小分子掺杂的高分子半导体薄膜材料中的异质结结构荧光发射特性研究.ppt_第1页
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文档简介

1、小分子掺杂高分子半导体薄膜材料中杂结构荧光发光特性的研究,报告人:刘宁导师:张新平教授,1,12010年12月9日,报告内容,1 .研究背景,2 .研究内容和方法,3 .研究结果和分析研究背景,F8BT,EPPTC,poly(9, 9-dioctylfluorene-cobenzothiadiazole,n,n, 以-bis(1-ethylprrene) (1)三氯甲烷为溶剂,分别在浓度15mg/ml溶液(2)中配置2种半导体薄膜材料(F8BT和EPPTC ),以11的体积比混合2种混合溶液,配置混合溶液(3), SC-1B流平剂不同浓度混合溶液1 .第一类异质结结构的精细结构特征、F8BT、

2、EPPTC及混合物薄膜的原子力显微镜图像、小分子掺杂高分子半导体薄膜材料的成膜性良好,2、F8BT、EPPTC、混合物薄膜的吸收谱、现阶段进展、 F8BT薄膜吸收峰EPPTC薄膜的吸收峰: 506nm有效吸收谱: 420650nm,混合物薄膜的有效吸收谱: 400 650nm,混合后的吸收谱大致复盖了可见光谱的大部分区域、3、EPPTC溶液及薄膜的吸收谱, 现阶段进展的EPPTC和混合薄膜在450nm激光激发下的荧光色光谱,现阶段进展,5,15mg/ml混合溶液薄膜在不同激发波长激光激发下的荧光色光谱,现阶段进展,6,F8BT和EPPTC薄膜在405nm激光激发下的荧光发光动态过程,现阶段进展。 7 .混合溶液薄膜在405nm激光激发下的荧光发光动态过程、现阶段的进展、8、混合薄膜在荧光发光中不同波长下的3寿命贡献度,总结一、小分子掺杂高分子半导体薄膜材料对

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