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文档简介
VOX表示在栅氧化层上的压降； S为表面势，作用在半导体表面，使表面能带弯曲。,呈现强反型的条件：,其中，COX为栅氧化层单位面积电容量； OX为SiO2的介电常数， OX是栅氧化层厚度。,其中，B=（Ei-EF）（半导体体内）/q，称为费米势。,（1）线性区：,（2）非饱和区：,（3）饱和区：特性曲线近似平坦的区域,平方律曲线,四、P沟道EMOS场效应管,增强型（enhancement）或常关型（normally-off）,3.1.2 耗尽型MOS（DMOS）场效应管,耗尽型（depletion）或常开型（normally-on）,集成工艺,3.1.4 小信号电路模型,条件：1、源和衬底相连，接地。 2、器件工作在饱和区。 3、交流量足够小。,若有衬底电压，且其间存在交流量，即：,工程上近似为：,式中，为常数， 一般为0.10.2,3.2 结型场效应管,3.2.1 工作原理：,
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