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文档简介

1、，4.1半导体的波段结构，第四章平衡状态的半导体，1 .各向异性模型等能量面是一系列包围的椭球体。2 .各向同性模型，等能量面是一系列包围的球面。极值位于空间原点，能量极值位于位置，指南底部附近，价带顶部附近，指南底部能量，指南底部电子有效质量，价带顶部能量，价带顶部孔有效质量，理想半导体波段模型，2。一般半导体波段结构，1 .Si波段结构，(1)导C分裂波段，(3)间接带隙半导体，带底部和价带顶部不同的K值，2。Ge的频带结构，(1)频带，多极值频带结构，Eg=0.67ev，(2)与价带Si相同，(3) 4。Eg与温度T的关系、负温度系数、材料相关、4.1本晶半导体和杂质半导体、1。本征半导

2、体，杂质和缺陷，本征激发，1。本征这里，价带电子被称为传导带电子的过程，2。带状图，3 .禁止(2)高温杂质半导体，2 .杂质半导体，1 .n型半导体，主要依赖于传导带电子导电的半导体，电子摆脱共价键束缚，价带电子成为传导带电子，(1)逃离杂质，Si，Ge族元素中的P，As，B:杂质在晶体中，并考虑晶体介电常数的影响。始主能级和始主电离，氢原子基态电子的电离能，始主杂质的电离能，杂质，电离能(ev)，晶体，2。p型半导体，主要依靠价带孔传导的半导体，(1)主杂质，Si，Ge族元素，(3)主杂质电离能，主能级和主电离，杂质，电离能(ev)，晶体，(3)。杂质赔偿，半导体是N型，GaAs中混合的S

3、i或Ge是主要杂质还是主要杂质？半导体为P型，杂质多，但导电带电子和价带空穴少，电性能不好。，4.3热平衡载流子统计分布，1 .热平衡状态，传导带电子源：(1)本征激发的电子(2)逃离杂质电离，价带孔来源：(1)本征发生后价带形成孔(2)主杂质电离价带顶部附近的状态密度，2。状态密度，陶台底部附近的能量函数，状态密度，3。载流子统计分布，1 .电子的统计分布，在热平衡状态下能量为E的量子状态被电子占据的概率，电子的费米分布，电子的波兹曼3。本正半导体，硬平半导体，波兹曼分布函数说明，非纯半导体，本正半导体，N型半导体，P型半导体，满足，4。中平半导体为费米分布函数说明，简化半导体，N型半导体，P型半导体，4 .热平衡载流子浓度，考虑(3)非纯半导体为玻尔兹曼分布，传导带有效态密度，1。传导带电子浓度，2 .价带孔浓度，3。载流子浓度乘积，热平衡状态的非纯半导体的判定式，价带有效状态密度，5。本庭6。杂质半导体的费米能级和载流子浓度，N型：P型B:电子多子，空穴元件，电子元件，空穴多子，1。杂质能级载流子分布函数，(1)试主能级电子分布函数，A 3360试主能级电离，(2)主能级中空穴的分布函数，A 3360非离子主浓度，b 3360电离主浓度，2。n型半导体的费米能级和载流子浓度，计算通用方法：A 3360具有传

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