DDR 工作流程简介

1、有关DDR3的详细信息，请参阅双数据速率同步动态随机访问内存(ddr3)牙齿第三代2倍数据速率同步动态随机访问内存。适用于电脑和电子产品领域的高带宽并行数据总线。DDR3是基于DDR2开发的，资料传输速度是DDR2的两倍。内存相关工作流和参数首先了解内存相关工作流和参数，然后了解DDR3。这样可以更容易理解某些参数所扮演的角色。牙齿部分介绍使用DDR3的简化时间序列图。DDR3内部有填充数据的存储阵列。你可以把它当成票。与David aser，Northern Exposure(美国电视电视剧)，DDR3内部表格的搜索原理一样，指定行和列可以准确地找到所需的单元格。这是内存筹码寻址的基本原理。

2、对于内存，牙齿单元可以称为存储设备。牙齿表(存储阵列)牙齿逻辑单元(Logical Bank，或以下单元)。DDR3内部bank图表NXN中的阵列；b是bank地址号，c是列地址号，r是行地址号。如果寻址命令为B1、R2、C6，则可以确定地址是否是图中红色网格的位置，当前DDR3系统具有内存子系统的相关术语物理bank的概念。不是内存芯片。为了使内存CPU正常工作，CPU必须在传输周期内一次性传输必要的数据。CPU在传输周期中可容纳的数据容量是CPU数据总线的位宽，以bit(位)为单位。控制内存和CPU之间数据交换的北桥芯片也使内存总线的数据位宽度与CPU数据总线的位宽度相同。牙齿位宽称为物理

3、银行，有些数据称为通道。当前牙齿位宽默认为64位。在实际操作中，bank地址与其行地址同时运行，牙齿命令称为“行激活”(Row Active)。随后，列寻址命令与特定操作命令(读取或写入)一起发送，两个命令也同时执行，因此通常用“读/写命令”指示列寻址。根据相关标准，行有效到读/写命令执行的间隔定义为tRCD，即RAS中的cas延迟，RAS是行地址选择脉冲，CAS是列地址选择脉冲(CAS)。我们可以理解为行选择周期。tRCD是DDR的重要计时参数，广泛的TRCD是时钟周期(tCK，Clock Time)数(例如tRCD=3)，意味着延迟周期是3个时钟周期。下一步，选择相关列地址将触发数据传输，

4、但从存储设备到内存芯片上实际出现的I/O接口需要更长的时间(数据触发本身延迟，需要扩大信号)。牙齿时间是非常有名的CAS Latency(CL)，列地址脉冲等待时间。与tRCD一样，CL值以时钟周期数表示。但是，CL仅用于读取操作。BL=4，当前内存的读写基本上是连续的。这是因为与CPU交换的数据量基于缓存行(CPU内的缓存存储单元)的容量。通常为64字节。现有Rank位宽为8字节(64位)的情况下，每次需要连续传输8次，这包括我们经常遇到的突发传输的概念。突发是与同一行相邻的存储设备连续传输数据的方式，连续传输周期的数量为突发长度(BL)。谈到突发长度的时候。BL=4表示一次传输464位数据

5、。但是，如果不需要其中的第二个数据，该怎么办呢？还传输吗？为了阻止不必要的数据，人们采用了数据掩码(DQM)技术。DQM允许内存控制要在I/O端口取消的输出或输入数据。需要强调的是，在读取时，掩码数据仍从存储中传输，但仅在“掩码逻辑单元”中进行掩码。(阿尔伯特爱因斯坦，美国电视电视剧)，数据选择脉冲DQS DQS是DDR的重要功能，主要用于在一个时钟周期中准确区分每个传输周期，并确保收件人正确接收数据。DQS是双向信号，在写入时发送北桥发送的DQS信号，在读取时，芯片生成的DQS发送到北桥。可以说是数据的同步信号。DQS在读取时与数据信号同时生成(也是CK和CK#的交点)。DDR内存中的CL是

6、从CAS到DQS生成的时间间隔，基于DQS实际出现在数据I/o总线上的时间间隔称为Tac。实际上，在创建DQS时，筹码内部的预取已完成，预取可能导致实际数据传输发生在DQS之前(数据在DQS之前传输)。DQS是确保接收方的可选数据，DQS在读取时与数据同时发送。但是，由于芯片具有预取操作，输出时很难控制同步。只能限制一段时间。每个I/o端口上的数据可能快速发生，与DQS之间可能存在一定的间隔。这就是为什么需要tAC法规。接收方必须确保所有内容同时接收，并且不存在tAC等偏差。这样，在写入时，芯片不再创建自己的DQS，而是基于发送方传递的DQS，从而在DQS中间用数据周期的选定分割点(读取时分割

7、点上下)分隔两个传输周期。这样做的优点是，由于每个数据信号具有逻辑水平保持周期，因此即使在传输时不同步，DQS上下移动时，在保持周期内数据接收触发器的准确性最高。虽然在记录时使用DQS的高/低级别时段中间作为数据周期分区(而不是上下)，但是数据的读取触发器仍然是DQS的上下。写入延迟可以在上面的DQS写入计时图表中看到。发出写入命令后，DQS和写入数据可能需要一些时间才能传递。(大卫亚设、美国电视电视剧、写延迟(美国电视电视剧)牙齿周期称为写命令的DQS延迟时间(tDQSS)。TDQSS是DDR内存写入操作的重要参数，太短可能被错误接受，太长可能导致总线空闲。TDQSS不能小于最小0.75时钟

8、周期，也不能超过最大1.25时钟周期。通常，tDQSS是时钟周期，但在写入时，接收方的时钟仅用于控制命令信号的同步，数据接受完全依赖DQS进行同步，因此DQS和时钟不需要同步。内存运行速度内存技术在SDR、DDR、DDR2、DDR3中发展，传输速度呈指数级增长，除了晶片制造过程中的增强因素外，还采用了双数据速率和Prefetch技术。实际上，无论是SDR、DDR还是DDR2、3，内存筹码内部的核心时钟基本上是一致的100MHz到200MHz(某些供应商制造的超频内存除外)。双倍数据速率(DDR)技术可提供比SDR快两倍的资料传输速度。如下图所示，SDR仅在时钟上升时传输数据，DDR同时在时钟信

9、号上方和下方传输数据。例如，与133MHz时钟一样，DDR可以获得266Mb/s的资料传输速度。双数据速率技术将资料传输速度提高了一倍，筹码内部的数据传输速率增强是通过Prefetch技术实现的。所谓Prefetch只是意味着在一个核心时钟周期中同时寻址多个存储设备，并行地将牙齿数据发送到IO Buffer，然后以更快的外部速度发送IO Buffer中的数据。牙齿更快的速度通过DDR I中的双倍数据速率实现，由于牙齿的原因，DDR I外部锁定针脚的频率与筹码内部的核心频率相匹配。下图显示了DDR I的Prefetch。在16位内存芯片上，一次将两个16位数据从内核传输到外部MUX单元，然后将锁

10、定信号上下两次牙齿2x16位数据传输到北桥或其他内存控制器。整个过程仅经历一个核心时钟周期。，作为DDR2开发，筹码内核将每个prefetch的4倍数据作为IO Buffer，为了进一步提高外部传输速度，芯片上的内核时钟和外部介面时钟(即我们通常接触的时钟针时钟)不再是相同的时钟，外部时钟时钟频率将是内核时钟的2倍。同样，DDR3的数据每次都是prefetch的8倍，筹码锁定频率是内核频率的4倍，即在JEDEC标准(JESD79-3)中描述的400MHz到800MHz，锁定信号之上，向下变异同时传输数据的DDR，具体地说，内存速度为PC3、DDR3和DDR2之间的差异、DDR3测试JEDEC标准中规定的DDR3测试分为三个茄子因素：时钟测试计时测试传记性能测试期间时钟测试的主要测试时钟信号的周期、上下脉宽、周期抖动和连续N周期累积错误。计时测试主要在读取和写入数据时设