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1、SiNx 3360 h减反射膜和PECVD技术.2，目录，sinx 3360 h概述应用于sinx 3360 h太阳能电池片PECVD原理光学特性和钝化技术系统结构和安全事项.3，sinx 3360 h概述，正常的sinx但PECVD沉积氮化硅元素的化学计算比随工艺而变化除了Si和n之外，PECVD的氮化硅元素一般还含有一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:H。 4、SiNx3360h概要、物理性质和化学性质：结构致密，硬度大，能承受碱金属络离子的侵蚀介电强度，耐湿性高，能承受一般酸碱，HF和热H3PO4除外.5、sinx3360h概要Si/N比sinx 折光率n随x的增加而降低，腐蚀

2、速率随x的增加而增加，随密度的增加而降低，6、SiNx在太阳能电池片上的应用，自1981年(Hezel )以来，SiNx晶体硅太阳能电池： *减反射膜*钝化薄膜(。 SiNx的优点：优异的表面钝化效果高效的光学防反射性能(厚度与折光率的匹配)低温工艺(有效降低成本)含氢SiNx:H是mc-Si提供体钝化，8，SiNx在太阳能电池片上的应用，9， PECVD PECVD=等离子增强chemicalvapordeposition是“等离子体强化化学汽相淀积”，除此之外还有HWCVD、LPCVD、MOCVD等。 PECVD通过微波或射频波等使含有薄膜组成原子的瓦斯气体电离，局部形成等离子体，但等离子

3、体化学活性强，容易反应，在基板上堆积期望的薄膜。10、PECVD等离子体定义，地球上物质有固、液、气三种状态。 其共同点是由原子或分子组成，即基本单位是原子和分子，是电中性的。 等离子体：瓦斯气体在某些条件下受到高能激发，产生电离，一些外层电子脱离原子核，形成电子、正络离子和中性粒子混合的一种形态，这种形态称为等离子态，即第四状态。 等离子体在宏观上是电中性的，但局部也可以是非电中性的。11、PECVD原理、PECVD技术原理把低温等离子体作为能量源，把样品放在低气压下辉光放电的阴极上，用辉光放电(或另外的发热体)把样品升温到规定的温度，然后流过适量的反应瓦斯气体，瓦斯气体经过一系列的化学反应

4、和等离子反应， 在样品表面形成固体薄膜的PECVD法与其他CVD法的特征在于，等离子体中含有大量高能量的电子，能够提供化学汽相淀积工艺所需的激活能。 电子和气相分子的碰撞促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性高的各种化学化学基，从而显着降低CVD薄膜沉积的温度范围，在低温下实现本来必须在高温下才能实现的CVD过程。12、CVD各工艺条件的比较、其他方法的沉积温度： APCVD常压CVD、700-1000 LPCVD低压CVD、750、0.1mbar复合托拉斯pecvd300-450、0.1mbar。 其优点：提高了能源节约、降低了生产效率，减少了高温引起的硅片中少子寿命的衰减，14

5、、PECVD种类、PECVD种类：直接基板在一个电极上，直接与等离子体(次低频放电10-500kHz或射频波13.56MHz )间接式接触的PECVD种类， 直接式的PECVD， 16，PECVD种类， 17，PECVD种类，间接式的PECVD， 18，PECVD种类，间接PECVD的特征：微波激发等离子体在该装置中，微波只激发NH3，SiH4进入直接反应室。 间接PECVD的沉积速率比直接高得多，对大规模生产特别重要。、19、光学残奥计、20、光学残奥计、厚度均匀性(nominal约70 nm )同一硅片/- 5%同一定径套内的硅片/- 5%不同卡定径套内的硅片/- 5%折光率(nomina

6、l约2.1 )同一硅片/对于- 0.5%同一定径套内的McSi，由于存在高晶界、点缺陷(空穴、间隙原子、金属杂质、氧、氮及它们的复合体)，材料表面和体内缺陷的钝化特别重要，除了上述的吸杂技术以外，钝化工艺一般分为表面氧钝化和氢钝化表面氧钝化：通过热氧化使硅环键饱和是比较常用的方法，能够大大降低Si-SiO2界面的复合速度，其钝化效应取决于发射极区域的表面浓度、界面能级密度和电子、空穴的俘获截面。 在氢气氛中退火可以使钝化效果更显着。22、钝化技术、氢钝化：钝化硅体内悬挂键等缺陷。 晶体生长中受应力等影响的缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。 氢的钝化可以使用络离子注入和等离子体处理。 如果用PECVD法在多晶体硅太阳能电池的表面镀上氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时会产生氢络离子，多晶硅就会产生氢钝化的效果。 使用PECVD Si3N4，表面的复合速度可以低于20cm/s。23、二氧化硅膜与氮化硅膜的比较、热氧化二氧化硅与PECVD氮化硅的钝化效果的比较、24、二氧化硅膜与氮化硅膜的比较，二氧化硅膜的表面复合速度明显高于氮化硅膜，即氮化硅膜的在氢气氛中退火表面氧的钝化，钝化效果得到改善。25、钝化技术、26、钝化技术、27、系统构成、28、系统构成、炉体系统：加热系统、温度测定系统、炉操纵系统、炉蒸发制冷系统、安全系统。29