，且浓度差也增大，扩散电流增大。,扩散过程中载流子浓度的变化是电荷的积累和释放的过程，与电容器的充放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容（Cd）。,PN结的总电容：C=Cb+Cd。,通常PN结电容是很小的。,1.2 半导体二极管,本节的内容：,1、二极管的结构，电路符号。,2、二极管的伏安特性，导通压降。,3、温度对二极管伏安特性的影响。,4、二极管的主要参数。,5、二极管的直流等效电路。,6、二极管的交流等效电路。,7、稳压二极管的结构，电路符号，伏安特性

10、，主要参数，正常工作状态。,二极管的符号：,阴极（负极）,阳极（正极）,D,电流的方向,1.2.1 半导体二极管的几种常见结构,在PN结两端加上电极引线，并用外壳封装起来就构成了半导体二极管，简称二极管。,点接触型,面接触型,N型锗,P型锗,触丝,铝合金小球,P型硅,N型硅,金锑合金,底座,由P区引出的电极称为阳极，也称正极；由N区引出的电极称为阴极，也称负极。,正极,正极,负极,负极,适用于高频电路。,作为整流管,1.2.2 二极管的伏安特性,一、二极管和PN结伏安特性的区别,二极管也具有单向导电性。,二极管的伏安特性与PN结的相似。,二极管存在半导体体电阻和引线电阻，在电流相同的情况下，二

11、极管的端电压大于PN结上的压降。,或者说，在外加正向电压相同的情况下，二极管的正向电流小于PN结的电流。,二极管存在表面漏电流，外加反向电压时的反向电流增大。,正向特性,Uon,开启电压,iD = 0,Uon= 0.5 V（硅）,= 0.1 V（锗）,1、0 U Uon，,2、U Uon，,iD 急剧上升，二极管导通。,硅二极管的导通压降为0.60.8V；,锗二极管的导通压降为0.10.3V。,Uon,U (BR),正向特性,反向特性,开启电压,3、U（BR) uD 0 ，,iD 0.1 A(Si)，,几十A (Ge)。,4、U U(BR)，,反向电流急剧增大，二极管击穿。,通常忽略不计，即二

12、极管截止。,若对电流不加限制，就会造成二极管永久性损坏。,二、温度对二极管伏安特性的影响,Uon,U (BR),温度升高时，二极管的正向特性将左移；,反向特性将下移。,即温度升高，二极管的导通压降下降、反向饱和电流增大，单向导电性变差。,1.2.3 二极管的主要参数,一、 最大整流电流 IF,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。,二、 反向击穿电压UBR,二极管反向击穿时的电压值。,手册上给出的最高反向工作电压UR一般是UBR的一半。,三、 反向电流 IR,IR是二极管未击穿时的反向电流。,四、 最高工作频率fM,fM是二极管工作的上限频

13、率。,超过此值时，由于结电容的作用，二极管将不能很好地体现单向导电性。,由于制造工艺所限，半导体器件参数具有分散性，同一型号管子的参数值会有相当大的差距。,1.2.4 二极管的等效电路,一、由伏安特性折线化得到的等效电路,1、理想二极管,u,i,O,导通时正向压降为0、反向截止时的电流为0，称为理想二极管。,D,S,正偏时S闭合，反偏时S断开。,2、正向导通时端电压为常量,u,i,O,Uon,D,Uon,3、正向导通时端电压与电流成线性关系,u,i,O,Uon,D,Uon,rD,分析含有二极管电路时，先将二极管看成开路，比较二极管两端的电位，若正极端的电位高于负极端的电位且大于Uon时，二极管

14、导通，否则二极管截止。,D,V,+ UD -,R,I,若V远大于UD，试求电流I。,（1）二极管为理想二极管时，,D,V,+ UD -,R,I,（2）二极管导通电压为常量时，,D,V,+ UD -,R,I,Uon,D,V,+ UD -,R,I,（3）二极管导通电压与电流为线性关系时，,Uon,rD,二、二极管的微变等效电路,V,D,R,+ uD -,+-,ui,uD,iD,O,UD,ID,Q,uD,rd,uD,iD,+ -,ID不同rd也将不同,V,D,+ uD -,+-,ui,R,+ uR -,t,ui,O,V,D,+ uD -,+-,ui,R,+ uR -,UD,+ UR -,t,uR,O

15、,UR,V,D,+ uD -,+-,ui,R,+ uR -,rd,+ ur -,1.2.5 稳压二极管（简称稳压管）,稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型二极管。,一、稳压管的伏安特性,正极 负极,DZ,rd,UZ,正偏时：,反偏时：,D,rd,UZ,D,DZ,uD,iD,O,正向特性与普通管一样,击穿段很陡,IZ,IZM,工作范围,UZ,正常工作在反向击穿状态。,二、稳压管的主要参数,（1） 稳定电压 UZ,流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。,（2）稳定电流 IZ,稳压管工作在稳压状态时的参考电流。,越大稳压效果越好，小于 Imin 时不稳压。,（3）最大工作电流 IZM,稳压管允许通过

16、的最大反向电流。,（4）最大耗散功率 PZM,PZM = UZ IZM,（5）动态电阻 rZ,rZ = UZ / IZ,越小稳压效果越好。,（6）温度系数,表示温度每变化1稳压值的变化量，即,=Uz/T,在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，以保证稳压管正常工作，这个电阻称为限流电阻。,1.3 晶体三极管,本节的内容：,1、三极管的结构，类型，电路符号，结构特点及作用。,2、输入回路和输出回路。,3、三极管的三种接法。,4、三极管内部载流子的运动及电流分配关系。,5、ICBO和ICEO。,6、三极管的和。,7、输入特性曲线及其形状。,8、输入特性曲线与uCE的关系。,9、输出特性曲线及其形

17、状。,10、输出特性曲线的三个工作区域（三种工作状态）及其条件。,11、三种工作状态的判断方法。,12、放大状态时电极电位的关系。,13、温度对三极管特性和参数的影响。,14、晶体管的主要参数。,三极管的主要作用一是放大电信号，二是起开关作用。,晶体三极管又称双极型晶体管、半导体三极管，简称为晶体管。,325,1.3.1 晶体管的结构及类型,在同一硅（锗）片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成晶体管。,本征半导体硅（锗）,P型硅（锗）,N硅（锗）,N硅（锗）,发射极（E）,基极（B）,集电极（C）,二氧化硅保护膜,NPN型管,若三个区域分别为P、N、P，则称为PNP型管。,发射极 E

18、,基极 B,集电极 C,N,P,N,集电区,基区,发射区,集电结,集电结,C,B,E,NPN 型,E极电流的实际方向,C,B,E,PNP 型,各区的结构特点和作用,发射区：掺杂浓度高；,发射载流子。,基区：薄、掺杂浓度低；,传输载流子。,集电区：结面积大；,接收载流子。,1.3.2 晶体管的电流放大作用,晶体管工作在放大状态的条件是：发射结正向偏置，而集电结反向偏置。,RB,RC,VBB,VCC,uo,T,ui,+,-,ui是输入电压信号，接在基极发射极回路，称为输入回路。,放大后的输出信号uo 在集电极发射极回路，称为输出回路。,发射极是两回路的公共端，所以称为共发射极放大电路。,晶体管的放

19、大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。,三极管的三种连接方式,一、 内部载流子的运动及电流分配关系,B,C,E,RB,VBB,发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE。,IEN,VCC,IEP,IE=IEN+IEP,扩散到基区的自由电子与空穴复合形成电流IBN。,IBN,集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC。,ICN,ICBO,IC=ICN+ICBO,EB的作用下，电子与空穴的复合运动源源不断地进行，形成基极电流IB。,IB=IBN+IEP-ICBO,ICBO称为反向饱和电流。,IEN=IBN+ICN,二、晶体管共射电流放大系数,称为共射直流电流放大倍数。,ICEO的物理

20、意义是：当基极开路（IB=0）时，在EC作用下的集电极与发射极之间形成的电流。,ICBO是IE=0时集电极的反向饱和电流。,RB,RC,VBB,VCC,uo,T,ui,+,-,若有输入电压作用，则,称为共射交流电流放大系数。,小功率管的值为几百，而大功率管的则只有几十。,以发射极电流作为输入电流，以集电极电流作为输出电流时，ICN与IE之比称为共基直流电流放大系数,1.3.3 晶体管的共射特性曲线,一、 输入特性曲线,当uCE为常数时iB与uBE的关系曲线称为输入特性曲线。,uBE（V）,0.4,0.8,iB（A）,20,40,60,u CE=0V,u CE=0.5V,u CE1V,曲线的形状

21、与二极管的正向特性相似。,uCE增大，曲线右移；uCE增大到一定值后，曲线不再明显右移而基本重合。,（1）uCE=0时，相当于发射结和集电结并联。,特性曲线与PN结的伏安特性相似，呈指数关系。,（2）uCE增大时，发射区注入基区的电子，在基区与空穴复合的电子将随uCE的增大而减少，大部分漂移到集电区形成iC。,要获得同样的iB，就必须增大uBE。,（3）当uCE增大到一定值以后，集电结的电场已足够强，可以将发射区注入基区的绝大部分电子都收集到集电区，因而再增大uCE，iC也没明显增大，即iB基本不变。,二、 输出特性曲线（以NPN管介绍）,iB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的关系

22、曲线称为输出特性曲线。,uCE(V),3,6,iC(mA),1,2,3,9,12,4,iB=40A,iB=0A,20A,60A,80A,曲线的形状特点：,当uCE从0逐渐增大时，iC随uCE的增大而增大；当uCE达到一定数值后，曲线几乎与横轴平行。,（1）当uCE从0逐渐增大时，集电结电场随之增强，收集电子的能力逐渐增强，iC逐渐增大。,（2）当uCE增大到一定数值后，集电结电场足以将发射区发射到基区的绝大部分电子收集到集电区，iC基本不变，即iC只取决于 iB，曲线几乎与横轴平行。,iC只与iB有关，iC=iB。,（3）由于发射结正偏而变宽、基区变窄，在基区复合的载流子减少，所以iC略有增大

23、。,输出特性曲线可分为截止区、放大区和饱和区。,uCE(V),3,6,iC(mA),1,2,3,9,12,4,iB=40A,iB=0A,20A,60A,80A,截止区,饱和区,放大区,（1）截止区,uCE(V),3,6,iC(mA),1,2,3,9,12,4,iB=40A,iB=0A,20A,60A,80A,截止区,iB=0,iC=ICEO,uBE Uon,即发射结反偏或零偏。,（2）放大区,uCE(V),3,6,iC(mA),1,2,3,9,12,4,iB=40A,iB=0A,20A,60A,80A,放大区,iC=iB。,uBEUon、,uCEuBE，,即发射结正偏且大于开启电压，集电结反偏

24、。,曲线等间距排列。,（3）饱和区,uCE(V),3,6,iC(mA),1,2,3,9,12,4,iB=40A,iB=0A,20A,60A,80A,饱和区,iBiC,uBEUon、,uCEuBE，,即集电结和发射结都正偏。,uCE=uBE，称为临界状态,iC随uCE的增大而增大,饱和时管电压和电流加下标S表示。,如何判断管子是工作在放大状态还是工作在饱和状态？,1、计算管子的基极电流IB。,2、计算管子的临界饱和电流IBS（UCE=0）。,3、比较IB和IBS的大小：,若IB大于IBS，则管子工作在饱和状态；,若IB小于IBS，则管子工作在放大状态；,1.3.4 晶体管的主要参数,一、 直流参

25、数,（1）共射直流电流放大系数,（2）共基直流电流放大系数,（3）极间反向电流ICBO和ICEO,同一型号的管子反向电流越小，性能越稳定。,硅管的极间反向电流小，温度稳定性比锗管好。,二、 交流参数,（1）共射交流电流放大系数,（2）共基直流电流放大系数,（3）特征频率fT,由于PN结结电容的存在，共射电流放大系数是所加信号频率的函数。,三、 极限参数,（1）最大集电极耗散功率PCM,PCM = IC UCE。,（2）最大集电极电流ICM,集电极电流超过ICM时 值明显降低。,（3）极间反向击穿电压,U(BR)CEO B极开路时 C、E极间反向击穿电压。,U(BR)CBO E极开路时 C、B极

26、间反向击穿电压。,U(BR)EBO C极开路时 E、B极间反向击穿电压。,U(BR)CBO, U(BR)CEO, U(BR)EBO,1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响,一、 温度对ICBO的影响,当温度升高时，ICBO将增大。,温度每升高10，ICBO增加约一倍。,硅管的ICBO比锗管的小得多，硅管比锗管受温度的影响要小得多。,二、 温度对输入特性的影响,当温度升高时，输入特性将左移。,当温度变化1时，UBE变化22.5mV，并且有负温度系数。,若UBE不变，则当温度升高时IB将增大。,三、 温度对输出特性的影响,当温度升高时，输出曲线将上移。,当温度升高时，曲线还保持等间隔排列，但曲线

27、的间距增大，即管子的值增大。,温度升高时，ICEO、增大，且输入特性左移。,温度升高时，最终导致集电极电流增大。,本节的内容：,1、场效应管的结构，类型，电路符号。,2、场效应管的工作原理。,3、输出特性曲线及其形状。,4、输出特性曲线的三个工作区域（三种工作状态）及其条件。,5、场效应管的电流方程。,6、场效应管的主要参数。,1.4 场效应管,场效应管的主要作用是放大电信号和起开关作用。,场效应管几乎仅靠半导体中的多子导电，所以又称为单极型晶体管。,场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流。,1.4.1 结型场效应管,一、结型场效应管的结构及类型,结型场效应管有N沟道和P沟道两种

28、类型。,栅极G,漏极D,源极S,导电沟道,PN结,N沟道管,G,D,S,P沟道管,G（栅极）,D（漏极）,S（源极）,漏极和源极是可以对调的。,N型硅片,P,P,掺杂浓度低,两边是高掺杂的P区,导电沟道,二、结型场效应管的工作原理,N型硅片,uGS,1、uDS=0V时，uGS对导电沟道的控制作用,PN结反偏，耗尽层均匀变宽。,若存在导电沟道，DS间相当于一段导体，即相当于一个电阻。,uSG越大，反偏电压越大，,D,G,S,耗尽层越宽，,导电沟道越窄，,电阻越大。,由于此时的uDS=0V，所以漏极电流iD=0。,uSG达到一定值时，耗尽区碰到一起，DS间被夹断，沟道电阻趋于无穷大。,N型硅片,u

29、GS,此时的uGS称为夹断电压UGS(off)（VP）。,N型硅片,uGS,uDS,2、当uGS为UGS(off)0V中某一固定值时，uDS对漏极电流iD的影响,由于uDS的存在，则有电流iD从漏极流向源极。,iD,沟道中各点的电位不再相等：沿沟道从源极到漏极逐渐升高。,靠近漏极端的PN结的反偏电压高，源极端的反偏电压低。,耗尽层产生不均匀的变宽：,漏极端宽、源极端窄。,若栅漏极间不出现夹断区域，沟道电阻基本上决定于栅源电压uGS。,电流iD将随uDS的增大而线性增大，DS间呈现电阻特性。,N型硅片,uGS,uDS,uDS的增大使uGD等于UGS(off)时，漏极端的耗尽层就出现夹断区。,称u

30、GD=UGS(off)为预夹断。,若uDS继续增大，耗尽层闭合部分沿沟道方向延伸。,这时，一方面自由电子从漏极向源极定向移动所受阻力加大，从而导致iD减小；,另一方面，随着uDS的增大，使漏源极间的纵向电场增强，也必然导致iD增大。,实际上，这两种趋势相抵消，uDS的增大几乎全部降落在夹断区，用于克服夹断区对iD形成的阻力。,在uGDUGS(off)的情况下，即沟道夹断后，uDS增大时iD几乎不变。,即iD几乎仅仅决定于uGS，表现出iD的恒流特性。,在uGDUGS(off)的情况下，对应于确定的uGS，就有确定的iD。,可以通过改变uGS来控制iD的大小。,场效应管是电压控制器件。,场效应管

31、用gm来描述动态的栅源电压对漏极电流的控制作用，称gm为低频跨导。,小结：,（1）在uGD=uGS-uDSUGS(off)的情况下，即沟道没被夹断时，对应于不同的uGS，D-S间等效为不同阻值的电阻。,（2）当uDS使uGD=uGS(off)时，D-S之间预夹断。,（3）当uDS使uGDUGS(off)时，漏极电流iD几乎仅仅决定于栅源电压uGS。,三、结型场效应管的伏安特性,1、输出特性曲线,输出特性曲线是指当uGS为常量时，iD与uDS之间的关系曲线，即,对应于一个uGS，就有一条曲线，因此输出特性曲线为一族曲线。,uDS(V),iD(mA),-3V,-5V,-4V,-2V,-1V,uGS

32、=0V,预夹断线，uGD=UGS(off),1）可变电阻区,uGDUGS(off)，沟道还没夹断。,不同的uGS，曲线斜率不同，,D-S间有不同的电阻。,夹断区,uGSUGS(off)，沟道夹断,恒流区,uGDUGS(off),利用场效应管作放大管时，应使其工作在该区域。,2、转移特性曲线,转移特性曲线是指当uDS为常量时，iD与uGS之间的关系曲线，即,在输出特性曲线的恒流区中做横轴的垂线，读出垂线与各曲线相交的坐标值；,建立uGS、iD坐标系，描点、连线即为转移特性曲线。,漏极饱和电流,1.4.2 绝缘栅型场效应管（MOS管）,MOS管有四种类型：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管，P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。,凡uGS=0时iD =0的管子，均属于增强型管；,凡uGS=0时iD0的管子，均属于耗尽型管。,N沟道,耗尽型,增强型,P沟道,一、N沟道增强型MOS管,1、N沟道增强型MOS管的结构,P型衬底，掺杂浓度低,两个高掺杂N+区,SiO2绝缘层,金属铝,基极（B）,P,2、工作原理（以N沟道为例）,两个N+区间截止,UGS=0时,DS间相当于两个反接的PN结,E,uGS0 且u GS不太大时,空穴,F,SiO2下面