LED芯片工艺.ppt

1、蓝光LED芯片工艺,外延片清洗,有机物,金属离子,MQW,P-GaN,AL2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,Al2O3,N-GaN,蒸镀ITO,ITO为透明电极，可以起到一个增加电流扩展和提高出光效率的作用。,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,蒸镀ITO,光刻ITO,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,胶,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,胶,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,胶,甩胶,曝光,显影,光刻一般是分为三步： 1.甩胶，胶是用来做光刻的掩膜，分为正胶和负胶 2.曝光

2、,胶是一种光的敏感材料，见光反应，如果是正胶见光后，见光部分则容易被显影液去掉，如果是负胶见光后，则没有见光的部分容易被显影液去掉 3.显影，通过显影液去掉经过曝光的正胶或没有曝光的负胶,ITO腐蚀,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,腐蚀ITO,去胶,腐蚀分别湿法腐蚀和干法刻蚀两种 湿法腐蚀：通过液体化学药品与要去掉的物质发生化学反应，生成气体或溶于液体的物质而去掉。这种方法有各向同性的性质，会容易 产生钻蚀现象。 干法刻蚀：通过气体原子和离子轰击及辅助相应的气体化学反应，

3、而去掉需要去掉的层。这种方法的优点就是它的各向异性特点，但是由于 其能量极大，如果用胶保护容易把胶打焦从而导致后续去胶困难。,湿法腐蚀去ITO,光刻N电极,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,甩胶,曝光,显影,ICP刻蚀N电极,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,ICP刻蚀GaN,去胶,由于GaN的化学性质

4、特别稳定，用一般的化学药品很难腐蚀动，即使能腐蚀，速率也是特别的慢，所以要去掉GaN一般用干法刻蚀,PECVD沉积SiO2,SiO2为钝化膜，起到防静电，保护发光管的作用。,P-GaN,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,P-GaN,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,沉积SiO2钝化膜,光刻电极,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,SiO2,P-GaN,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,SiO2,Al2O3,P-GaN,MQW,P-GaN,ITO,SiO2,P-GaN,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,SiO2,甩胶,曝光,显影,腐蚀SiO2,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,SiO2,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,SiO2腐蚀,蒸镀金属电极及剥离,Al2O3,N-GaN,MQW,P-GaN,ITO,Al2O3,