功率器件封装工艺流程

1、动力装置包装工艺流程，2，2，主要内容，主要内容介绍1。功率器件后封装工艺流程2。产品参数一致性和可靠性的保证。产品性价比4。未来发展。功率器件后封装工艺流程，切割，粘合，压力焊接，塑料包装，老化，印刷，引脚上镀锡，测试，修整，检查，包装和入库芯片粘合，芯片锯，引线粘合，成型，标记，热老化，电镀，隔离，测试，检查，包装，仓库，4。功率器件后封装工艺流程划片、划片：将晶圆切割成单个独立的芯片划片特点：日本DISCO划片锯稳定性高，划片锯厚度为25um，芯片损耗小。5、日本DISKO划片机、功率器件后封装工艺划片车间、6、功率器件后封装工艺管芯键合(将单个芯片键合到引线框架)、物理绘图、划片、管芯

2、键合、压力焊接、塑料封装、印刷、7、本公司管芯键合的特点、1。自动芯片焊接机，芯片和引线框架2。高质量的框架和焊接材料被用来获得良好的热和电特性。3.芯片与框架之间的热匹配性好，芯片与框架之间的应力最小，热阻小，散热性好。4、氮气和氢气保护，避免材料在高温下氧化。8、功率器件后封装工艺芯片焊接车间，芯片焊接人员正在认真操作，9、功率器件后封装工艺芯片焊接车间，全新TO-220芯片焊接机，10、功率器件后封装工艺压力焊接，压力焊接：用金线或铝线将芯片上的电极与外部引线(框架引脚)连接。金丝球焊铝线超声波焊接，压焊示意图，划片，粘接，压焊，塑料包装，印刷，11，压焊特性，1。自动压力焊接机，一致性

3、好，最佳焊点，弧度和高度，可靠性高。2.根据模具的实际工作电流选择线径规格，确保良好的电流特性。压力焊接物理图，12，功率器件后封装工艺压力焊接车间，全新KS TO-92压力焊接机，压力焊接车间，13，功率器件后封装工艺-塑料封装，塑料封装：压力注射成型，芯片装管封装，塑料封装示意图，划片，粘贴，压力焊接，塑料封装，印刷，塑料包装机，15，功率器件后封装工艺场景，塑料封装车间，16，功率器件后封装工艺，激光打标，激光打印机，打标塑料包装、棒材切割、印刷、电镀、测试、老化、18、动力装置棒材切割后包装工艺、棒材切割人员操作、19、动力装置后包装工艺-老化、1、严格筛选条件、温度140150。2.

4、使用具有N2保护的烤箱，防止管道在高温下被氧化。塑料包装、修边、印刷、电镀、测试、老化、20、功率器件后封装工艺、修边、电镀、测试、老化、检验、包装、测试工艺、21、功率器件后封装工艺测试设备、KT9614和DTS-1000分别为1。产品一致性a .芯片生产过程控制b .精细分类控制2 .产品可靠性a .优化芯片生产工艺以提高可靠性b .包装工艺的严格要求，24。保证产品参数的一致性，高精度测试系统1。最高测试电压为1000伏，最大电流为20A，最高漏电流精度达到pa级，电压测试精度达到2mV 2。可测试的半导体器件包括双极晶体管和金属氧化物半导体管3.对于双极性晶体管，可以测试hFE、Vce

5、sat、Vbesat、Rhfe、Iceo、Iebo、Bveb、Icbo、Bvceo、Vfbe、Vfbc、Vfec、Bton、Bvces、Bvcer、Icex、Icbr、Icbb、BVcbo和Iceo等参数，25 1。降低热阻2。控制“虚拟焊接”3。增强塑料包装26的气密性。热阻，功率器件的一个重要参数，降低器件发热量的三种方法1。通过优化电路，避免开关器件进入放大区域，降低器件功耗。第二，降低器件的热阻，即提高器件的散热能力。第三，提高器件的电流性能，降低饱和压降。当电路和芯片固定时，避免发热故障的重要方法是降低器件的热阻。1.热阻的定义热阻(Rth)是表示晶体管工作时产生的热量的能力，单位为

6、瓦，即当管消耗1W时器件的温升程度。RTH总RT1 RT2 RT3，28，功率器件的重要参数，2。晶体管热阻的组成，1。RT1的内部热阻由芯片尺寸和材料决定。2.RT2的接触热阻与封装工艺有关。3.RT3与封装形式以及是否添加散热器有关。在我们的过程控制中，最重要的是解决接触热阻。主要控制措施：1 .通过芯片键合工艺控制接触热阻。2.用有效的测试方法进行筛选。30、热阻的工艺控制、管芯键合工艺、大热阻的原因分析和工艺保证、31、热阻的工艺控制测试筛选、晶体管热阻测试原理：在一定范围内，pn结正向压降Vbe的变化与结温T的变化有近似的线性关系：对于硅pn结，K约等于2， 而热阻的计算公式是：电阻

7、温度系数只需要增加一个稳定的功率，就可以计算出晶体管的Vbe，32、热阻测试和筛选设备的优点，我们使用的是日本TESEC的Vbe测试仪。 热阻测试筛选设备的优势、Vbe测试仪的性能参数和优势：测试精度：0.1毫伏脉冲时间精度：1微秒最大电压：200伏最大电流：20A优势：1。精度高，可达0.1毫伏，重复性好。2.高筛选率，34，用于热阻测试的筛选设备的优点，优点2:高筛选率，例如带有孔的粘合芯片，在短功率脉冲中进行脉冲测试，因为热太晚而不能传导，在有孔的地方会形成热点(即，温度比粘合表面上的其他区域高得多的小区域)(如右图所示)。热点的温度很高，而Vbe的变化会比其他地方更大。整个pn结的Vb

8、e主要受热点处Vbe的影响，因此空心管的Vbe远大于普通管。，35，我们产品的热阻特性，通过测量Vbe，然后通过公式Rth Vbe /KP，我们公司的典型产品值：36，控制“虚焊”的因素及对策，_，X，37，控制“虚焊”的措施，压焊过程中严格控制引线张力，38，塑料密封气密性的过程控制，1。材料的选择。高级流程3。严格的生产过程控制。材料的选择。供应商已经过评估和认证。质量好价格高的材料。先进的工艺。1.用10，000级的清洁度清洁工厂，避免灰尘和灰尘粘附。带氮气和氢气保护的自动焊接和压力焊接机3。性能更加稳定可靠。4.测试和筛选设备精度高，稳定性好，DTS-1000，Vbe，42，产品特点，1。相同输出功率下，晶体管电流特性好，饱和压降小，功耗低，发热量低。2.丰富的产品类型和型号