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第三节 光盘原理,一、光盘的存储原理 光盘用坑和岛以及坑岛的长度表达信息 CLV结构中，总长度约为5万km，约有2万条光道，光道间距1.6微米，可容纳28亿左右个的坑。,（一）只读型光盘存储器,只读型光盘的记录介质通常为光刻胶 只读型 光盘多为工厂生产,(二）一次写入光盘存储原理,一次写入光盘是利用激光光斑在存储介质的微区产生不可逆转的物理化学变化伊进行记录的光盘。 1、记录方式 烧蚀型、起泡型、熔绒型、合金化型、相变型,2、存储原理 烧蚀型原理,(三）可重写光盘的擦写原理,1、磁光型光盘的写擦原理 居里点记录和补偿点记录 2、相变型光盘的写擦原理 （1）向变介质的三种状态 相变介质有三种状态：无定形态As、玻璃态（非晶态）G、晶态C 三种状态可以在一定条件下转换,（2）相变型光盘的写擦原理 二、光盘的读出原理 （一）RO 和WORM型的读出 利用聚焦后的激光束对信息道上的凹坑进行扫描，由于反射率不同，从而形成光电反差特性，通过光电检测器读出“0”“1”信息。 （二）可重写光盘的读出原理 1、磁光型光盘的读出原理 2、相变型光盘的读出原理,

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