GB∕T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

ICS31220

L95.

中华人民共和国国家标准

GB/T36646—2018

制备氮化物半导体材料用

氢化物气相外延设备

Equipmentforpreparationofnitridesemiconductormaterialsby

hydridevaporphaseepitaxy

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T36646—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

产品分类和标记

4…………………………2

分类

4.1…………………2

型号标记

4.2……………2

工作条件

5…………………3

电源

5.1…………………3

环境温度

5.2……………3

相对湿度

5.3……………3

大气压力

5.4……………3

洁净室等级

5.5…………………………4

冷却水

5.6………………4

动力气体

5.7……………4

要求

6………………………4

压升率

6.1………………4

气体输运系统

6.2………………………4

电气系统

6.3……………4

控制软件

6.4……………4

整机性能

6.5……………5

安全防护

6.6……………5

检测方法

7…………………6

压升率测试

7.1…………………………6

气体输运系统检测

7.2…………………6

电气系统检测

7.3………………………6

控制软件检测

7.4………………………7

整机性能检测

7.5………………………7

安全防护检测

7.6………………………9

检验规则

8…………………9

检验分类

8.1……………9

型式检验

8.2……………9

出厂检验

8.3……………10

Ⅰ

GB/T36646—2018

判定规则

8.4……………10

标志包装运输和储存

9、、…………………10

标志

9.1…………………10

包装

9.2…………………11

运输

9.3…………………11

储存

9.4…………………11

附录规范性附录氮化物外延材料厚度测量

A()………12

Ⅱ

GB/T36646—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC203)。

本标准起草单位东莞市中镓半导体科技有限公司中国电子技术标准化研究院

:、。

本标准主要起草人刘鹏孙永健丁晓民冯亚彬王健辉

:、、、、。

Ⅲ

GB/T36646—2018

制备氮化物半导体材料用

氢化物气相外延设备

1范围

本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备以下简称设备的产品分

(“HVPE”)

类和标记工作条件要求检测方法检验规则标志包装运输和储存

、、、、、、、。

本标准适用于制备直径氮化物半导体材料的设备

50.8mm~152.4mmHVPE。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

包装储运图示标志

GB/T191—2008

声学声压法测定噪声源声功率级和声能量级采用反射面上方包络测量面

GB/T3768—2017

的简易法

设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试

GB/T5080.7—1986

验方案

机械电气安全机械电气设备第部分通用技术条件

GB5226.1—20081:

运输包装收发货标志

GB/T6388—1986

半导体材料术语

GB/T14264—2009

洁净厂房设计规范

GB50073—2013

工业企业噪声控制设计规范

GB/T50087—2013

特种