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文档简介

1、化学气相沉积技术、目录、CVD概述CVD方法作为CVD方法薄膜制备过程中常见的CVD反应方式CVD反应源CVD设备的组成CVD设备选择影响CVD沉积层质量的因素CVD的种类CVD的应用，CVD(化学气相沉积法):化学气相沉积在一定真空度和温度下，CVD概述用CVD方法准备薄膜的过程。反应气体的热解反应气体在表面基材上扩散反应气体，在基材表面发生化学反应，在基材表面产生的气体副产品从表面脱落，扩散或被真空泵排出。基材表面沉积固体反应产物薄膜，采用一般的CVD反应方式，热解反应金属还原反应化学运输反应氧化或水解反应等反应金属有机化学气相沉积，CVD反应材料源，CVD准备薄膜基材温度区，CVD设备配

2、置，CVD设备选择，主要考虑的是反应室的形状和结构(主要是均匀薄膜准备)，一般是水平型，垂直型加热方法气体供应方式基材材料和形状气密性及真空度原料气体种类和产量，影响CVD沉积层质量的因素，沉积温度一般较高，CVD化学反应率较快，气体分子或原子在基材表面吸附和扩散作用越强，沉积率也越快。这个沉积层很致密，结晶也很完美，但太高的沉积温度也会引起颗粒粗大的现象。反应气体分压反应气体比例直接影响沉积核、生长、沉积速率、组织结构、成分等。沉积室压力沉积室的压力影响沉积室的热量、质量和动量的传输，影响沉积率沉积层的质量和沉积层厚度的均匀性。CVD的种类、等离子化学沉积(PCVD)、CVD、金属有机化学沉积(MOCVD)可以在低温度下反应，产生无定形薄膜I，一般基材温度为300，复盖范围大，几乎可以生长所有化合物和合金半导体。可以生长超薄外延层，获得非常陡峭的界面过渡，并生长各种异质结构。也就是说，外延层的均匀性，基板温度低，生长容易控制，适合大规模生产。随着CVD的应用、CVD的发展，以及CVD和PVD技术的迅速发展，现在这两种技术相结合，新的气相沉积技术等离子增强了化学气相沉积技术(PECVD)。特征：沉积温度低(低于600)，应用范围广，设备简单，器材变形少，挠曲性能好，沉积层均匀，可渗透。克服CVD技术沉积温度高、对器材材料要求严格的缺点，避免PVD技术附着力差、

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