版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领
文档简介
1、第15章场效应晶体管和场效应晶体管简介。场效应通过调节施加在金属板上的电压来调节其下的半导体的电导，从而调节欧姆触点A和B之间的电流。半导体的电导率被施加在半导体表面上的垂直电场调节的这种现象称为场效应。图15-2结型场效应晶体管，图15.3金属氧化物半导体场效应晶体管，15.2场效应晶体管，1。1952年，肖克利首次提出并分析了结型场效应晶体管。在场效应晶体管中施加的栅极电压改变了pn结耗尽层的宽度，从而调节了源极和漏极欧姆接触之间的电导。图15.9是现代外延场效应晶体管的透视图。为了分析场效应晶体管的基本工作原理，首先设置了一个标准的偏置条件。VG0:pn结始终为0偏置或反向偏置VD0:确
2、保n区中的电子从源极流向漏极。通过系统地改变端电压来分析器件中的变化。第二，器件工作的定性理论，首先假设VG=0，分析当VD逐渐增加时，电流ID从S-D的变化(1) VD=0:器件处于热平衡，在P-N结有一个小的耗尽区(2)VD缓慢增加一个较小的电压，电流将流过N沟道，这就像一个纯电阻，电流ID随VD的增加而线性增加。(3)当VD增加到零点电压以上时，顶部和底部的耗尽区将逐渐扩大，沟道将变窄，沟道的电阻将逐渐增加，ID-VD曲线的斜率将减小。(4)泄漏电压将持续增加，直到漏极端附近的顶部和底部的耗尽区最终连接在一起，此时沟道完全耗尽。这种情况称为“夹断”。对应的漏电压称为“夹断电压vdsat”(5)，在VDS at之后，随着VD的增加，ID基本保持不变并达到饱和，当VG=0时，显示出J-FET的各种工作状态。图15.12伏安特性曲线(a)线性泄漏电压非常小(b)沟道变窄，导致斜率缓慢(c)夹断和饱和现象。(1)VG0，即使VD=0，顶部和底部的p-n结处于反向偏置，这增加了耗尽层的宽度，使沟道的宽度变窄，增加了沟道的电阻，并减小了ID-VD曲线中线性部分的斜率。(2)当负偏置电压VG0施加到栅极时，夹断电压VDsat变小。(3)对于较大的负偏置电压VG，即使VD=0，整个沟道也可能处于耗
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
最新文档
- 拆架子施工方案(3篇)
- 2026年东营市利津县事业单位公开招聘工作人员（31人）参考考试题库及答案解析
- 2026年甘肃省陇南市西和县汉源镇幼儿园公益性岗位招聘考试备考试题及答案解析
- 中职急救护理学生管理
- 2026西藏山南加查县文旅局公益性岗位招聘1人考试备考题库及答案解析
- 2026黑龙江哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院储能与电力变换研究所招聘笔试备考试题及答案解析
- 2026广东省水利水电第三工程局有限公司校园招聘备考考试题库及答案解析
- 2026广东佛山市南海区人民医院后勤岗位招聘1人（神经内科文员）备考考试试题及答案解析
- 迪士尼乐园闯关问答
- 2026年山东工程职业技术大学高层次人才招聘备考考试试题及答案解析
- 统编版语文一年级上册无纸化考评-趣味乐考 玩转语文 课件
- 高压氧进修课件
- 2025年第三类医疗器械经营企业质量管理自查报告
- 2025无人机物流配送网络建设与运营效率提升研究报告
- 事业单位市场监督管理局面试真题及答案
- 人工智能伦理规范
- 校园禁毒管理办法
- 饲料供应循环管理办法
- 保险公司安责险
- 水泥稳定碎石配合比验证
- 尿路感染教学查房
评论
0/150
提交评论