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文档简介
1、晶闸管及其应用,第五章,(8-1),晶闸管(Thyristor) 别名:可控硅(SCR) (Silicon Controlled Rectifier) 它是一种大功率半导体器件,出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电 领域 。,体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容 量大(正向平均电流达千安、正向耐压 达数千伏)。,(8-2),应用领域:,逆变,整流 (交流,直流),斩波,(直流,交流),变频,(交流,交流),(直流,直流),此外还可作无触点开关等,(8-3),一、 工作原理,1、 结构,A(阳极),P1,P2,N1,N2,K(阴极),G(控制极),(8-4),符号,A,K,G
2、,2、 工作原理,示意图,(8-5),i g,ig,工作原理分析,(8-6),工作原理说明,UAK 0 、UGK0时,T1导通,ib1 = i g,iC1 = ig = ib2,ic2 =ib2 = ig = ib1,T2导通,形成正反馈,晶闸管迅速导通;,T1进一步导通,(8-7),晶闸管开始工作时 ,UAK加反向电压, 或不加触发信号(即UGK = 0 );,晶闸管导通后,,UGK,,去掉,依靠正反馈,,晶闸管仍维持导通状态;,晶闸管截止的条件:,(1),(2),晶闸管正向导通后,令其截止,必须 减小UAK,或加大回路电阻,使晶闸管 中电流的正反馈效应不能维持。,(8-8),晶闸管具有单向
3、导电性(正,晶闸管一旦导通,控制极失去作用。若使其关断,必须降低 UAK或加大回路电阻,把阳极 电流减小到维持电流以下。,向导通条件:A、K间加正向 电压,G、K间加触发信号);,(8-9),正向特性: 控制极开路时,随UAK的加大,阳极电流逐渐增加。当U = UDSM时,晶闸管自动导通。正常工作时, UAK应小于 UDSM 。 UDSM:断态不重复峰值电压,又称正向转折电压。,特性说明,U - 阳极、阴极间的电压,I - 阳极电流,反向特性:随反向电压的增加,反向漏电流 稍有增加,当U = URSM 时,反向极击穿。正常 工作时,反向电压必须小于URSM。 URSM :反向不重复峰值电压。,
4、(8-10),UDRM:,断态重复峰值电压。(晶闸管耐压值。 一般取 UDRM = 80% UDSM 。普通晶闸管 UDRM 为 100V-3000V),URRM:反向重复峰值电压。(控制极断路时, 可以重复作用在晶闸管上的反向重复电 压。一般取URRM = 80% URSM。普通晶 闸管URRM为100V-3000V),ITAV:,通态平均电流。(环境温度为40OC时,在 电阻性负载、单相工频 正弦半波、导电 角不小于170o的电路中,晶闸管允许的最大通态平均电流。普通晶闸管ITAV 为 1A-1000A。),2、 主要参数,(8-11),ITAV含义说明,(8-12),主要参数(续),UT
5、AV :通态平均电压。(管压降。在规定的条件 下,通过正弦半波平均电流时,晶闸管阳、 阴两极间的电压平均值。一般为1V左右。),IH:维持电流。(在室温下,控制极开路、晶闸管 被触发导通后,维持导通状态所必须的最 小电流。一般为几十到一百多毫安。),UG、IG:控制极触发电压和电流。(在室温下, 阳极电压为直流6V时,使晶闸管完全导通 所必须的最小控制极直流电压、电流 。一 般UG为1到5V,IG为几十到几百毫安。),(8-13),晶闸管型号,通态平均电压(UTAV),额定电压级别(UDRM),额定通态平均电流 (ITAV),晶闸管类型 P-普通晶闸管 K-快速晶闸管 S -双向晶闸管,晶闸管
6、,(8-14),晶闸管电压、电流级别,额定通态电流(ITAV)通用系列为,1、5、10、20、30、50、100、200、300、400 500、600、800、1000A 等14种规格。,额定电压(UDRM)通用系列为:,1000V以下的每100V为一级,1000V到3000V的 每200V 为一级。,通态平均电压(UTAV)等级一般用A I字母表 示,由 0.4 1. 2V每 0.1V 为一级。,(8-15),三、 可控整流电路,(一),单相半波可控整流电路,1、,电阻性负载,电路及工作原理,设u1为 正弦波,u2 0 时,加上触发电压 uG ,晶闸管导通 。且 uL 的大小随 uG 加入
7、的早晚而变化; u2 0 时,晶闸管不通,uL = 0 。故称可控整流。,(1),(8-16),工作波形,(2),:控制角,:导通角,(8-17),输出电压及电流的平均值,Uo =,Io =,(3),(8-18),2、,电感性负载,(1),电路及工作原理,设u1为 正弦波,u2正半周时晶闸管导通,u2过零后,由于电感反电动势的存在,晶闸管在一定时间内仍维持导通,失去单向导电作用。,D称为续流二极管,加入D的目的就是消除反 电动势的影响。,(8-19),(2)工作波形(不加续流二极管),(8-20),工作波形(加续流二极管后),(8-21),(3)电压与电流的计算(加入续流二极管后的 情况),U
8、0 =,Io,负载中的电压及电流,当 L R时, ILAV在整个周期中可近似 看做直流。,(8-22),(二),单相全波可控整流电路,1、,电阻性负载桥式可控整流电路,(1)电路及工作原理,u2 0的导通路径:,u2 (A),T1,RL,D2,u2 (B),(8-23),T2,RL,D1,u2 (A),u2 (B),u2 0的导通路径:,(8-24),(2)工作波形,(8-25),输出电压及电流的平均值,Uo =,Io =,(3),(8-26),2、,电感性负载桥式可控整流电路,该电路加续流二极管后电路工作情况以及负载上的电流、电压和电阻性负载类似,请自行分析。,(8-27),两种常用可控整流
9、电路的特点,(1),电路 特点,该电路只用一只晶闸管,且其 上无反向电压。,晶闸管和负载上的电流相同。,(8-28),(2),电路 特点,该电路接入电感性负载时,D1、D2 便起续流二极管作用。,由于T1的阳极和T2的阴极相连,两 管控制极必须加独立的触发信号。,(8-29),四、 触发电路,1、,单结晶体管工作原理,(8-30),工作原理,uE UA+UF = UP 时,PN结反偏,iE很小;,uE UP时,PN结正向导通, iE迅速增加。,(8-31),2、,单结晶体管的特性和参数,(8-32),UEUV时单结管截止;,UEUP时单结管导通。,小结,(8-33),3、,单结晶体管振荡电路,
10、振荡波形,(8-34),uE = uC UP 时,单结管不导通,uo 0。 此时R1上的电流很小,其值为:,振荡过程分析,R1、R2是外加的,不同于内 部的RB1、RB2。前者一般取 几十欧几百欧; RB1+RB2 一般为215千欧。,(8-35),随电容的 充电,uc逐渐升高。当 uC UP 时,单结管导通。然后电容放电,R1上便得到一个脉冲电压。,R2起温度补偿作用,UP、UV- 峰点、谷点电压,UD -PN结正向导通压降,(8-36),注意:R值不能选的太小,否则单结管不能 关断,电路亦不能振荡。,电容放电至 uc uv时,单结管重新关断,使 uo0。,脉冲宽度的计算:,振荡周期的计算:
11、,(8-37),4、,具有放大环节的可控整流电路,调节过程:,US(给定电压),T1管的uc1,T2管的ic2,电容充电速度 加快,触发脉冲 前移,uL,(8-38),五、 晶闸管的保护,晶闸管的过流、过压能力很差,是它的 主要缺点。晶闸管的热容量很小,一旦过流,温度急剧上升,器件被烧坏。例如一只100A的晶闸管过电流为400A时,仅允许持续0.02秒,否则将被烧坏;晶闸管承受过电压的能力极差,电压超过其反向击穿电压时,即使时间极短,也容易损坏。正向电压超过转折电压时,会产生误导通,导通后的电流较大,使器件受损。,(8-39),过 流 保 护,快速熔断器:电路中加快速熔断器;加入方法如下图:,过流继电器:在输出端装直流过电流
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