场效应管放大电路基础_第1页
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文档简介

1、4 场效应管放大电路,大纲要求,理解FET的特性、参数及模型；理解FET组成的三种组态的工作原理、性能特点及偏置电路的作用；掌握FET放大电路的小信号模型分析法；掌握FET放大电路的小信号模型分析法性能指标及静态工作点的工程近似计算方法。,4.1 MOS场效应管,4.1.1 增强型MOS场效应管(EMOS),1. 结构,1.结构,N沟道增强型MOSFET,P沟道增强型MOSFET,在栅极电压作用下，漏源间形成导电沟道。在漏源电压作用下，产生自漏极流向源极的电流。栅极电压控制沟道的导电能力，从而控制漏极电流的变化。,源漏导电沟道是怎样形成的？ VG多大值时源漏导通？,2. 开启电压VT（VGS(

2、th),VT ：源漏间形成导电沟道对应的VGS。,以NEMOS为例,VGS0。增大VGS 吸引自由电子到衬底表面，同时排斥空穴，直到自由电子浓度大于空穴浓度，形成反型层，既导电沟道，沟通源漏。,2. 阈值电压VT（开启电压）,PEMOS的VT,NEMOS: VT0 PEMOS: VT0,3. VDS对沟道的影响,VDS=0时，沟道均匀,VDS增大时，沟道不均匀，近漏端窄，近源端宽。,VDS增大到VDS=VGS-VT时， VGD=VGS-VDS，近漏端反型层消失。,4. 沟道长度调制效应,VDS增大到VDS=VGS-VT时， VGD=VGS-VDS，近漏端反型层消失，为预夹断。,VDS继续增大，

3、夹断点略向源极移动，沟道长度略有减小，沟道电阻略有减小，ID略有增大。称这种效应为沟道长度调制效应。,5. NEMOS的I/V特性曲线 （ ID与VGS、VDS间的关系）,非饱和区,条件： VGSVT VDSVGS-VT,VDS很小，沟道未预夹断，ID同时受VDS、VGS的控制。,关系：,非饱和区也称为变电阻区,饱和区,条件：VGSVT VDSVGS-VT,VDS很大，沟道预夹短，ID受VGS的控制，呈恒流特性。,关系：,沟道长度调制效应的考虑,截止区,条件：VGSVT,4.1.2 其它类型的场效应管,1. 耗尽型MOS场效应管(DMOS),4.1.2 其它类型的场效应管,2. PMOS场效应管,4.1.2 其它类型的场效应管,3. 结型场效应管,4.2 场效应管放大电路,4.2.1 场效应管偏置电路,

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