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文档简介

1、第三章门电路、公用门电路：和门、郑智薰门、郑智薰门、或郑智薰门、和/或其他门。第一，用于实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单位电路称为栅极电路。开关电路图：1)门电路，2)电子电路的逻辑状态：正逻辑系统规定：高级逻辑1，低级逻辑0。负逻辑系统规范：低级别为逻辑1，高级别为逻辑0。数字信号是两值信号，分别表示两个逻辑值(逻辑1和逻辑0)，具有两个级别(高电平和低电平)。高/低级别具有允许的范围值。3)半导体二极管、双极晶体管、fet开关特性：二极管、二极管正向传导：传导电阻小，两端等于短路。二极管反向阻塞时：等效电阻大，两端开放。理想的二极管开关电路：=5V，实际：传导压降：由外部电压控制的电子开

2、关之一：如果外部电压大于传导电压，二极管处于传导状态，则等于开关关闭。当外部电压小于传导电压或负电压时，如果二极管处于关闭状态，则等于开关断开。当脉冲信号的频率较高时，开关状态每秒变化一百万次，因此设备的开关转换速度必须在微秒或纳秒内完成。二极管的开关特性表示正向传导和反向阻塞状态之间的切换过程(即动态特性)。二极管开关特性：双极晶体管，输入特性曲线，输入特性：硅晶体管开路电压：0.5V0.7V锗晶体管开路电压：0.2V0.3V，输出特性：输出特性曲线，输出特性：输出特性曲线，截止区域：iB=0的输出特性曲线之一的下方区域。截止区域特征：ic=0，截止区域等效电路：截止区域：饱和区域：输出特性

3、曲线，饱和区域：曲线接近纵坐标轴的部分称为饱和区域。饱和区域特征：iC不再倾向于随着iB比例的增加而饱和。饱和区域等效电路：输入深度饱和，VCE(sat)=0V，通常认为具有饱和压降：VCE(sat)=0.3V，受外部电压控制的电子开关：外部电压大于开放电压，晶体管处于饱和传导状态时，对应于开关关闭；当外部电压小于开放电压或负电压时，如果晶体管处于关闭状态，则等于开关断开。开关时间取决于管道类型，一般为数十万纳秒。开关时间越短，开关速度越高。通常，可以改善管的内部和外部电路，提高晶体管开关的速度。双极晶体管开关特性：MOS管，3极：S D G，二氧化硅绝缘层，输入特性：输出特性：由于栅极和基板之间隔离有二氧化硅绝缘层，因此在栅极和源之间添加电压

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