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文档简介

1、1.第1章，第1章，常用半导体器件，2010年9月，问题解决；2.第一章，第一章，常用半导体器件的自测题。1.判断下列陈述是否正确，用 和 表示判断结果，并填入空格*(1)如果在n型半导体中掺杂了足够量的三价元素，则可以将其修改为p型半导体。()*(2)因为N型半导体的多重态是自由电子，所以它们带负电。()* (3)当没有光和没有施加电压时，结电流为零。()#(4)处于放大状态的晶体管的集电极电流是由多路复用器的漂移运动形成的。()(5)结型场效应晶体管施加的栅源电压应使栅源之间的耗尽层承受反向电压，以保证其大的栅源比。()#(6)如果耗尽型N沟道金属氧化物半导体晶体管的UGS大于零，其输入电

2、阻将明显减小。()，3，第1章，第2节。选择正确答案并填空。* (1)当pn结加上直流电压时，空间电荷区将是。a .变窄b .基本不变c .变宽*(2)假设二极管的端电压为u，二极管的电流方程为。稳压管的稳压区是它工作的地方。当晶体管工作在放大区时，发射极结电压和集电极结电压应该是。# a .前者是反向偏置的，而后者是反向偏置的。b .前者是正向偏置的，后者是反向偏置的。c .当前者是正向偏置的，而后者是正向偏置的(5)UGS0V时，可以在恒流区工作的场效应晶体管是：# a .结型晶体管b .增强型金属氧化物半导体晶体管c .耗尽型金属氧化物半导体晶体管、a、c、c、b、4，第1章，# 6，(

3、1.9)电路如图1.6所示，VCC15V，100，UBE 0.V ask:1)当(1)在1)Rb50k，基极电流、集电极电流和管电压降分别为：并且工作在放大区，因此输出电压UOUCE2V。(2)假设在临界饱和状态下，乌苏贝电压为0.7v，因此，在第5章第1节第1.1节中，选择适当的答案并填写空白。*(1)在本征半导体中添加元素可以形成N型半导体，添加元素可以形成P型半导体。当温度升高时，二极管的反向饱和电流将为。在放大区工作的晶体管。如果当IB从12A增加到22A时，IC从1mA变化到2mA，那么它的值大约是。当场效应晶体管的漏极DC电流从2mA变为4mA时，其低频跨导gm将为。增加，不变，减少，常规话题，第1章，第1.13节有两个晶体管，一个有250，另一个有180安；另一个是100，ICEO10A，其他参数大致相同。你认为应该用哪种管子？为什么？解决方案：100，选用ICEO10A管材，由于其ICEO适中且较小，其温度稳定性优于其他管材。7，第一章，#(补充工作)1.16电路如图所示，UBE晶体管导通时为0.7 v，=50。试分析VBB为0.1V、1V和5V时t的工作状态和输出电压uO的值。解决方法如下：(1)当vbb为0.1v时，t

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